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通过原子层沉积多种缓解量
这项研究研究了使用原子层沉积（ALD）来减轻粒子加速器中使用的超导无线电频率内部的多重现象，同时在10个10范围内保留高质量的因子。在任意复杂形状对象上控制膜厚度至原子水平的独特ALD能力使TIN膜电阻率和总电源发射产量（TEEY）从优惠券到设备进行微调。这种控制水平使我们能够充分选择锡膜厚度，该薄膜厚度既可以提供高电阻率，以防止欧姆损失和低圆锥形，以减轻多重损失，以应用感兴趣。这项工作中所述的方法可以缩放到真空中受RF场的其他域和设备，并且对具有自身在电阻性和TEEY值的要求的多重或电子交换过程中敏感。
一篇题为“人工神经网络方法”的论文......
ALD . . . . . . . . . . . . . . . . . . 酒精性肝病 ALF . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 急性肝衰竭 ALP . . . . . . . . . . . . . . . . . 碱性磷酸酶 ALT . . . . . . . . . . . . . . . . . . 丙氨酸氨基转移酶 ANN . . . . . . . . . . . . . . ....................................................人工神经网络 APACHE II.......................................................................................................................急性生理与慢性健康评估 II AST.......................................................................................................................................天冬氨酸转氨酶 AUROC.......................................................................................................................................接收者操作曲线下面积
蒸气的独立颗粒 - ...
原位无动，可以允许使用较小的体积和较小尺寸的小部分。然而，当属于平坦底物上的粒子经过常规的ALD过程时，它将覆盖在所有裸露的表面（即顶部和侧面）上，但不在与底物相连的侧面。另外，在粒子和底物之间的纳米级间隙中生长的配合物将将两者结合在一起，这使得粒子的脱离不可能。在这里，我们报告了一种新颖的技术，用于在惰性聚苯乙烯（PS）膜上覆盖各个方面的单个颗粒。为了使无机膜不仅可以在粒子暴露的表面上增长，而且还可以在与聚苯乙烯接触的底部增长，这种技术重新利用了蒸气相渗透（VPI）[3,4]，[3,4]基于ALD的材料杂交过程，基于ALD家族，包括序列序列（包括序列），包括序列INSTINTER INSTIMER INSTIMER INSTERTION（MPSRESINTION INVINTRAINTINT（MPI）[MPI）[MPI）[MPI，MPI）[MPI，MPI，MPI，MPI，MPI，MPI，MPI， （SIS），[6]和顺序蒸气浸润（SVI）。[7]在VPI期间，蒸气阶段金属前体刺激到聚合物基质中，并与其中的官能团反应形成有机无机杂种。[8-10]浸润合成的杂种显示增强的材料特性，已证明对多种应用有用，例如蚀刻罩，[11,12]抗侵蚀纳米纹状体，[13,14]光催化和光效率和光效应器，[15] PhotopotopodeTectors，[15] PhotopodeTectors，[16] 17]，[17] [17]，[17] [17] [17] [17] [17][19]
SPIE的会议录
二维材料中的不均匀和三维应变工程为控制应变敏感光子性能的应变设备开辟了新的途径。在这里，我们提出了一种通过皱纹单层WSE 2来调整应变的方法，该单层WSE 2连接到15 nm厚的ALD支撑层并压缩软底物上的异质结构。aldfim sti tipers 2D材料，可以通过光学分解的微米尺度皱纹，而不是纳米尺度缩放和折叠。使用光致发光光谱法，我们显示皱纹引入了47 MeV对带隙的周期性调节，与皱纹处的 +0.67％拉伸应变的应变调制相对应，到槽在槽中的-0.31％压缩应变。此外，我们表明，循环底物应变机械地重新发现了皱纹和结果带调的大小和方向。这些结果铺平了基于紧张的2D材料的可伸缩多发性设备的道路。
欢迎来到-NDIA会议记录
产品线演示文稿1010-1030命令，控制与导航产品线（C2PL）1030-1050通信产品线（COUMP）1050-1110智能系统产品线（ISPL）1110-1130任务支持系统产品线（MSSPL）1130-1230 1130-1230 1330-1350资产物流部（ALD）1350-1400关闭备注
芯片的选择性原子层沉积
实现 AS-ALD 的一种常见方法是使用自组装单分子层 (SAM) 作为抑制剂，以优先阻止一种表面材料上的 ALD 而不是另一种。 [7–14] SAM 是一种有机分子，由头部基团（也称为锚定基团）、主链（通过范德华相互作用参与自组装过程）和尾部官能团组成，其中尾部官能团会影响 SAM 形成后的最终表面特性。通过选择仅与特定表面反应的 SAM 分子头部基团，可以实现选择性 SAM 形成。例如，已证实烷硫醇和烷基膦酸可在金属基材上形成 SAM 结构，但不会在 SiO 2 上形成。 [15–21] 通过使用这两种 SAM 分子作为金属表面 ALD 抑制剂，已有多次成功演示在金属/电介质图案的电介质区域上选择性沉积电介质膜（电介质-电介质，或 DoD）和金属膜（金属-电介质，或 MoD）。[7–12,22,23]
使用 Fourier 分析研究 AlN 薄膜的结构...
本研究重点关注使用原子层沉积法 (ALD) 获得的 AlN 薄膜中氢杂质引起的结构缺陷。目前，关于 AlN 薄膜本体中氢的存在的研究严重不足。傅里叶变换红外光谱 (FTIR) 是少数几种可以检测轻元素键的方法之一，尤其是氢。众所周知，氢是通过 ALD 方法生长的 AlN 薄膜中常见的污染物，它可能与氮形成不同的键，例如氨基 (-NH2) 或酰亚胺 (-NH) 基团，这会损害所得薄膜的质量。这就是为什么研究氢现象以及寻找合适的方法来消除或至少减少氢的数量很重要。在这项工作中，使用不同的前体、基材和沉积参数制备了几个样品，并使用 FTIR 和其他技术（如 AFM、XPS 和 EDS）进行了表征，以提供 AlN 薄膜的地形、形态和化学成分的比较和全面分析。
植物化学分析和抗微生物的评估
apocynaceae是一种富含生物碱的植物家族，据报道其许多物种具有药用意义。来自菲律宾的特有植物，Alyxia linearis Markgr。- 尚未因其植物化学和生物活性而受到调查。这项研究旨在表征植物化合物，并评估曲霉曲霉的抗菌，细胞毒性和遗传毒性活性。对根，树枝和叶的己烷，二氯甲烷和甲醇提取物进行不同的测试。研究了四种细菌（S. Aureus，P。铜绿假单胞菌，E。Faecalis和E. coli）和两个真菌（Penicillumsp。和A. Niger）。抗菌分析表明，在九种提取物中，只有两种提取物对所使用的革兰氏阳性细菌表现出部分抑制活性，只有一种提取物表现出杀真菌活性。ATD抑制了金黄色葡萄球菌和粪肠链球菌的生长，而ARM仅抑制了粪肠球菌的生长。在九种提取物中，只有ARD抑制了阴茎生长。使用Allium CEPA测定法测试了提取物的遗传毒性。除1 ppm alm以外，线性曲霉的半极化和极性提取物都是遗传毒性的。使用人类皮肤成纤维细胞新生儿（HDFN）的MTT分析评估ALD提取物的细胞毒性。与阿霉素的IC 50相比，ALD对HDFN的细胞毒性对HDFN的评估显示出低于12.5 µg/ml的IC 50，即2.89 µg/ml。这表明与阿霉素相比，ALD提取物是中度细胞毒性的。线性曲霉提取物的植物化学成分主要被分类为酚，类黄酮，类固醇和三萜），其中略有出现香豆素，蒽醌和人类。
具有近 20 mA 电流的全栅极 In2O3 纳米带 FET ...
摘要—在这项工作中，我们展示了原子层沉积 (ALD) 单通道氧化铟 (In 2 O 3 ) 栅极环绕 (GAA) 纳米带场效应晶体管 (FET)，该晶体管采用了后端制程 (BEOL) 兼容工艺。在 In 2 O 3 GAA 纳米带 FET 中，实现了 19.3 mA/µ m（接近 20 mA/µ m）的最大导通电流 (I ON ) 和 10 6 的开/关比，其通道厚度 (T IO ) 为 3.1 nm，通道长度 (L ch ) 为 40 nm，通道宽度 (W ch ) 为 30 nm，介电 HfO 2 为 5 nm。采用短脉冲测量来减轻超薄通道层中流动的超高漏极电流引起的自热效应。 In 2 O 3 FET 获得的创纪录高漏极电流比任何传统单通道半导体 FET 高出约一个数量级。这种非凡的漏极电流及其相关的导通状态性能表明 ALD In 2 O 3 是一种有前途的氧化物半导体通道，在 BEOL 兼容单片 3D 集成方面具有巨大的发展机会。
陆军接收 1000 架新型无人机
据美国新闻网站 Axios 报道，白宫国家安全顾问杰克·沙利文已向总统乔·拜登提出了在唐纳德·特朗普 1 月 20 日就职之前美国可能对伊朗核设施进行打击的选项。此次演习正值此之际。