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ALD 工业应用
ALD 在引领半导体技术方面发挥着关键作用，而其在其他前沿行业的应用领域也正在迅速增长。据市场估计，仅设备市场目前的年收入就接近 20 亿美元，预计在未来 4-5 年内将翻一番。经过 30 多年的广泛研究，ALD 氧化铪和其他高 k 电介质可以替代传统半导体制造中的二氧化硅 (SiO2)，最终于 2004 年被三星采用，在 90 nm DRAM 节点的大批量生产中用作高 k 电容器电介质。其他 DRAM 公司紧随其后，后来在 2007 年，英特尔在 45 nm 节点引入了 ALD HfO2 作为高 k 栅极电介质。这些事件导致 ALD 设备和前体市场蓬勃发展，随后出现了其他行业中 ALD 的其他工艺、前体、材料和应用，这些将在演讲中介绍。
ALD 工业应用 - 德累斯顿
原子层沉积 ( ALD ) 是一种从物质的气相中沉积各种薄膜材料的工艺。2021 年全球原子层沉积 ALD 设备市场规模估计为 12.9662 亿美元，预计到 2028 年将达到 67.4466 亿美元，预测期内复合年增长率为 26.56%。该技术的增长不仅基于微电子应用，还基于工业锂离子电池、光伏和量子技术领域。原子层沉积是一种薄膜技术，可为广泛的应用提供新的和高度创新的产品。
ALD 工业应用 - 德累斯顿
原子层沉积 ( ALD ) 是一种从物质的气相中沉积各种薄膜材料的工艺。2021 年全球原子层沉积 ALD 设备市场规模估计为 12.9662 亿美元，预计到 2028 年将达到 67.4466 亿美元，预测期内复合年增长率为 26.56%。该技术的增长不仅基于微电子应用，还基于工业锂离子电池、光伏和量子技术领域。原子层沉积是一种薄膜技术，可为广泛的应用提供新的和高度创新的产品。
RAM Commander - ALD 可靠性软件
RAM Commander 的主要模块是物料清单，可以从外部应用程序导入，也可以在 RAM Commander 中手动构建。产品树 (BOM) 构成了其余 RAM Commander RAMS 模块的基础，这些模块相互依赖，可以通过一键切换进行访问；从可靠性预测到 FMECA 和可测试性、RBD、FTA 等。RAM Commander 是一个模块化应用程序 - 模块可以单独使用和购买，也可以作为集成 RAMS 工具包使用。RAM Commander 软件支持以下可靠性预测方法：
ALD/ALE 2024 计划密钥
利用原位同步加速器测量研究 AF-MoP-68 铜 ALD 薄膜成核，Aleksandra Figura-Jagoda、S. Klejna、M. Marzec，克拉科夫 AGH 大学，波兰材料与纳米技术学术中心；E. Kokkonen，瑞典 Max IV 实验室；A. Kwiatkowski，克拉科夫 AGH 大学，波兰物理与应用计算机科学学院；K. Ma ć kosz、C. Minzoni，Empa，瑞士联邦材料科学与技术实验室，图恩，瑞士；A. Szkudlarek，克拉科夫 AGH 大学，波兰材料与纳米技术学术中心；I. Utke，Empa，瑞士联邦材料科学与技术实验室，图恩，瑞士；M. Sikora，克拉科夫 AGH 大学，波兰材料与纳米技术学术中心
ALD/ALE 2023 计划关键
ALE-SuP-11 钯的热原子层蚀刻与氯化和配体挥发，Hojin Kang，韩国成均馆大学 (SKKU) 化学工程学院；Y. Kim，韩国成均馆大学 (SKKU) 纳米技术高级研究所 (SAINT)；A. Cho，韩国韩国科学技术研究院 (KAIST) 化学与生物分子工程系；H. Jung，韩国韩国科学技术研究院 (KAIST) 化学与生物分子工程系，大田，34141，韩国3，韩国；S. Cho、H. Chae，韩国成均馆大学 (SKKU) 化学工程学院
基于Al2O3的超薄ALD膜和纳米胺，...
原子层沉积（ALD）技术使在各种技术领域中使用具有控制化学成分的共形功能涂层 - 单组分，多组分和多层结构（例如纳米胺），以修饰表面特性。可以使用超薄金属氧化物，例如作为抗腐蚀涂层，聚合物材料的功能涂层，或在全纤维状态电池（ASSB）结构中的电极/电解质界面上的涂层。我们以各个层和纳米酰胺的形式（Al 2 O 3 /Zro 2，Al 2 O 3 /ZnO）以实验测试了超薄（大约20 nm）Al 2 O 3，ZRO 2和ZnO涂层的ALD生长和性能。，我们在100-300 c的温度范围内使用了热ALD模式，在各种底物（硅，砷耐加仑）上以及使用各种氧气前体（水，臭氧）。Al，Zr和Zn的前体分别为：三甲基元素，四甲基甲基氨基（乙基甲基氨基） - 锆（IV）和二乙基。We used a number of material characterization methods and proved the possibility of controlling the thickness and refractive index of the layers (by spectroscopic ellipsometry), structure composition (by X-ray photoelectron spectroscopy, energy-dispersive X-ray spectroscopy), coating tightness and electrical properties (by conductive atomic force microscopy-tunneling AFM), surface topography (by tapping mode AFM）。
附录 A - 字段缩写词汇表 - ALD 软件
（无提示）环境温度类型。如果是固定温度，则项目的温度等于相邻 °C 字段中输入的值。如果是温度差，则项目的温度等于相邻 °C 字段中的值加上父项的温度。