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对钒氧化物中的反应机制的原位和操作分析，用于LI-，Na-，Zn-和Mg ions电池
然而，V x o y阴极的商业应用仍然受到限制，主要是因为该材料是在其充电状态下合成的（即没有互插离子的来源：LI，Na，Zn和Mg）和毒性。为了解决以前的化学插入，已经研究了将离子源插入V x o宿主材料中，包括Li X-，Na X-，Zn X - 和Mg X -V Y O Z。[24–30]插量离子不仅充当层中的支柱，以防止结构变形，而且还增加了层中离子源的量。先前的评论论文全面报道了基于V X O Y的材料的特征，并总结了其作为在LIBS，NIBS，ZIB和MIBS中用作阴极的电化学性能。[12,13,25,26]然而，要详细了解储能机制是很有吸引力的，因为它们在充电和电荷过程中监测实时反应，因此详细了解储能机制是有吸引力的。在这里，“原位”是指“在现场或反应物内部”，而“ Operando”是指“在工作或操作条件下”，但是这些术语通常在文献中互换。更普遍地说，“原位/操作分析”用于描述实时电化学操作下的电化学分析。[31–34]
用于柔性器件的具有阳极氧化和氟化 Al2O3 栅极绝缘体的氢化 In-Ga-Zn-O 薄膜晶体管
金属半导体场效应晶体管，10 – 15 ) 等等。特别是 In – Ga – Zn – O (IGZO) 是柔性 TFT 有源通道的有希望的候选者，因为即使在室温下沉积，IGZO 也表现出超过 10 cm 2 V − 1 s − 1 的电子迁移率。16、17) 然而，IGZO TFT 通常需要在 300°C 左右进行热退火，以减少因各种类型的加工损坏而形成的缺陷。18 – 22) 我们小组报告说，通过 Ar + O 2 + H 2 溅射沉积的氢化 IGZO 薄膜非常有希望用于制造低于塑料基板软化温度的氧化物 TFT，以用于未来的柔性设备应用。通过低温（150°C）退火可以减少沉积态IGZO薄膜中产生的缺陷。15、23、24)场效应迁移率（μFE）为13.423)
蛋白质组和肽组的变化和Zn浓度在OVO刺激后用多晶粒益生菌和Zn-Gly螯合物：初步研究
1 epizootiology和clizootiology and clinic of传染病诊所，伦布林生活科学兽医学院，Gł˛eboka30，20-612 lublin，波兰； artur.ciszewski@up.lublin.pl（A.C。）; zespollukasza@gmail.com（K.M.）2预防性兽医和禽类疾病的细分，兽医学院，动物疾病生物基础研究所，卢布林大学生命科学大学，Gł˛eboka30，20-612 lublin，波兰； agnieszka.marek@up.lublin.pl 3 Department of Biochemistry, Faculty of Veterinary Medicine, University of Life Sciences in Lublin, Gł˛eboka 30, 20-612 Lublin, Poland 4 Sub-Department of Pathophysiology, Department of Preclinical of Veterinary Sciences, Faculty of Veterinary Medicine, University of Life Sciences in Lublin, Gł˛eboka30，20-612卢布林，波兰； bartlomiej.szymczak@up.lublin.pl 5植物学，真菌学和生态学系，玛丽亚·库里·斯克索德斯卡大学（Maria Curie-SkłodowskaUniversity），阿卡迪米卡（Akademicka），波兰（Akademicka）19，20-033 lublin，波兰； anrysiak@o2.pl *通信：lukasz.jarosz@up.lublin.pl;电话。： +48-53-468-0690
阴极Zn底电位沉积-UCL Discovery
金属阳极的内在特性，包括地理结构，表面粗糙度，晶体取向，晶粒尺寸，缺陷等，与制造过程密切相关。这些特性在确定金属阳极的电化学性能方面起着决定性的作用。此外，储存和加工氛围（例如，杂物箱中挥发性溶剂气体和氧气/水分水平的组成）会影响金属阳极的表面物种。4因此，至关重要的是阐明主要因素并优化从原金材料到MBS金属阳极的生产过程的可重复性，一般性和可扩展性。在这个角度，我们将金属阳极的生产分为三个步骤：预处理，加工和治疗后。我们从讨论基本但经常被忽略的预处理步骤开始，然后比较各种处理方法，并突出显示在处理步骤中可能形成的金属阳极的缺陷。最后，我们讨论了治疗后策略，以有效地优化金属阳极的电化学镀膜行为。为了结论我们的讨论，我们为金属阳极制造提供了一个顺序且可扩展的解决方案，希望在MBS的激动人心的领域激发进一步的研究创新。
研究单打的分阶段硬铁磁铁铁氧体MFE 3 O 4（M = CO 2 +，Zn 2 +，CD
在这项研究中研究了过渡金属对铁素（铁（III）氧化物）化合物的影响。铁氧体样品。X射线分析在三价状态下揭示了Fe期的存在，展示了一个基于（311）反射平面的首选方向的单杆立方尖晶石框架。对于CDFE 3 O 4，Znfe 3 O 4的晶体尺寸，使用Scherer方程的COFE 3 O 4分别得出10.54 nm，18.76 nm和32.63 nm的值。锌铁酸盐与钴和铁氧体相比表现出中间光子性质，镉铁素体的光损失高光损失，钴铁液表现出最小的光学损失。EDX分析证实了Zn 2 +，CO 2 +，Fe 3 +，Cd 2 +和O 2-离子的存在，以支持预期的stoichio-量组成。光学评估表明，COFE 3 O 4纳米颗粒非常适合光电设备，紫外检测器和红外（IR）检测器。与其他样品相比，钴铁素体的VSM测量值比其他样品表现出更高的牢固性和磁饱和度。光致发光（PL）光谱显示出多种颜色，包括青色，绿色和黄色，在铁素体样品的不同波长下。这些发现表明合成样品是由于其可靠的磁性特性而用于高频设备的合适材料。镉铁氧体显示出多磁性结构域的结构，与在锌和钴铁岩中观察到的单磁体结构结构形成对比。
增强的非线性吸收和光致发光特性
摘要在这项研究中，掺杂元元件对超声喷涂的Moo 3薄膜的线性，非线性吸收和光学限制特性的影响。线性光学结果表明，随着带量的缺陷状态的密度与掺杂的密度增加，并结合使用带隙能量和URBACH能量的增加。广泛的光致发光排放在350和600 nm的范围内，通过掺杂降低了强度。揭示了对非线性吸收（NA）行为的缺陷效应，使用两个理论模型分析了OA Z-SCAN数据，仅考虑两种光子吸收（2PA）（模型1）和一个光子吸收（OPA），2PA和自由载体吸收（模型2）。观察到NA行为，并发现由于新的氧空位和进一步缺陷状态的形成而产生的输入强度和掺杂原子会增强。模型2中薄膜的Na系数比模型1中的2PA系数高100倍。该结果揭示了缺陷状态对NA行为的强烈影响。在研究的掺杂原子中，由于缺陷态密度较高，CU导致Na增强。虽然真正的2Pa是V和Fe掺杂的MOO 3薄膜的主要Na机制，但OPA和2PA是Ni，Zn和Cu掺杂的MOO 3薄膜的主要Na机制，因为它们的缺陷状态较高。Cu掺杂的MOO 3薄膜的光学限制阈值为0.026 MJ / cm 2，这是由于其增强的Na行为。考虑到获得的结果，这项研究为可见的波长区域中的光学限制器打开了掺杂的MOO 3薄片的潜力的门。
Cu的铜金属膜的原子层沉积（...
摘要：基于Zn的金属的激光粉末床融合（LPBF）具有产生定制的可生物降解植入物的突出优势。然而，在Zn激光熔化期间发生了大规模蒸发，因此调节激光能量输入和气体屏蔽条件以消除LPBF过程中蒸发烟雾的负面影响成为一个关键问题。在这项研究中，建立了两个数值模型，以模拟扫描激光与Zn金属之间的相互作用以及屏蔽气流与蒸发烟雾之间的相互作用。第一个模型通过将蒸发对能量，动量和质量的保护作用进行影响，预测了不同激光输入的蒸发率。以蒸发速率作为输入，第二个模型通过采取气体循环系统的效果，包括几何设计和流量速率，预测了在屏蔽气流的不同条件下蒸发烟雾的消除效果。在涉及足够激光输入和优化的屏蔽气流的情况下，在LPBF过程中，蒸发烟雾有效地从加工室中删除。此外，通过比较纯锌和钛合金的LPBF来讨论表面质量致密性的影响。已建立的数值分析不仅有助于找到基于Zn的金属LPBF的足够激光输入和优化的屏蔽气流，而且还有益于理解LPBF工艺蒸发的影响。
CO在...
Zn 1-X CO X O（0≤x≤0.10）纳米粒子通过球磨制过程成功制造。使用X射线衍射，X射线（EDX），扫描电子显微镜（SEM）检查了[CO]/[Zn]对纳米粒子特性的影响，这些测量结果表现出生长六边形Wurtzagonal wurtzagonal wurtzagonal wurtzato wurtzate Zn 1-x o x o x o x o x o nano partiate co +2 co +2成功地组合了Zn Zn ZN ZN ZN ZN ZN ZN ZN ZN ZN ZN ZN ZN ZN ZN CO +2成功地组合了Zn Zn Zn Zn Zn Zn Zn Zn Zn Zn co +2。使用紫外线可见的（UV）吸收光谱研究了Zn 1-X CO X O纳米粒子的光学表征是指光频段中的红移，并且在ZnO矩阵内增加了COION，此结果证实，随着CO的增加，频带gab grake cop narrow缩小了CO的比率。应用振动样品磁力计的磁化测量值在共掺杂的ZnO纳米粒子中说明了磁滞回路。多亏了bandgap e g
绝缘体和电极材料对碳化层的影响很小
# 组成 # 原子核 # 电子 缩写 1 2 Zn +2 Al + [C 3 H 6 ] 10 94 326 2 Zn + 2 Al + PP 2 2 Zn + 2 Al + [ C 10 H 8 O 4 ] 5 114 586 2 Zn + 2 Al + PET 3 2 Zn + 2 Al + [ C 6 H 4 S] 10 114 646 2 Zn + 2 Al + PPS 4 2 Zn + 2 Al + [C 22 H 10 O 5 N 2 ] 2 82 478 2 Zn + 2 Al + PI 5 3 Zn +1 Al + [C 3 H 6 ] 10 94 343 3 Zn + 1 Al + PP 6 3 Zn + 1 Al + [ C 10 H 8 O 4 ] 5 114 603 3 Zn + 1 Al + PET 7 3 Zn + 1 Al + [ C 6 H 4 S] 10 114 663 3 Zn + 1 Al + PPS 8 3 Zn + 1 Al + [C 22 H 10 O 5 N 2 ] 2 82 495 3 Zn + 1 Al + PI
解锁大脑的锌代码
Zn 2+跨神经元膜的转运依赖于两类的过渡金属转运蛋白：ZNT（SLC30）和ZIP（SLC39）家族。这些蛋白质的功能分别降低和增加胞质Zn 2+水平。Znt和Zip转运蛋白的功能障碍会改变细胞内Zn 2+水平，从而产生有害影响。 在神经元中，Zn 2+水平的失衡已被视为阿尔茨海默氏病和神经退行性等疾病的危险因素，强调了Zn 2+稳态在神经病理学中的关键作用。 此外，Zn 2+调节质膜蛋白的功能，包括离子通道和受体。 Zn 2+水平的变化，在质膜的两侧，深远影响了控制细胞发育，分化和存活的信号通路。 本综述集中在神经元Zn 2+稳态的最新发展上，包括Zn 2+ dyshomeostasis在神经系统疾病中的影响，治疗方法以及Zn 2+作为大脑中神经递质的越来越认识的作用。Znt和Zip转运蛋白的功能障碍会改变细胞内Zn 2+水平，从而产生有害影响。在神经元中，Zn 2+水平的失衡已被视为阿尔茨海默氏病和神经退行性等疾病的危险因素，强调了Zn 2+稳态在神经病理学中的关键作用。此外，Zn 2+调节质膜蛋白的功能，包括离子通道和受体。Zn 2+水平的变化，在质膜的两侧，深远影响了控制细胞发育，分化和存活的信号通路。本综述集中在神经元Zn 2+稳态的最新发展上，包括Zn 2+ dyshomeostasis在神经系统疾病中的影响，治疗方法以及Zn 2+作为大脑中神经递质的越来越认识的作用。