XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemZnSe
硒化锌 (ZnSe) 和碲化锌 (ZnTe) 的长度依赖性热导率 - 结合第一性原理和频域热反射
完整作者名单： Muthaiah, Rajmohan；俄克拉荷马大学，航空航天与机械工程学院 Annam, Roshan Sameer；俄克拉荷马大学，航空航天与机械工程学院 Tarannum, Fatema；俄克拉荷马大学，航空航天与机械工程学院 Gupta, Ashish；俄克拉荷马州立大学 Garg, Jivtesh；俄克拉荷马大学，航空航天与机械工程学院 Arafin, Shamsul；俄亥俄州立大学，电气与计算机工程学院
聚合物中的双光子吸收和受激发射...
通过材料厚度非线性传输和 Z 扫描技术，研究了用 775 nm、1 kHz 飞秒激光脉冲激发的多晶硒化锌 (ZnSe) 的光学非线性。测得的双光子吸收系数 β 与强度有关，推断 ZnSe 在高强度激发下也与反向饱和吸收 (RSA) 有关。在低峰值强度 I < 5 GW cm –2 时，我们发现 775 nm 处的 β = 3.5 cm GW –1。研究了宽蓝色双光子诱导荧光 (460 nm-500 nm) 的光谱特性，在带边附近表现出自吸收，而上能级寿命测得为 τ e ~ 3.3 ns。在光学腔内泵浦 0.5 毫米厚的多晶 ZnSe 样品时观察到受激辐射，峰值波长 λ p = 475 nm 时，谱线明显变窄，从 Δ λ = 11 nm（腔阻塞）到 Δ λ = 2.8 nm，同时上能级寿命也缩短。这些结果表明，在更优化的泵浦条件和晶体冷却下，多晶 ZnSe 可能通过 λ = 775 nm 的双光子泵浦达到激光阈值。
表面的电荷注入和能量转移...
摘要：表面钝化是防止表面氧化和改善纳米晶体量子点 (QD) 发射性能的关键方面。最近的研究表明，表面配体在确定基于 QD 的发光二极管 (QD-LED) 的性能方面起着关键作用。本文研究了 InP/ZnSe/ZnS QD 的封端配体影响 QD-LED 亮度和寿命的潜在机制。电化学结果表明，高发光 InP/ZnSe/ZnS QD 表现出取决于表面配体链长度的调制电荷注入：配体上的短烷基链有利于电荷向 QD 传输。此外，光谱和 XRD 分析之间的相关性表明，配体链的长度可调节配体-配体耦合强度，从而控制 QD 间能量传递动力学。本研究的结果为表面配体在 InP/ZnSe/ZnS QD-LED 应用中的关键作用提供了新的见解。
有效的基于纳米线的单光子发射器的增长...
一般范围：单光子源是量子通信和计算框架中的关键组成部分。特别是，它们是由量子物理定律本质上保护的秘密解密密钥所必需的。我们的小组开发了嵌入在自下而上的核心壳ZnSE纳米线（NWS）中的CDSE量子点（QD）的生长和光学研究，所有这些都由分子束外延（MBE）生长。我们已经表明，这些QD能够发射到室温至室温的单个光子。此外，它们在蓝绿色光谱范围内的排放尤其适合自由空间和水下通信。主题：主实习旨在控制这些CDSE/ZNSE NW-QD的增长，以提高其作为单光子发射器的效率。这意味着：（i）优化核壳型纳米线异质结构的生长，以增强发射量子产率，（ii）获得对QD形状和纯度的控制以允许纠缠光子的发射。实习结合了MBE的生长，结构表征（扫描电子显微镜）以及光学表征。它提供了探索广泛的基本物理现象（增长机制，光学特性等）在纳米尺度上，同时为量子通信和量子信息处理领域必不可少的设备的开发做出了贡献。环境与合作：我们的小组“纳米物理学和半导体”是一个联合CEA/CNRS团队，实习生将与我们小组的CEA-IRIG和CNRS-NEEL的研究人员进行紧密互动。必需的技能：纳米科学，材料科学，半导体物理学，对实验和合作工作感兴趣。开始日期：2024年2月或2024年3月：4-5个月实验室：CEA-GRENOBLE/PHELIQS/NPSC：www.pheliqs.fr/pages/npsc/presentation.aspx Contact.aspx联系人：通过电子邮件发送您的申请（包括CV）至：
光电子研究所
• • “波普拉德”自行防空武器 • • ZSU-23-4MO“比亚瓦”防空火炮和导弹系统 • • 小型武器的热武器瞄准器 • • 生物武器检测系统 • • THz 范围内危险材料光谱特性系统 • • 防火和抑制爆炸的光电系统 • • 用于检查夜视设备的通用测试装置 • • 双色散射激光雷达 • • 用于水下物体检测的散射激光雷达 • • 荧光激光雷达 • • 高峰值功率 Er:YAG、Tm:YLF、Cr:ZnSe、Ho:YAG、Ho:YLF、Tm 光纤激光器 • • 高峰值功率、人眼安全的 Er 光纤激光发射器 • • 中红外超连续光纤激光源 • • 用于痕量气体检测的光电 CEAS 系统 • • 激光车辆测速系统 • • 基于距离选通成像系统的激光摄影系统
多孔二氧化钒薄膜薄膜的Fabry－perot腔...
摘要：使用Vo 2在智能窗口中进行辐射冷却 - 一种动态的热管理材料，由于其太阳能和发射率可调性，因此具有增强建筑物节省能源的潜在兴趣。然而，目前缺乏与多层系统中VO 2薄片微结构对发射率调节的影响有关的研究。本研究通过操纵VO 2薄膜中的孔隙率来处理VO 2/Znse/iTo/glass Fabry- perot（F – P）型腔系统的热色素和发射率性能。该设备是通过商业上可行的物理蒸气沉积方法（例如溅射和热蒸发）制造的，最适合批量生产。用多孔VO 2的优化样品提供了增强的长波红外（LWIR）发射率≥0.4≥0.4≥0.4，与密集的VO 2相比，保持高可见透明度T LUM（AVG）约为41％。进行有限的差异时间域（FDTD）模拟，以进一步了解效果
纳米级
统一。7-11尽管Cd基量子点具有吸引人的特性，但由于重金属固有的毒性，其应用受到很大限制。因此，人们做出了巨大的努力来发现有效的无重金属替代品合成策略，如基于InP、ZnTe和ZnSe的纳米晶体。6,12虽然过去十年来这些无重金属组合物的光学性质有了显着改善，但由于用于合成设计和优化的基于反复试验的方法，阻碍其发现和优化的主要瓶颈仍然存在。这种反复试验的方法阻碍了整个发现过程，包括识别目标材料和随后开发合成途径以实现最佳光学特性。用于合成胶体量子点的传统烧瓶式间歇反应器平台通常需要进行大量实验来探索巨大的反应空间，然后才能接受或放弃合成配方。虽然对成核生长过程的热力学和动力学理解可以提供有用的见解，但它们通常非常复杂且理解不足，无法为优化半导体纳米晶体合成参数提供可靠的框架。作为
NMU教职员工研究目录
我研究了半导体中分离的氢，除了开发新的实验技术以做到这一点。活动/项目包括：“ Beo中的Muonium State的微波研究”，“ GAAS负电荷的Muonium上的光电子化光谱”； “通过光激发哑光自旋光谱探测的ZnSE中的受体氢状态”； “中性和磁磁性muonium作为β-GA2O3中分离氢的类似物”； “研究金红石，解剖酶和布鲁克特二氧化钛的MU/H样状态”； “探测磁性，金属到半导体过渡的金属以及H中H中H的性质”； “研究透明导电氧化物中的氢动力学和稳定性”； “氢杂质在CIGS和CZTS化合物中的作用和行为（下一代太阳能电池材料）”； “描述锡氏合金中H杂质的早期历史”； “开发激发态（MUSES）技术用于半导体的MUON光谱”； “研究MU（类似于H的）国家，包括停止位点，动力学以及碳化硅中的供体和受体水平”；“ GE中的Muonium-Photocarrier相互作用”； GAAS中的“ Muonium-photoionization和Muonium-Photocarrier相互作用”； “旋转北极星候选材料的调查”
用于红色胶体量子点发光二极管的双功能电子传输剂
摘要：磷化铟 (InP) 量子点使不含重金属、发射线宽窄且物理上可弯曲的发光二极管 (LED) 成为可能。然而，高性能红色 InP/ZnSe/ZnS LED 中的电子传输层 (ETL) ZnO/ZnMgO 存在高缺陷密度，沉积在 InP 上时会猝灭发光，并且由于陷阱从 ETL 迁移到 InP 发光层而导致性能下降。我们推测，ZnS 外壳上 Zn 2+ 陷阱的形成，加上 ZnO/ZnMgO 和 InP 之间的硫和氧空位迁移，可能是造成这一问题的原因。因此，我们合成了一种双功能 ETL（CNT2T，3 ′，3 ′″，3 ′″″-(1,3,5-三嗪-2,4,6-三基)三(([1,1 ′-联苯]-3-腈))，旨在局部和原位钝化 Zn 2+ 陷阱并防止层间空位迁移：小分子 ETL 的主链包含三嗪吸电子单元以确保足够的电子迁移率（6 × 10 − 4 cm 2 V − 1 s − 1），具有多个氰基的星形结构可有效钝化 ZnS 表面。我们报告的红色 InP LED 具有 15% 的 EQE 和超过 12,000 cd m − 2 的亮度；这代表了基于有机 ETL 的红色 InP LED 中的记录。■ 简介