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IEEE WCCI 2024美国第七加加加加加加批
美国第7届氧化甲壳虫研讨会（GOX 2024）将于2024年8月5日至7日在俄亥俄州哥伦布的俄亥俄州立大学校园举行。在这个快速前进的领域中，该研讨会为报告材料，设备和电路开发的最新进展提供了一个首要平台，并确定了主要的科学差距。目的是在政府，行业和学术界建立可行的协调，以实现该领域的快速过渡技术。将没有书面程序来促进一个友好而刺激的环境，以在国内和国际GA2O3研究小组的参与者之间进行科学讨论。与会者可以期望主题，包括但不限于：批量和外延生长，理论/建模/仿真，设备和电路的进步，材料表征和新颖性能，热管理，电热管理，电热共同设计和异质结构。
关于镀仑的来源和恢复方法的研究
不仅锌矿石，铝土矿和煤粉，而且其他一些矿石还含有痕量的镀凝剂，例如铁矿石，铜矿，铅矿石，矿石，木薯，钨和钼矿石。通常，这些矿物质中的甘露含量太低，无法单独利用，但可以作为其他金属提取过程中的副产品回收，这是目前的潜在凝胶来源，占全球金属生产的不到10％。在铝制粘土岩和煤层中的Boehmite共存。6尼蒙省奥斯托斯的低硫氧化煤炭，其中包含异常数量的凝胶和稀土元素。第7节中GA的平均量为44.8μg/g。上石炭纪苯克号的粘土层和铝土矿层，是由中奥多维奇人顶部的风化剥离表面产生的锂省，也是重要的凝胶来源。此外，在克莱伊砾岩中发现了明显的火山晶体和火山灰，这可能部分成为凝胶的来源[28]。
Pallium：AI记录审查 AI驱动、以用户为中心的医疗记录洞察
设想医疗审查的可能性联邦和州医疗机构在医疗审查及其不断发展的法规和政策方面，在整个医疗保健过程中面临各种挑战。患者通常需要填写大量文件才能获得治疗授权，并等待很长时间才能得到反馈。医疗服务提供者审查并填写相关文件，但如果信息缺失或文件填写不正确，则会面临延误。然后，审查人员必须浏览大量患者文件以提取病例特定信息，而将文件与复杂的政策联系起来会使这一过程变得更加复杂。过渡到更高级别时，面临这些累积挑战的组织可能会受到效率和功能下降的影响。人员和预算的限制可能导致大量记录积压和审查瓶颈，如果不雇用额外资源并增加成本，这个问题很难解决。如果有一种工具可以帮助医疗生态系统的各个利益相关者应对这些挑战，那会怎样？
RF Power应用的氮化碳技术
问题陈述：能够高速和高功率处理的半导体设备平台是无数RF电源应用的关键组件级构建块，例如雷达（国防，航空航天和平民 - 汽车），通信（国防，航空航天，航空和平民 - 5G及以后），信号jamming和rf。迫切需要这些技术，尤其是印度的国防和航空航天机构，因为它们是敏感和控制的。
二维炮的非线性光学活动...
图1。晶体学结构和材料表征几层气体 - 纳米片。粘液和球格式的气体晶体表示。（a）三层气体的侧视图，表现为单位电池C =17.425Å由三个气体层组成。（b）气体晶体的顶视图。在这里，GA和S原子分别用绿色和蓝色球表示。（c）SEM图像（LPE样本：左上角和ME样本：右上方）和EDS配置文件（底部）的exfoliated Gas Nanoseets。EDS轮廓中的插图指示所获得的纳米片的原子比。在（d）GA 3D和（E）S 2P和GA 3S结合能区域中气纳米的高分辨率XPS光谱。（f）具有相同强度轴的3L，10L，LPE和散装气体的拉曼光谱。散装气体的拉曼振动模式被标记为𝐸1𝑔
用于高性能深紫外光电探测的微米厚氧化镓薄膜中的定向载流子传输 张文瑞, 1,2 * 魏瓦
微米级氧化镓薄膜中的定向载流子传输用于高性能深紫外光电探测 张文瑞 1,2 * 王伟 1 张金福 1 张谭 1 陈莉 1 王刘 1 张宇 3 曹彦伟 1 季莉 3 叶吉春 1,2 * 1 中国科学院宁波材料技术与工程研究所，浙江省能源光电子材料与器件工程研究中心，浙江 宁波 315201 2 甬江实验室，浙江 宁波 315201 3 复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室，上海 200433 关键词：紫外光电探测器，宽禁带半导体，氧化镓，载流子传输，缺陷
金电沉积中铊测定的新型分析方法 Patrick Saitta、Jingjing Wang 和 Eugene Shalyt KLA-Tencor 60 Gordon
摘要 铊在氰化物和亚硫酸盐镀金溶液中都用作添加剂，用于调节金在目标基材上的沉积方式。镀液中的铊含量对沉积金的性质（包括其微观结构和硬度）有很大影响。因此，特别是在商业工艺应用中，准确、快速、方便地测量镀液中的铊含量至关重要，以确保所制造产品的质量。人们已经研究了含铊的镀金溶液的循环伏安行为，但其铊含量的量化并不令人满意，要么昂贵且耗时，要么在复合基质中不准确。在这里，我们提出了一种专有的电分析铊测量方法，该方法快速且具有出色的准确性和灵敏度，即使在存在常见的镀液分解产物的情况下也是如此。关键词 循环伏安法、电化学沉积、镀金溶液、铊、亚硫酸盐镀液。
氧化镓垂直晶体管的高级TCAD仿真与校准
本文通过将模拟设置校准到垂直无结多栅极晶体管实验数据，介绍了先进的 β -Ga 2 O 3 TCAD 模拟参数和方法。通过仔细校准，确定了几个重要的 β -Ga 2 O 3 器件物理特性。研究了补偿掺杂和掺杂剂不完全电离的影响。使用了可以捕捉温度效应的电子飞利浦统一载流子迁移率 (PhuMob) 模型。我们还表明，界面陷阱可能对非理想亚阈值斜率 (SS) 不起作用，短沟道效应是 SS 退化的主要原因。我们还讨论了无结 Ga 2 O 3 晶体管的击穿机制，并表明其受到关断状态下沟道穿通的限制。校准后的模型与实验的电容-电压 (CV) 和电流-电压 (IV) 很好地匹配，可用于预测新型 β -Ga 2 O 3 器件的电性能。 © 2020 作者。由 IOP Publishing Limited 代表电化学学会出版。这是一篇开放获取的文章，根据知识共享署名 4.0 许可条款发布（CC BY，http://creativecommons.org/licenses/ by/4.0/），允许在任何媒体中不受限制地重复使用作品，前提是对原始作品进行适当引用。[DOI：10.1149/ 2162-8777/ab7673]
综述了晶体硅，三硫酸镉，硒化铜，硒化铜，染料敏感，有机和钙钛矿太阳能电池的特定降解：了解成熟技术的可靠性如何增强新兴技术
• Loss of absorption due to absorber layer degradation (intrinsic, moisture or photoinduced) (A) • Migration of dopant from interlayer to absorber layer (A) • Phase separation (A) • Crystallographic changes (A) • Change in energy levels (A, I) • Hole/electron transport layer degradation (I) • Dopant diffusion into active layer (I) • Change of uniformity of interlayers (I)