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AL2O3/ZRO2/SIO2/ZRO2/AL2O3 M
金属 - 绝缘子 - 金属（MIM）电容器对于集成电路（ICS）至关重要。它们可以通过多种方式使用，例如解耦和过滤。高电容密度，低泄漏电流和小二次电压系数（a）是MIM电容器良好电性能的信号。为了获得高电容密度，可以使用高介电常数（K）材料，例如TA 2 O 5，HFO 2，Al 2 O 3，TiO 2和ZRO 2 [1-4]。Zro 2薄膜被认为是这些高k材料中的强大候选者，可以替代传统的介电材料SIO 2和SI 3 N 4，因为它具有许多优势，例如，高击穿电场，高介电结构和较大的能隙宽度[4]。有人研究了单个ZRO 2电介质MIM电容器，并获得了高电容密度，但是泄漏电流和值很差[5]。在这里，我们介绍了Al 2 O 3和SiO 2层以改进上述两个参数，因为Al 2 O 3的较大带隙为8.8 eV，SIO 2的较大频带差距为负值，因此Al 2 O 3 /Zro 2 /Zro 2 /Zro 2 /Zro 2 /Zro 2 /Zro 2 /Al 2 O 3（Azsza）结构MIM Capicitors设计了。需要强调的是，AZSZA结构是在相同的原子层沉积（ALD）系统中制备的。这不仅降低了实验的复杂性和成本，还降低了污染和引入杂质的可能性。因此，这是一种在
定量评估portevin-le Chatelier对降水量的流动应力的影响，使ALMGSCZR合金
portevin-le Chatelier（PLC）效应通常在许多合金系统中发生，并导致流动应力变化。发生降水时，PLC的行为发生变化及其对流动应力的影响变得更加复杂，但尚未澄清。沉淀物和位错之间众所周知的相互作用机制是剪切（可剪切沉淀物）和绕过（不可切除的沉淀物）。这项研究系统地研究了三种情况下PLC效应对流动应力的影响，即，没有预屈，具有可剪切的沉淀物，并且具有不可剪切的沉淀物。这项研究是在ALMGZRSC合金上进行的，其中沉淀不会改变负责PLC的溶质物种的浓度。提出了考虑不同的脱位 - 屈光度相互作用的修改构型关系，这可以量化以上三种情况下PLC效应对流动应力的贡献。建模结果与在ALMG和ALMGSCZR合金上表现出PLC效应的实验的结果非常吻合。理论上证明了PLC诱导的加强可以占ALMG合金总流动应力的14.5％。当出现可剪切和不可剪切的沉淀物时，该百分比分别降至约4.5％和9.5％，表明沉淀会减弱PLC诱导的增强。可剪切的沉淀物可以缩短PLC的应变率范围，这比不可切除的沉淀物更有效地抑制PLC效应。最后，讨论了负责PLC诱导的强化和不同沉淀脱位相互作用的作用的内在机制。
通过光学和纳米图形光刻
摘要：氧化锆（ZRO 2）是一种良好且有前途的材料，由于其出色的化学和物理特性。在用于腐蚀保护层，磨损和氧化的涂料中，在光学应用（镜像，滤波器）中用于装饰组件，用于反伪造的解决方案和医疗应用。ZRO 2可以使用不同的沉积方法（例如物理蒸气沉积（PVD）或化学蒸气沉积（CVD））作为薄膜获得。这些技术是掌握的，但由于固有特性（高熔点，机械和耐化学性），它们不允许对这些涂层进行微纳米结构。本文描述的一种替代方法是Sol-Gel方法，该方法允许使用光学或纳米图形印刷术的无物理或化学蚀刻过程的ZRO 2层进行直接微纳米结构。在本文中，作者提出了一种完整且合适的ZRO 2 SOL-GEL方法，允许通过光学或纳米IMPRINT光刻来实现复杂的微纳米结构，以实现不同性质和形状的基材（尤其是非平面和箔材料的底物）。通过掩盖，胶体光刻和玻璃和塑料底物以及平面和弯曲的底物，通过掩盖，胶体光刻和纳米图光刻来呈现ZRO 2 Sol-Gel的合成以及微纳米结构过程。
表观遗传因子ZRF1调节中肠再生期间肠道干细胞的增殖
。cc-by 4.0国际许可（未经Peer Review尚未获得认证）是作者/资助者，他已授予Biorxiv的许可证，以永久显示预印本。它是制作
Hf0.5Zr0.5O2超薄膜中的无疲劳铁电性...
由于具有 CMOS 兼容性和可扩展性的特点，HfO 2 基铁电体是下一代存储器件的有希望的候选材料。然而，它们的商业化受到可靠性问题的极大阻碍，疲劳是一个主要障碍。我们报告了界面设计的 Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 基异质结构的无疲劳行为。构建了一个相干的 CeO 2- x /Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 异质界面，其中 CeO 2- x 充当“氧海绵”，能够可逆地接受和释放氧空位。这种设计有效地缓解了电极-铁电界面处的缺陷聚集，从而改善了开关特性。此外，设计了一种对称电容器架构来最大限度地减少印记，从而抑制了循环引起的定向缺陷漂移。这种双管齐下的技术可以减轻氧伏安法产生的化学/能量波动，抑制顺电相的形成和极化退化。该设计确保 Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 基电容器具有超过 10 11 次开关循环的无疲劳特性和超过 10 12 次循环的耐久寿命，以及出色的温度稳定性和保持性。这些发现为开发超稳定的氧化铪基铁电器件铺平了道路。
16O+92Zr反应的准弹性散射截面
如今，围绕库仑势垒对聚变反应和准弹性散射的研究引起了广泛关注。通过这类重离子碰撞可以研究核-核相互作用势和核结构性质 [ 1 ]。碰撞伙伴的核结构性质可显著影响亚势垒域中的聚变产额。聚变对中不同内在自由度的参与降低了参与者之间的聚变势垒，并导致与一维势垒穿透模型 (BPM) 的预测相比大得多的聚变结果。文献中已充分证实，聚变伙伴的相对运动和内在通道之间的耦合会导致单个聚变势垒分裂为不同高度和重量的势垒分布。这被称为聚变势垒分布，聚变势垒分布的形状对聚变过程中涉及的耦合类型非常敏感。聚变势垒分布的概念由 Rowley 等人 [2] 提出，可通过对 𝐸 𝑐.𝑚. 𝜎 𝑓 对质心能量取二阶导数获得。此外，大角度准弹性散射函数可以产生与聚变势垒分布非常相似的势垒分布，并且聚变势垒分布和准弹性势垒分布的形状基本相同。准弹性势垒分布可通过对 𝐸 𝑐.𝑚. 的准弹性散射截面取一阶导数获得。众所周知，聚变过程可以用穿透概率来解释，基于量子力学隧穿，而准弹性散射与反射概率有关。重离子准
烧结参数对ZrB2-TiO2致密化的影响...
本研究采用放电等离子烧结 (SPS) 工艺和 WC/HfB 2 改性剂烧结 ZrB 2 -SiC 超高温陶瓷复合材料，烧结温度分别为 1850、1900、2000 和 2050˚C，烧结时间分别为 8 和 25 分钟。在 SPS 过程中，还使用冲头位移-时间和温度-时间测量图检查了复合材料的致密化行为。还基于 XRD、EDS 和 FESEM 方法进行了相和微观结构评估。研究了 SPS 参数对 ZrB 2 -SiC 基复合材料致密化的影响。在这种情况下，由于硼化物粉末的可烧结性低，直到施加压力才会发生位移。在 2050˚C、30 MPa 下保温 25 分钟，获得相对密度为 90% 的 ZrB 2 -SiC 基复合材料。该样品的致密化曲线呈典型的“S”形。最佳吸水率和表观孔隙率分别为 1.3% 和 6.7%。样品的最小和最大冲压位移分别为 2.2 毫米和 3.6 毫米。使用 WC/HfB 2 改性剂导致 WB 和 HfB 副产品的形成。
通过粉末压制研究 Ti-Nb-Zr-Sn 合金的摩擦学和疲劳行为：高铌合金对骨组织相容性的新型性能
生物相容性材料是体内保存的天然或人造物质，用于将活细胞转变为功能器官。骨组织和生物相容性正成为再生骨的替代方法，因为它比自体移植和同种异体移植具有一些明显的优势。本研究旨在制造一种可用作骨替代品的新型多孔支架 Ti-Nb-Zr-Sn 合金。选择不同重量比的 Ti-Nb-Sn-Zr，并使用粉末冶金法合成。加入锆 (Zr) 以增强生物性能。Ti、Nb 与 Zr 和 Sn 元素因其与人体具有出色的生物相容性而被利用。通过增加Zr和Nb的重量比，Ti-35Nb-7Zr-4Sn合金具有1042至1603 MPa之间的高抗拉强度。此外，35％Nb/7％Zr与4％Sn复合材料表现出更高的硬度，这有利于在汽车应用中模拟骨组织和压铸配件。进行疲劳和磨损分析有助于我们了解Ti-Nb-Zr-Sn合金的行为。关键词：铌合金；生物相容性；力学性能；形态特征；骨科应用
开发一种新颖的吸附剂：RGO/FE3O4/ZRO2纳米复合材料用于Terasil黑色染料去除
在这项研究中，探索了由RGO，Fe 3 O 4和ZRO 2 NP组成的三元纳米复合材料的合成和表征。纳米复合材料可能有助于从水溶液中去除Terasil Black Dye，在这种情况下对纺织业非常重要。纳米复合材料是通过共沉淀法合成的，并与ZRO 2 NP进行了物理键合。X射线衍射（XRD），场发射扫描电子显微镜（FESEM）和能量分散X射线（EDX）分析用于揭示纳米复合材料的结构特性，表面形态和元素组成。从这些信号中，可以推断出存在一个无定形相，如各种晶格平面的强峰位置所示。FESEM图像显示出不规则的粒子形状，并注意到聚集。EDX分析已被用来确认存在成分元素的存在。Giles所说的吸附等温线显示了S形，这意味着染料离子垂直于纳米复合材料的表面。在这些放热吸附过程中，物理较高的体温占优势。此过程遵循Freundlich等温模型，表明在分析吸附数据后存在异质表面积。在此模型中，建议进行化学和物理吸附，随着温度范围的相对贡献的变化而发生。这些发现对RGO /FE 3 O 4 /ZRO 2纳米复合材料具有重要意义，以进行废水处理优化，因为它们阐明了这些材料上染料吸附的动力学和热力学。
re2zr：基于re
理解非常规的超导性是凝结物理学的关键重点，因为电子配对背后的机制仍未解决。材料的晶体结构显着影响其电子和超导特性。最近，由于其具有非常规超导地面状态的潜力[1-4]，因此沮丧的结构（例如Kagome Lattices）引起了很大的关注。kagome晶格材料表现出各种奇特的电子特征，包括平面带，狄拉克锥和非平凡的拓扑表面状态，这些表面既可以预测[5，6]和观察到[7，8]。正如最近发现的AV 3 SB 5化合物（其中A = K，CS，RB）[1，9，9，10]和Metallic“ 132” rt 3 x 2 parres there there there there there there there there rt 3 x 2 prarge the， kagome系统中平坦带的电子相关性和固有特性在超导性的出现中起着至关重要的作用。金属和X是B，GA或SI）[11-13]。 值得注意的是，在AV 3 SB 5系统中，超导性伴随着翻译，旋转和时间逆转对称性的破坏[8，14]。kagome系统中平坦带的电子相关性和固有特性在超导性的出现中起着至关重要的作用。金属和X是B，GA或SI）[11-13]。值得注意的是，在AV 3 SB 5系统中，超导性伴随着翻译，旋转和时间逆转对称性的破坏[8，14]。