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针对人工智能专业人员的建议证据标准......
1 2010 年 11 月 4 日美国移民律师协会 (AILA) 联络 - 内布拉斯加服务中心联络会议的会议记录中概述 (AILA InfoNet Doc.No.10121562)。2 美国国土安全部，美国公民及移民服务局，PM-602-0005.1，对以某些形式提交的 I-140 请愿书的证据进行评估；法官实地手册 (AFM) 第 22.2 章修订，AFM 更新 AD11-14 (2010)，https://www.uscis.gov/sites/default/files/document/memos/i-140-evidence-pm-6002-005-1.pdf。3 与下面列出的标准（其他 EB-1A 标准；EB-2“杰出能力”；以及具有国家利益豁免的 EB-2）相反，这些标准本身可以通过风险投资或天使投资资金来满足，要满足此要求，投资必须具有很高的水平，并且很难获得，以至于它们可与获得诺贝尔奖等国际认可的奖项相媲美。
支持信息Ingan量子点...
图S1呈现0.7×0.7 µm 2原子力显微镜（AFM）的扫描，最高未盖的Ingan量子点（QDS）层。使用以TESPA-V2尖端在敲击模式下操作的Bruker AFM进行测量。让我们提醒我们，在最后一个INGAN QD层沉积后突然停止了生长，并且底物温度迅速降低以保留表面。从图像中，QD密度为5×10 11cm2，QD高度（润湿层以上）为0.9±0.2 nm。通过测量图S1中大约15个识别的QD的峰到峰高谱的测量来提取此值及其误差线，并通过样品另一个区域的第二个图像中的类似分析进行了验证。测量是从高度曲线中手动提取的。
纳米显微镜领域的领先创新者......
Park Systems Corporation 是纳米级显微镜和计量解决方案制造领域的行业领导者。其全面的产品系列包括原子力显微镜 (AFM)、白光干涉仪 (WLI)、纳米红外光谱 (NanoIR) 和成像光谱椭圆偏振仪 (ISE) 系统。公司对卓越的承诺促成了多项突破性创新的开发，包括真正的非接触式成像、3D 计量和全自动 AFM 系统，这些创新能够满足研究和工业需求。Park Systems 产品在科学研究、纳米工程、半导体制造和质量保证领域具有广泛的应用潜力。公司持续的奉献精神使 Park Systems 成为领先半导体公司、知名科研大学和国家实验室最青睐的纳米计量产品供应商。
评论 - 国家物理实验室
测量纳米级表面力的难点在于，要知道悬臂尖端在给定偏转下对样品的压力有多大。这需要知道悬臂的弹簧常数——它在力的作用下弯曲的程度。NPL 的解决方案是使用参考弹簧，可以将 AFM 的悬臂与它进行比较。直径为十分之一毫米的电容器具有下部固定板和上部板，上部板的作用类似于承载小重量的小弹簧。施加到其中一个板上的电流会导致这对板相对于固定板上下移动。通过测量板之间的泄漏电流并使用光学干涉仪监测位移，可以计算出弹簧常数，而无需了解电容器几何形状的细节。这将使 NPL 能够开发一项新服务，在泰丁顿提供光学校准，并使该技术在场外可用于校准 AFM 悬臂。
DA 20/100 - 钻石飞机
修订重点 AFM 第 6 版中的技术材料变更如下所述，并在文本页面中通过变更旁边边缘的修订栏指示。手册所有页面的页脚都已更改，以保持一致和正确。这不会显示在修订重点页面中。
用$ D $ - 波磁化的超导体中的磁电效应
简介。在非中心对称超导体[1]中的磁性电源最近引起了极大的关注，尤其是在其在非核心超导反应中的实验应用中[2]，例如，如最近的综述[3-6]。特别是，Edelstein磁电效应是由应用超电流引起的自旋极化的产生，而其反场景是二极管效应，即，在两个相反的方向上，临界电流是不同的，在存在外部磁性的情况下会产生的两个相反的方向。这些现象的根本原因之一是违反了由旋转轨道相互作用或不均匀的磁性交换场引起的空间反演象征，该磁性磁性交换场是对能量依赖的动量旋转分裂的作用[7-9]，所有这些[7-9]都引起了电子旋转旋转极化之间的耦合和电荷之间的耦合[7]。在本文中，我们考虑了一个具有d-波对称性的共线抗磁性（AFM）订购参数的中心对称金属[11-14]。这种AFM阶诱导了传导费米子的费米表面的特定D波动量依赖性旋转分裂[7-9]。最近在参考文献中审查了各向异性磁顺序的扩展对称分类。[15 - 17]。显示此功能的代表性材料包括，例如，类型AFMS：金属RUO 2，Mn 5 Si 3，VNB 3 S 6，半导体MNTE等[15-20]。此外，最近在thinfms ruo 2中观察到了应变稳定的超导性，tc≈1。[31]。8 K取决于纤维厚度[21-23]。受到最近的实验进展的促进，对超导性的D-波AFM交换耦合的理论研究成为了一个密集的研究领域，包括对Andreev反射的研究和Josephson Current [24-28]，在D -Wave Superconcontos in D -Wave Superconcontos ft d -Wave af -Wave afm [29]中的无综合状态[29]，或者是30岁的MAD [29]，或者有关最近的精彩文章，请参见参考文献。在这种情况下，超导性和磁性的问题自然出现。清楚地，在肌脱肌对称超导体中，与极性超导体中的Edelstein效应相反，诱导的载体的自旋极化与超循环的均匀功能成正比，并表现出D -Wave对称性。
支持信息：
图S2。 原子力显微镜（AFM）图像分析了新的化学去角质MOS 2。 （a）Si底物表面上自旋涂层SL-MOS 2的AFM图像和（b）垂直于C轴的2-H MOS 2结构的模型，100片薄片在0.6-0.7nm之间扫描。 此SL-MOS 2纳米片的横向尺寸约为20-40 nm。 （c）可以看出，单个层的台阶高度为0.6-0.7 nm，可与Ca相当。 单层S-MO-S构建块的0.65 nm。 对锂去角质方法产生的100片片的统计分析表明，有56％的薄片为单层，其中两层中有28％，三层中的13％等等。 平均地形高度约为1.04 nm，与SL-MOS 2的典型高度相符，并且存在水分子（在0.6至1.0 nm之间）[9]。图S2。原子力显微镜（AFM）图像分析了新的化学去角质MOS 2。（a）Si底物表面上自旋涂层SL-MOS 2的AFM图像和（b）垂直于C轴的2-H MOS 2结构的模型，100片薄片在0.6-0.7nm之间扫描。此SL-MOS 2纳米片的横向尺寸约为20-40 nm。（c）可以看出，单个层的台阶高度为0.6-0.7 nm，可与Ca相当。单层S-MO-S构建块的0.65 nm。 对锂去角质方法产生的100片片的统计分析表明，有56％的薄片为单层，其中两层中有28％，三层中的13％等等。 平均地形高度约为1.04 nm，与SL-MOS 2的典型高度相符，并且存在水分子（在0.6至1.0 nm之间）[9]。单层S-MO-S构建块的0.65 nm。对锂去角质方法产生的100片片的统计分析表明，有56％的薄片为单层，其中两层中有28％，三层中的13％等等。平均地形高度约为1.04 nm，与SL-MOS 2的典型高度相符，并且存在水分子（在0.6至1.0 nm之间）[9]。
fu-acsnano-cr5te8-2024.pdf - 普渡大学物理学
摘要：二维（2D）磁体作为2D材料家族的重要成员，已成为自旋电子器件的一个有前途的平台。在此，我们报道了在惰性云母基底上化学气相沉积（CVD）生长高度结晶的亚毫米级自插金属2D铁磁（FM）三角碲化铬（Cr 5 Te 8）薄片。通过磁光和磁输运测量，我们揭示了这些2D薄片的特殊磁性能。三角Cr 5 Te 8薄片表现出强的各向异性FM序，居里温度高于220K。值得注意的是，在居里温度附近超薄Cr 5 Te 8薄片的MOKE信号中观察到一种新兴的反铁磁（AFM）状态。AFM状态具有相对较弱的层间交换耦合，允许通过调节温度在层间AFM和FM状态之间切换。同时，三角 Cr 5 Te 8 薄片表现出巨大的反常霍尔效应 (AHE)，其反常霍尔电导率为 710 Ω − 1 cm − 1，零磁场下的反常霍尔角为 3.5%，超过了典型的流动铁磁体。进一步分析表明，三角 Cr 5 Te 8 中的 AHE 主要由斜散射机制驱动，而不是本征或外在的侧跳机制。这些发现证明了 CVD 生长的超薄 Cr 5 Te 8 薄片作为一种有前途的二维磁性材料的潜力，它具有出色的 AHE 特性，可用于未来的自旋电子应用。关键词：二维磁体、化学气相沉积、共存铁磁−反铁磁态、巨反常霍尔效应、碲化铬
紫外线反射多孔纳米级周期孔阵列...
图1。（a）4H-SIC纳米级周期孔阵列的制造过程插图。SEM图像显示了孔阵列的顶视图和横截面视图。（b和c）分别由AFM采集的孔阵列的表面地形图3D图像和横截面线轮廓。
膜蛋白质 - 含量的定量，时间分辨测量
图。5：用酪蛋白钝化的悬臂背面的AFM图像在0.5pm T5溶液的溶液中孵育1.5h（箭头标记T5噬菌体或可能的酪蛋白聚集体）请注意，这里的条件与手稿中呈现的原位实验不同。