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scaps mose2太阳能电池的数值设计...
T. A. Chowdhury *，R.B。Arif，H。Israq，N。Sharmili，R。S. Shuvo电气与电子工程系，孟加拉国达卡Ahsanullah科学技术大学。太阳能电池电容模拟器（SCAPS-1D）已用于模拟，设计和分析Mose 2，这是一种有吸引力的过渡金属二甲藻元化物（TMDC）材料，基于基于的杂项结构太阳能电池，将其用作用于溶胶电池中常规吸收层的潜在替代方法。这项工作还着重于寻找最佳的吸收剂，缓冲层的厚度以及工作温度对太阳能电池性能的影响，并可能替代有毒的CDS缓冲层。已经获得了Mose 2吸收层的最佳厚度为1 µm，缓冲层约为0.04 µm。用基于CD的缓冲层太阳能电池获得的效率为20.21％。在不同的缓冲层中，例如在2 s 3，ZnO，Znos和Znse中，基于Mose 2的太阳能电池获得的最高效率为20.58％，ZnO缓冲层层为20.58％。基于ZnO缓冲液的太阳能电池的温度梯度为-0.355％/K，而基于CDS缓冲液的太阳能电池为-0.347％/k。这项工作的发现提供了重要的指导，以制造具有无毒ZnO作为潜在缓冲层的高效Mose 2薄膜太阳能电池。2023年11月29日收到；公认的2024年2月15日）关键字：Mose 2，Scaps-1d，太阳能电池，缓冲层，温度，效率
“ Photonics BCN”大师Erasmus Mundus“ ...
从2024年4月开始全日制演讲，于7月底或2024年9月开始：光电和喷墨印刷机构：巴塞罗那大学城市：巴塞罗那，国家 /地区：西班牙大师论文的标题：Inkjet印刷矩阵的LED和图像传感器，带有Perovskite材料的Sergs和Coarr sergior and coarr theisor and corergi： Hernández Email address: blas.garrido@ub.edu Phone number: +34 93 4039151 Mail address: Department of Electronic and Biomedical Engineering, Martí I Franquès 1, 08028 Barcelona Keywords: inkjet printing, LEDs, photodiodes, image sensors, perovskites, optoelectronics Summary of the subject (maximum 1 page):光电设备（LED，光电视，激光，太阳能电池，显示器，传感器）变得像电子电路或芯片本身一样必不可少。根据经济数据分析网站的优先研究（https://www.precedencerearkearch.com/），全球光电电子市场在2022年的价值为65.4亿美元，在2023年达到73.6亿美元，估计达到2032年，估计为212亿美元，并在2032年达到212亿美元，并占203美元的年度增长率（CAGR）（CAGR）（CAGR）（cagr）（cagr）占2.4次（C）。 2032。在制造光电设备和光子集成设备（图片）中，有许多技术平台和材料，包括化合物半导体III-V（例如GAAS，INP，INP，GAN）及其三元和Quaternary合金，氧化物，金属氧化物（Zno，SNO 2，ii-ii-vi or canse and Chalcogenides）（ZNS，ZNS，ZNS，ZNS，CONTED）半导体。因此，图片是在半导体铸造厂制造的，其中大多数位于欧洲以外，尤其是在远东地区。我们提出所有这些设备和技术都需要在高温下运行，使用有毒气体和化学物质的复杂沉积设备，并依靠大型光刻技术来定义电路。但是，最好使用替代或互补的半导体材料以及更易于访问和具有成本效益的技术。钙钛矿卤化物是在解决方案中处理的，不需要大量资源使用。它们是在室温下在解决方案中处理的材料，不需要大量的能源来生产，不需要有害的气体或化学物质，并且是丰富的材料。因此，他们的生产不取决于主流微电子和光子学技术的复杂供应链。由于所有这些原因，它们有助于可持续性，并且比传统半导体具有更小的环境影响和碳足迹。
特刊
半导体激光器的进度IEEE光子学期刊将发布一个专门针对半导体激光器进展的功能部分。本期的目的是收集在第2024 IEEE 29届国际半导体激光会议（ISLC）上发表的论文的扩展版本，并且还向未在ISLC 2024上提出的半导体激光器主题开放的原始手稿。对半导体激光器的研究是一个充满活力的领域，涵盖了广泛的主题：新材料，新结构，也基于量子效应，紧凑和功率缩放的集成技术，新的建模和设计方法。半导体激光器中的创新对于许多应用领域，例如经典和量子通信，量子级别的信息处理，计算，传感，环境监测，工业过程控制和生物 - 光子学至关重要。This Feature Section welcomes contribution on the latest developments in: semiconductor lasers, semiconductor optical amplifiers, and light emitting diodes, including: semiconductor lasers and amplifiers, surface emitting lasers (VCSELs, VECSELs, and PCSELs) and related devices, photonic band-gap and microcavity lasers, topological lasers, grating controlled lasers, multi-segment and ring lasers, quantum cascade, and interband cascade lasers, sub-wavelength scale nano-lasers, MWIR, LWIR, and THz sources, InP, GaAs and GaSb materials, quantum dot lasers, high power and high- brightness lasers, GaN and ZnSe based UV to visible LDs and LEDs, Light emitting diodes (LEDs) and微型领导，半导体激光器的应用和具有半导体激光器的光子整合电路。鼓励基本研究和与应用相关的贡献。提交从2024年10月7日开始，提交手稿的截止日期为2025年2月14日。应该在https://ieee.atyponrex.com/journal/pj-ieee上在线进行，其中符合IEEE Photonics Journal Standards的论文。所有提交将根据期刊的正常程序进行审查。请确保将纸类型标记为半导体激光器中的进度，而不是原始纸张和技术主题为＃06（焦点问题）。作者可以联系下面的任何人，以获取更多信息或网站https://www.photonicssociety.org/publications/photonics-journal/call-for-papers。客人编辑Mariangela Gioannini Politecnico Di Torino，意大利/主要客座编辑Erwin Bente Eindhoven教授，荷兰/访客编辑Matt Dummer Aeluma Inc. Martohiro Editor laver insimer Editor linc linc linc linc. Yvette Charles PJ编辑办公室IEEE/Photonics Society 445 Hoes Lane Piscataway，NJ 08854美国电话：732-981-3457电子邮件：y.charles@ieee.org
探索be1-XCRXSE合金用于Spintronics和...
H。Ambreen A，S。Saleem A，S。A. Aldaghfag B，M。Zahid C，S。Noreen C，M。Ishfaq A，M。Yaseen A，*一种自旋 - 呼吸链球化学和铁 - 毛线 - 毛发（软）材料和设备材料和设备实验室，物理学系，Budriculture of Fystricant of Fystricant byrive of Falthricant of Falthican bysalabad 3804040404004040404040404040年404040404040404040年。科学，努拉·宾特·阿卜杜勒拉赫曼公主，P。O。Box 84428，Riyadh 11671，沙特阿拉伯C化学系，农业大学Faisalabad，Faisalabad 38040，巴基斯坦在这项研究中，旋转极化密度功能理论（DFT）实施以预测BE 1-X CR x SE的物理特征，x se x se x se（x = 6.5％），12.5％，12.5％，12.5％。纯BESE化合物的电子特性显示出半导体的行为，但在Cr掺杂bese阐明了所有掺杂浓度的BESE半金属铁磁（HMF）。结果阐明了每CR -ATOM的总磁矩M TOT为4.0028、4.0027、4.0021和4.0002μb，分别为6.25％，12.5％，18.75％，25％的浓度，磁性浓度和磁性主要来自杂质的磁性旋转旋转密度的d- state。此外，还计算了光学参数，以确定掺杂对材料对能量跨度的响应的影响，从0到10 eV。光学研究表明，所研究的系统在紫外线范围内具有最大的吸光度和光导率，并具有最小的反射。总体结果表明，CR掺杂的硒化氏酵母（BESE）是用于旋转和光电设备的有前途的材料。在1983年，De Groot等人观察到了HMF行为。（收到2024年2月29日； 2024年4月29日接受）关键词：Spintronics，DFT，磁密度，光学参数1.从过去几十年来的引入中，对新兴的化合物组进行了密集的实验和理论工作，该化合物被认为是稀磁半导体（DMS）。DMS已在自旋产业和多功能电子设备（光电，气体传感器，现场发射设备，非挥发性存储器设备和紫外线吸收器）中使用[1-6]。DMS基于III – V和II – VI二元化合物，这是铁磁（FM）和半导体特性的组合。DMS是通过在宿主材料矩阵[7]中掺入过渡金属（TM）来实现的，该矩阵[7]由于电子特征的变化而改变了宿主系统的E G [8]，从而导致一半金属铁磁材料，导致金属和半导性行为，显示金属和半导向行为。是第一次研究半赫斯勒化合物的带结构，例如PTMNSB和NIMNSB [9]。在理论上和实验上都预测了几位研究人员，HMF在各种材料中的行为，例如钙钛矿化合物LA 0.7 SR 0.7 SR 0.3 MNO 3 [10]，Heusler Alloys Co 2 Mnsi [11] [11] v掺杂的MGSE/MGTE [15]，Bete [16]，Znse [17]和Znte [18]。