从2024年4月开始全日制演讲,于7月底或2024年9月开始:光电和喷墨印刷机构:巴塞罗那大学城市:巴塞罗那,国家 /地区:西班牙大师论文的标题:Inkjet印刷矩阵的LED和图像传感器,带有Perovskite材料的Sergs和Coarr sergior and coarr theisor and corergi: Hernández Email address: blas.garrido@ub.edu Phone number: +34 93 4039151 Mail address: Department of Electronic and Biomedical Engineering, Martí I Franquès 1, 08028 Barcelona Keywords: inkjet printing, LEDs, photodiodes, image sensors, perovskites, optoelectronics Summary of the subject (maximum 1 page):光电设备(LED,光电视,激光,太阳能电池,显示器,传感器)变得像电子电路或芯片本身一样必不可少。根据经济数据分析网站的优先研究(https://www.precedencerearkearch.com/),全球光电电子市场在2022年的价值为65.4亿美元,在2023年达到73.6亿美元,估计达到2032年,估计为212亿美元,并在2032年达到212亿美元,并占203美元的年度增长率(CAGR)(CAGR)(CAGR)(cagr)(cagr)占2.4次(C)。 2032。在制造光电设备和光子集成设备(图片)中,有许多技术平台和材料,包括化合物半导体III-V(例如GAAS,INP,INP,GAN)及其三元和Quaternary合金,氧化物,金属氧化物(Zno,SNO 2,ii-ii-vi or canse and Chalcogenides)(ZNS,ZNS,ZNS,ZNS,CONTED)半导体。因此,图片是在半导体铸造厂制造的,其中大多数位于欧洲以外,尤其是在远东地区。我们提出所有这些设备和技术都需要在高温下运行,使用有毒气体和化学物质的复杂沉积设备,并依靠大型光刻技术来定义电路。但是,最好使用替代或互补的半导体材料以及更易于访问和具有成本效益的技术。钙钛矿卤化物是在解决方案中处理的,不需要大量资源使用。它们是在室温下在解决方案中处理的材料,不需要大量的能源来生产,不需要有害的气体或化学物质,并且是丰富的材料。因此,他们的生产不取决于主流微电子和光子学技术的复杂供应链。由于所有这些原因,它们有助于可持续性,并且比传统半导体具有更小的环境影响和碳足迹。
和压力,并在每次前体暴露之间进行吹扫循环。[3] 需要彻底了解以选择前体、基材和发生自饱和沉积的温度窗口。之前已全面介绍了 ALD 类型和前体化学,重点是金属硫化物及其应用。[4] 本综述重点介绍 ALD 生产的薄膜中的界面相互作用。术语“界面”是指两相之间的边界——前一层结束和下一层开始的分离边界。理想情况下,这两层在化学上不具有相互作用,界面充当向下一种材料的突然转换。然而,在实践中,接触区域中的物理、化学和电子相互作用是不可避免的。这些相互作用引起的各种现象为与界面相关的研究开辟了新的途径。例如,最明显的相互作用可能是涉及晶格的相互作用。Short 等人。 [5] 报告称,他们在沉积 ZnS 和 Cu x S 多层薄膜的过程中发现,薄膜的结构取决于最先沉积的材料:Cu 2 S 主要呈现单斜结构,而 CuS 和 ZnS 则呈现六方取向。[6]
抽象的放射发光核电电池是核电池中间接转换的重要代表性类型。已详细研究了此类电池的设计,制造和性能优化。包括荧光层材料参数,荧光层结构设计,放射发光光谱调节以及放射性发光发射强度增强的特定研究内容。在β颗粒和X射线激发下测试了具有不同荧光层的核电池的电特性。随着荧光层的质量厚度增加,电性能参数首先增加然后减小,并且具有最佳的质量厚度。通过胶带粘附方法制备具有不同结构几何参数的CU磷光层。当磷光层的厚度接近放射性颗粒范围时,可以实现良好的输出性能。此外,还引入了纳米荧光材料的效果机制,以提高电池性能。CSPBBR 3钙钛矿量子点薄膜材料及其在放射发光核电池中的应用。CSPBBR 3可以有效地增强光谱响应耦合度,并大大提高电池的输出功率。此外,制备了使用CDSE/ZnS核心壳量子点与Au纳米颗粒相结合的新型放射发光材料。结果表明,纳米耦合系统确实可以改善发光发射强度和电池输出性能。这项研究工作可以为未来的空间电池技术提供新的方向。
硫化物,Sudhir S. Arbuj、SR Bhalerao、GG Umarji、SB Rane、UP Mulik、DP Amalnerkar,第二届先进纳米材料和纳米技术国际会议(ICANN2011),印度理工学院古瓦哈提分校,2011 年 12 月 8-10 日。3. 用于传感器应用的多用途 NiCo 2 O 4 纳米复合材料的合成,Swapna Sadekar、Manish Shinde、Nilam Qureshi、Govind Umarji、Sunit Rane、Lalita Rane 和 Uttam Mulik,拉曼纪念会议 (2012),浦那大学,2012 年 3 月 3-5 日。4. 微波辅助“绿色”合成 ZnS:Cu 纳米粒子用于探索光
离子之间的吸引力称为离子键。这些晶体是在电子吸引力差异很大的成分之间形成的,以便将电子从一个成分完全转移到另一个成分。离子之间的吸引力纯属静电力。离子固体的例子有:NaCl、CsCl 和 ZnS。由于这些离子被固定在固定位置,因此离子固体在固态下不导电。它们在熔融状态下导电。离子固体中的吸引力非常强,因此它们具有高熔点,并且只有沿某些方向施加力时才会分裂。所有离子固体都硬而脆。可以观察到,离子层的移动使具有相同电荷的离子彼此靠近,这会引起强烈的排斥力,从而导致晶体破裂。
已经证明,锂,钠,钠和钾离子在水溶液中,可以使S电极的动力学和完整电池的性能受益。10,17个流量电池(FBS)将满足上述要求。18 FBS最具吸引力的特征是设计灵活性,使功率和能量的设计灵活性克服了水溶液电池(AZSBS)的低排放高原问题。Zn-S夫妇已经在实心悬架流量电池中进行了测试,并且仅显示潜在电流响应,没有骑自行车的性能。19 Zn,S和Zn的固体到固相变的缓慢固体转移反应阻碍了骑自行车的性能。使用阳离子交换膜可以使Zn – S系统可充电,避免同时避免使用Zn-S系统,像多硫化物 - 碘,20多硫化物 - 二酰胺,21多硫化物 - 锰酸22和S-Manganese 23 FBS一样。 尽管已广泛开发了Zn-S电池,基于Zn的FBS,但尚未探索Zn – S流动系统。 24在本文中,我们首次演示了碱性Zn -s Flow Battery(AZSFB)。 溶解在碱性溶液中的活性材料,在5 mA cm 2时使排放高度为0.5 V。 同时,通过两步过程制备了无粘合镍的电极,以改善S氧化还原反应的动力学。 所制备的电极由微纳米化缺陷和镍氧化物颗粒组成,在半细胞测试和FBS中,S氧化还原反应的极化大大降低了。像多硫化物 - 碘,20多硫化物 - 二酰胺,21多硫化物 - 锰酸22和S-Manganese 23 FBS一样。尽管已广泛开发了Zn-S电池,基于Zn的FBS,但尚未探索Zn – S流动系统。24在本文中,我们首次演示了碱性Zn -s Flow Battery(AZSFB)。溶解在碱性溶液中的活性材料,在5 mA cm 2时使排放高度为0.5 V。同时,通过两步过程制备了无粘合镍的电极,以改善S氧化还原反应的动力学。所制备的电极由微纳米化缺陷和镍氧化物颗粒组成,在半细胞测试和FBS中,S氧化还原反应的极化大大降低了。因此,使用该正电极的AZSFB的电压效率(VE)达到了10 mA CM 2时的78%,几乎是使用epristineGrapheenefelt(GF)Electerode.withlowCostandHigh理论能力的两倍,该AZSFB具有巨大的进一步研究潜力。在构造新系统FB之前,进行了环状伏安法(CV),以测试Active
关键矿物质和金属的主要沉积物(例如铜,钴,铅和锌)通常发生在碳酸盐沉积物内的断层,断裂或其他高孔隙区域的直接附近。这种矿化可以在这些碳酸盐托管的渗透性网络中混合到现有的液体中,使断层,断裂或高孔隙率区域的形成日期。所得的液体混合以及与周围碳酸盐岩的相关化学交换在系统内部产生不平衡,从而诱导矿化。流体岩石相互作用实验表明,随着流体中的CA含量的增加,随着它溶解在周围的碳酸盐中,它可以作为Zn-PB矿物沉淀的催化剂[1],并在与H 2 s含H 2 s碳含量时产生与Spherite(Zns)降水有关的缓冲效果。这些发现与研究H 2 S-地形系统中的合并腐蚀和尺度的实验中的爆发岩沉淀之间的联系是一致的[2]。数值建模显示出对碳酸盐中的baryte形成的相似作用[3]。
不幸的是,闪存存储具有明显的物理限制。擦除块中的闪存单元只能在块完全删除后重写。闪光单元在每个写入和校准周期中都磨损,最终失去了可靠存储数据的能力,从而限制了细胞耐力。在传统的SSD中,闪存单元格及其特点隐藏在传统块界面后面。该接口是通过SSD上的复杂固件(Flash Translation Layer(FTL)(§2)实现的。块间面暴露于主机一个平坦的地址空间,可以在页面粒度(通常为4 kb)上写下,类似于HDD。该接口对应用程序开发人员熟悉,并得到主要操作系统的支持。但是,由于闪光灯细胞不能被覆盖,必须在擦除块粒度(通常几个兆字节)上擦除,随机写入迫使FTL实现垃圾收集以从对数字地址空间中被覆盖的旧数据中收回空间。垃圾收集在擦除擦除块之前将有效数据转发为过度配置(备用)闪存空间。这会导致写入,其中一旦在闪光灯上进行了多次写入逻辑地址空间的字节。通过使用多余的写入和射击循环来写扩增寿命。将数据放在一起将在同一时间左右无效的数据是避免写入放大的关键。重大的研究工作已朝着管理常规SSD块接口的不良影响方面。不幸的是,FTL无法访问此类数据放置所需的应用程序级信息,并且应用程序对FTL如何在设备上安排数据的控制有限。这在管理垃圾收集和其他FTL任务引起的绩效降低和不可预测性方面进行了很多工作[19,29,55,56]。先前的工作具有反向工程的FTL,以找到与FTL内部操作最有效的访问模式[20,62]。系统也经常会闪光灯写作以延长其闪光设备的寿命,因为它们的工作负载会导致高写放大[6,16,25]。本文认为,系统社区应停止今天研究常规SSD。我们的努力应该转移到分区名称空间(ZNS)SSD [52]。Zns是一个新的SSD接口,在
摘要 摩擦发光 (TL) 是一种由冲击、应力、断裂或施加的机械力引起的发光现象。这种现象可用于检测、评估和预测复合材料的机械故障。在本报告中,我们利用锰掺杂的硫化锌 (ZnS: Mn) 和聚苯乙烯 (PS) 复合材料通过增材制造技术制造了 TL 功能部件。利用扫描电子显微镜和微型 CT 扫描研究了聚合物基质内颗粒的形貌。采用差示扫描量热法 (DSC) 和热重分析 (TGA) 等热分析技术来评估复合材料的热转变和降解。通过三点弯曲试验评估打印样品的机械发光性能,并观察其取决于可用于在不同机械载荷下实现强光信号的加工条件。聚合物复合材料的制造和加工减小了颗粒尺寸,增强了颗粒分散性,并改变了聚合物的机械性能,有助于将 3D 打印部件中的机械发光响应提高 10 倍。3D 打印发光复合材料的独特机械发光特性在结构监测应用方面具有巨大潜力。