生理学中的骨稳态取决于骨形成和吸收之间的平衡,在病理学中,这种体内平衡易受不同影响的破坏,尤其是在衰老状态下。肠道菌群已被认为是调节宿主健康的关键因素。许多研究表明,肠道菌群与骨骼代谢之间通过宿主微生物群串扰存在显着关联,而肠道微生物群甚至是骨代谢相关疾病的发病机理的重要因素。本评论探讨了肠道菌群与骨代谢之间的相互作用,重点是肠道微生物群在骨老化和与衰老相关的骨骼疾病中的作用,包括骨质疏松症,脆性骨折修复,骨关节炎以及脊柱变性。总结了内分泌系统,免疫系统和肠道微生物群代谢产物在衰老过程中对骨代谢的影响,从而促进了更好地掌握与衰老相关的骨骼代谢疾病的发病机理。本评论提供了针对肠道菌群的创新见解,以将与骨老化有关的疾病作为一种临床治疗策略。
如果您知道做事G对您有害,为什么您还是会愿意地做到这一点?我经常在手机上的另一个厄运滚动课程中间进行时,经常问自己。2月,我每天在M Y电话上平均四个小时28分钟。那大约是我醒来的四分之一。无情的滚动使我不仅脖子僵硬,而且又干燥,疲倦的眼睛。我在平均盯着电脑O o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o的持续时间和周末看电视的时间相同。您会认为我会通过缩短n个屏幕时间来帮助我的愿景,但是,在这里,我仍在滚动。像大多数人一样,我害怕随着年龄的增长而失去视力,尤其是因为我的视力一直很差。我在小学上发展了近视,并且被称为高毛,在-7.00乔布斯山脉(或我们以前说的700度)左右短。我43岁时接受了Lasik手术,以纠正我的视力。我仍然记得当我可以在遥远的树上弄出叶子,看到鸟儿坐在遥远的屋顶上时,我感到敬畏,欣慰和幸福。我选择了Monovision lasik,在那里我的左眼得到了远距离视觉的纠正(我可以看到),右眼被校正不足(某些近视保留)。这种组合使我发挥作用,而无需远处或靠近眼镜。在过去的几年中,我的遥远和近视都在恶化。我的眼科医生说,两只眼睛上都有白内障的开始。就我而言,它是由于闪光灯的浮动器和弧的增加而预示了它。当我50多岁的时候,我的玻璃体后脱离(PVD)首先在右眼,然后是左眼。PVD是一种与年龄相关的条件,在此疾病中,眼睛液体内的玻璃体凝胶与视网膜分离并分离。PVD很常见,通常不会威胁视力,但是对于某些人来说,玻璃体凝胶会引起视网膜的眼泪或孔,甚至是视网膜脱离,这是紧急情况。多年来,我有两只眼泪和一个用激光程序修补的洞。我继续看到漂浮物,尤其是在明亮的光线下。最近的眼睛检查还发现我的白内障恶化,我的眼睛很严重。要了解有关我的眼睛年龄期望的更多信息,我与三位眼科医生交谈:
背景:脑电图(EEG)越来越多地用于监测全身麻醉的深度,但是大麻醉监测的EEG数据很少被重复用于研究。在这里,我们探索了从一般麻醉中重新利用脑电图监测,用于使用机器学习进行大脑年龄建模。我们假设在全身麻醉期间从脑电图估算的大脑年龄与围手术期风险有关。方法:我们在稳定的丙泊酚或稳定的丙烷麻醉下重新分析了323例患者的四局EEG,以研究四个EEG特征(EEG功率的95%(95%EEG功率<8 E 13 Hz)的年龄预测:总功率,Alpha频段,Alpha频段,Alpha band Power(8 E 13 Hz),Power Spectrum和Spatial spatial和Spatsial spatsial sy fromeny confurears和Spats spats spatsial sy频率。我们在丙泊酚麻醉期间由健康参考组(ASA 1或2)的EEG构建了年龄预测模型。尽管所有签名都是信息丰富的,但最先进的年龄预测性能通过沿整个功率谱的电极进行解析(平均绝对误差¼8.2岁; R2¼0.65)来解锁。结果:ASA 1或2例患者的临床探索表明,脑年龄与术中爆发抑制正相关,这是全身麻醉并发症的危险因素。令人惊讶的是,大脑年龄与较高的ASA分数患者的爆发抑制作用,表明隐藏的混杂因素。次级分析表明,与年龄相关的脑电图特征是丙泊酚麻醉的特异性,这是通过有限的模型概括对用sevo lureane维持的麻醉的。结论:尽管全身麻醉的脑电图可能实现最新的年龄预测,但麻醉药物之间的差异会影响脑时代模型的有效性和有效性。为了释放脑电图监测临床研究的休眠潜力,至关重要的是,具有精确记录药物剂量的异质种群的较大数据集至关重要。
2020年,锂离子电池(LIB)的市场达到了230 gwh的能力。汽车市场是最大的应用程序(69%),由于2000年不到LIB市场的1%,因此在过去的十年中,其份额已大大增加[1]。减少电动汽车(EV)的环境影响需要电池的生态设计,因为它占电动电动汽车总温室排放气体(GES)的41%[2]。过去几年的电池电池已经领导了大量的生命周期评估(LCA)[3] - [10]。大多数关注生产阶段[11]和气候变化影响类别[4],[11],[12]。结果范围从53千克CO 2 EQ/kWh到313千克CO 2 EQ/kWh [4],[11] - [13]。由几位作者突出显示,由于使用多个功能单元,研究之间出现了很大的可变性,
hal是一个多学科的开放访问档案,用于存款和传播科学研究文件,无论它们是否已发表。这些文件可能来自法国或国外的教学和研究机构,也可能来自公共或私人研究中心。
b'\xc2\xb9 意大利巴里大学教育、心理学和传播系 \xc2\xb2 意大利巴里大学药学系 \xc2\xb3 意大利巴里大学医学院:基础医学、神经科学和感觉器官 意大利巴里大学医学院:跨学科医学 奥胡斯大学临床医学系和奥胡斯/奥尔堡皇家音乐学院大脑音乐中心 (MIB),丹麦奥胡斯 * 两位作者贡献相同,并且是第一共同作者 通信地址:Mariangela Lippolis,Palazzo Chiaia - Napolitano Via Scipione Crisanzio, 42, 70121,巴里。电子邮件:mariangela.lippolis@uniba.it Elvira Brattico,奥胡斯大学临床医学系,Universitetsbyen 3,建筑 1710,8000 Aarhus C,丹麦。电子邮件:elvira.brattico@clin.au.dk 致谢:本研究由欧盟资助,属于 MUR PNRR 一项新颖的公私联盟,旨在为包容性的意大利老龄化社会提供社会经济、生物医学和技术解决方案(项目编号 PE00000015,AGE-IT)。'
本文介绍了一种测试台的开发,用于测量 Xilinx 的 Zynq UltraScale + FPGA 中使用的 16nm FinFET 的老化情况。在设置中选择并实施了环形振荡器 (RO) 漂移测量方法。然而,RO 电路不仅对老化敏感,而且对温度和电压也敏感。为了减轻对温度和电压的不良敏感性,我们安装了一个调节系统来控制 FPGA 的温度和内部电压,并根据温度和电压表征 RO 频率以应用后测量补偿。我们通过使用 GPS 信号作为时间参考改进了测量电路。进行了 1000 小时测试,测试温度为 (T FPGA = 100 ◦ C) ,测试温度为 (V FPGA = V nom + 25%),结果显示 RO 频率漂移明显低于 0.1%,测量精度为 0.9 × 10 − 4。
在她1969年的自传中,我知道为什么笼中的鸟儿唱歌,诗人和作家玛雅·安杰卢(Maya Angelou)记得她的母亲是飓风和彩虹,象征着他们关系的极端性质的对比性质。第152页,Abdulai-Saiku等。1报告对小鼠的一项研究表明,从母亲到女儿传递的基因表达模式可能会对生活的不同阶段的记忆产生类似的对比影响。这样做,他们提供了“女性间”变化范式的新证据。在哺乳动物中,大多数染色体对在雄性和女性之间都是相同的,但是一对性染色体是不同的。通常,女性有两个X染色体(XX),而男性有一个X染色体和一个Y染色体(XY)。性染色体不仅会影响发育中的胚胎性别以及以后的卵或精子的形成,而且还影响性别之间的解剖学,生理和疾病敏感性的差异。研究人员开始以惊人的精度缩小这些影响的原因。例如,女性比男性更容易发生自身免疫性疾病,例如狼疮,部分原因是她们通常携带两个X染色体。X染色体基因TLR7的升高水平升高是该倾向2的概率贡献者。相比之下,男性似乎从Y染色体的存在中受益:在某些细胞中,它可能随着年龄的增长而丢失,这与阿尔茨海默氏病的风险增加有关。揭示哪些性染色体基因对这些作用负责是个性化医学的主要目标。大多数这些“印迹”基因X和Y染色体的数量对于性别差异很重要,但另一个有影响力的过程是基因组印记。大多数基因都是从染色体的两个副本中表达的,其中一个是从母亲那里继承的,另一个是从父亲那里继承的。,但某些基因仅从母体拷贝或仅从父亲的副本中表达。
b IRT Saint-Exupéry,图卢兹,法国 摘要 本文提出了 SiC MOSFET 栅极在重复短路应力下的老化规律。基于分析研究、物理形式和预处理数据,提出了基于应力变量 T j、T 脉冲栅极损伤 % 和 E sc 的数值拟合。对老化规律的准确性和预测能力进行了评估和比较。结果提出了一种基于 T Al_Top 金属源的新老化规律。该规律的拟合精度最高。最后,直接基于短路能量 E sc 的老化规律似乎具有最佳的预测能力。 1. 简介 SiC MOSFET 提高了功率转换器效率 [1]。如今,必须保证意外极端操作中的可靠性和稳健性。然而,由于平面结构中的电流密度更高和通道更短,SiC MOSFET 的短路 (SC) 耐受时间 (T SCWT @2/3 x V DSmax ) 低于硅器件,t SCWT = 2μs,而 Si IGBT 的 t SCWT = 10μs。最近,人们投入了大量精力来研究短路测试下的专用 SiC MOSFET 故障机制 [2,3]。高温变化导致栅极区域和 Al 源金属周围产生累积热机械应力。这些通常导致 SiC MOSFET 无法超过源自硅标准的 1000 次重复短路循环阈值。在 SiC MOSFET 栅极损坏之前,对其允许的短路循环次数的预测目前尚不为人所知,但这却是运行阶段主要关注的问题。在 [4] 中,提出了威布尔分布和直接 T j Coffin-Manson 老化定律,但漏源电压偏置降低至 200V,并使用栅极沟槽器件。在 [5] 中,作者通过实验证实了栅极老化与 T j 应力的依赖关系,但未拟合 Coffin-Manson 参数,因此未提出预测能力。在本文中,进行了重复的 SC 研究,以建模并提出一组 SiC MOSFET 上的预测分析栅极老化定律