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由二维硫化镓控制制备原生超薄非晶态氧化镓，用于新兴电子应用
事实证明，二维层状材料的氧化有利于形成氧化物/二维材料异质结构，这为低功耗电子设备的新范式打开了大门。硫化镓（II）（𝜷-GaS）是一种六方相 III 族单硫属化物，是一种宽带隙半导体，单层和少层形式的带隙超过 3 eV。其氧化物氧化镓（Ga 2 O 3）兼具大带隙（4.4-5.3 eV）和高介电常数（≈ 10）。尽管这两种材料都具有技术潜力，但原子级厚度的𝜷-GaS 的受控氧化仍未得到充分探索。本研究重点关注使用氧等离子体处理对𝜷-GaS 进行受控氧化，以解决现有研究中的重大空白。结果表明，在暴露于 10 W 的 O 2 时，能够形成厚度为 4 nm 的超薄天然氧化物 (GaS x O y )，从而形成 GaS x O y /GaS 异质结构，其下方的 GaS 层保持完整。通过将此类结构集成在金属电极之间并施加电压斜坡或脉冲等电应力，研究了它们在电阻式随机存取存储器 (ReRAM) 中的应用。所产生的氧化物的超薄特性可实现低操作功率，能耗低至每次操作 0.22 nJ，同时分别保持 350 次循环和 10 4 s 的耐久性和保持力。这些结果表明基于氧化的 GaS x O y /GaS 异质结构在电子应用，特别是低功耗存储设备中具有巨大的潜力。
自下而上设计可调铟镓锌氧化物薄膜原子层沉积的超循环配方
摘要：我们提出了一种自下而上的成功方法，设计了一种通用的等离子体增强原子层沉积 (PEALD) 超循环配方，以在 150°C 的相对低温下生长具有可调成分的高质量铟镓锌氧化物 (IGZO) 薄膜。原位实时椭圆偏振表征与非原位互补技术相结合，已用于优化薄膜的沉积工艺和质量，方法是识别和解决生长挑战，例如氧化程度、成核延迟或元素组成。开发的超循环方法通过调整超循环过程中的子循环比，可以轻松控制目标成分。与其他产生非晶态薄膜的低温沉积技术相比，我们在 150°C 下的 PEALD-IGZO 工艺可产生近乎非晶态的纳米晶态薄膜。通过超循环 PEALD 方法在低温下制备 IGZO 薄膜可以控制厚度、成分和电性能，同时防止热诱导偏析。关键词：IGZO、PEALD、超循环、XPS 深度剖析、电流密度
在整体磷化镀磷层元素中的第二次谐波产生
*通讯作者：Muyi Yang，固态物理研究所，弗里德里希·席勒大学Jena，Max-Wien-Platz 1，07743 Jena，德国；弗里德里希·席勒（Friedrich Schiller）大学Jenafriedrich Schiller大学耶拿（Jena），Albert-Einstein-STR的ABBE光子学中心应用物理学研究所。15，07745德国耶拿；和Max Planck Photonics，Hans-Knöll-Straße1，07745德国Jena，电子邮件：muyi.yang@uni-jena.de。https://orcid.org/0000-0002-1738-4536 Maximilian A. Weissflog，应用物理研究所，Abbe Photonics，Friedrich Schiller University，Albert-Einstein-STR。15，07745德国耶拿；以及汉斯·斯特拉斯（Hans-Knöll-Straße）1，07745德国耶拿（Jena），麦克斯·普朗克（Max Planck）光子学院。https://orcid.org/0000-0002-3091-1441 Zlata Fedorova，固态物理研究所，弗里德里希·施莱尔·史列尔（Friedrich Schiller Uni-Cersity Jena），Max-Wien-Platz 1，07743 Jena，德国Jena，德国；和应用物理研究所，Abbe光子学中心，弗里德里希·席勒大学（Friedrich Schiller）大学耶拿，阿尔伯特·恩斯坦 - 斯特（Albert-Einstein-STR）。15，07745德国耶拿，安吉拉·贝雷达（Angela I. Barreda），固态物理研究所，弗里德里希·席勒（Friedrich Schiller Uni-Cersity），耶拿（Jena），马克斯 - 韦恩·普拉茨（Max-Wien-Platz）1，07743德国耶拿（Jena）；弗里德里奇（Friedrichschilleruniversityjena），阿尔伯特·埃因斯坦（Albert-Einstein-STR），弗里德里希（Friedrichschilleruniversityjena）应用物理学研究所。15，07745德国耶拿；以及AVDA马德里大学卡洛斯三世分校的展示和光量应用程序。de la大学，30岁，莱加纳，28911马德里，西班牙，斯特凡·伯纳，应用物理研究所，阿贝·光子学院，弗里德里希·席勒大学耶拿，阿尔伯特·史特恩·斯特林。15，07745德国耶拿；和麦克斯·普朗克（Max Planck）摄影学院，汉斯·斯特拉斯（Hans-Knöll-Straße）1，07745德国耶拿（Jena）15，07745 Jena，Ger-许多Falk Eilenberger和Thomas Pertsch，Applied Physics研究所，Abbe Photonics，弗里德里希·席勒大学Jena，Albert- Einstein-STR。15，07745德国耶拿； Max Planck Photonics，Hans-Knöll-Straße1，07745 Jena，德国；和弗劳恩霍夫（Fraunhofer）应用光学和精密工程IOF，Albert-Einstein-Straße7，07745 Jena，德国伊萨贝尔·斯塔德（Isabelle Staude），固体状态研究所，弗里德里希·施莱尔·施莱尔·席勒（Friedrich Schiller Uni-Versity）弗里德里奇（Friedrichschilleruniversityjena），阿尔伯特·埃因斯坦（Albert-Einstein-STR），弗里德里希（Friedrichschilleruniversityjena）应用物理学研究所。
铝镓水氢燃料电池系统
10.如权利要求1-9所述的铝-水氢能存储系统，适用于：a.车辆电池系统，适用于各种类型的车辆，包括但不限于汽车、卡车和电动公交车；和/或b.独立的大容量能量存储单元，能够集成到货物集装箱或其他可运输配置中，便于高效运输和部署。
铬补偿的砷化甘氨酸传感器...
材料硅GAAS：CR CDTE平均原子重量14 32 50密度（g/cm3）2,33 5,32 5,32 5,85带隙（EV）1,12 1,43 1,5电阻率（OHM-CM） 480 400 100 𝜇𝜏电子> 1 1-5e-4〜1E-3孔> 1〜1e-4 1-4 1-10e-6稳定性（10分钟）<0.01％<0.1％<0.1％1％1-10％
如何在开关电源中使用氮化镓技术
Frederik Dostal 是一位电源管理专家，在该行业拥有 20 多年的经验。在德国埃尔朗根大学学习微电子学后，他于 2001 年加入美国国家半导体公司，担任现场应用工程师，在客户项目中实施电源管理解决方案方面积累了丰富的经验。在国家半导体公司任职期间，他还在美国亚利桑那州凤凰城工作了四年，担任应用工程师，从事开关电源工作。2009 年，他加入 ADI 公司，此后担任过各种职位，负责产品线和欧洲技术支持，目前作为电源管理专家，为公司带来广泛的设计和应用知识。Frederik 在德国慕尼黑的 ADI 办事处工作。
使用接近索引匹配的固体浸入透镜
半导体材料中的颜色中心是非经典光子状态的有前途的来源。由于它们的局部能级嵌入了宿主的大块电子带隙内，因此它们将单个原子的光学特性与固态环境的scal骨结合在一起。的确，宽带半导体中的中间隙能级产生的增强的电子配置可以在室温及以上启用单个光子发射。1已经发现了许多这样的颜色中心，包括在钻石中，1-8碳化硅（SIC），9,10氮化铝（ALN），11枚硝酸盐（GAN），12-14和六边形的硝酸盐（H- BN）。15这些颜色中心的发现导致了量子技术的令人印象深刻的恶魔，包括纳米级磁性感应，4纳米级量子量子温度计，16个量子中继器，17
球形氮化镓和砷化镓量子点中量子限制的阈值和界限。
当材料的物理尺寸与电子的波长匹配或减小时，半导体中就会发生量子限制，从而产生量化的能级和离散的电子态。这是由于电子的波粒二象性，它同时表现出粒子和波的特征。限制能是对应于半导体纳米结构（如量子点）中电荷载流子的量子限制的能量。当这些结构的尺寸接近或等于电子的德布罗意波长时，就会产生量化的能级。基于有效质量近似并假设一个理想的球形量子点，其中激子被限制在球形限制势中，Harry 和 Adekanmbi (2020) 给出了球形量子点的限制能：
NetSpot®（用于镀耐加仑的套件（68GA ...
•将Galliapharm发电机出口线的雄性luer连接到无菌针（21g至23G）。•将小瓶1连接到Galliapharm发电机的出口线，通过将针头穿过橡胶隔隔板，然后将小瓶放在铅盾容器中。•根据使用Eckert＆Ziegler提供的Galliapharm发电机的说明，将发电机直接通过针头将发电机洗脱到小瓶1中，以便用5 mL的洗脱器重新构造冻干粉末。手动或通过泵进行洗脱。•在洗脱结束时，通过从橡胶中隔中去除针头，与小瓶1断开发电机，然后立即（不要延迟缓冲液添加超过10分钟）在1-ml无菌Inringe中添加KIT反应缓冲液（（（尺寸21G至23G），均为23G）；如表1所确定的反应缓冲量）。•撤回注射器和0.2 µm无菌空气通风过滤器。
在电力电子设备的钻石上种植氧化；
图：https：//www.tf.uni-kiel.de/matwis/amat/mat/semi_en/kap_2/kap_2/backbone/r2_1_5.html M. Xu，D。Wang，K。Fu，D。牛津开放材料科学，第1卷。2，不。1，p。 itac004，2022。