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氧化甘油schottky上氧化；
β-Gallium氧化物（β-GA 2 O 3）是一种宽带gap的半子导管，具有潜在的高频和高功率设备。[1 - 3]在Ga 2 O 3的五个多晶型物中，β -ga -ga 2 O 3是最稳定的。[4]它具有单斜结构，属于c 2 / m的空间组。[5]为简单起见，ga 2 o 3表示以下文本中的β -ga 2 o 3。随着GA 2 O 3外延技术的发展，两英寸的GA 2 O 3底物已商业化，[6]，使用SN或SI的N型掺杂技术已经成熟。[1] GA 2 O 3设备织物和P型掺杂技术是当前GA 2 O 3研究中的两个主要问题。很难以纯GA 2 O 3结晶形式分离不同的相。[7]因此，模拟和填充已被用于预测GA 2 O 3晶体和降低特性。例如，他等人。通过密度功能理论（DFT）计算了频带结构。[5] Osipov等。计算了结构和弹性塑性特性，包括杨的模量和线性可压缩性。但是，直到现在，基于有限元方法的GA 2 O 3设备模拟已经稀缺了，这主要是因为GA 2 O 3不是Ma-Jor设备仿真软件中良好的半导体材料，并且宽带式半径模拟的模拟很难融合。[9]
氮化镓（GaN）中质子反冲离子的LET和射程特性
近年来，氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 受到航天电子界越来越多的关注。尽管 GaN 的电子质量优于 Si，电子迁移率更高，热导率优于砷化镓 (GaAs)，但后者的辐射硬度研究已有数十年 [1]，并且普遍得到充分了解。航天电子设备面临的主要威胁之一是重离子轰击引起的单粒子效应 (SEE)。虽然大多数此类事件是由银河宇宙射线 (GCR) 造成的，但这些粒子的能量通常比实验室环境中产生的更高。作为一种折衷方案，人们使用低能离子来产生类似的效果。通过这些重离子测试，结合工程控制和统计模型，通常可以可靠地预测电子设备的辐射硬度。在过去的 15 年里，人们对 GaN 设备 [2-7] 的 SEE 和位移损伤剂量 (DDD) 进行了广泛的研究和测试。不幸的是，即使是这些低能量重离子也只有全球少数几家工厂生产。一种更常见的高能粒子是质子。在医疗行业中，约 200 MeV 的质子被大量用于治疗和诊断目的，与重离子相比，它相对容易获得 [8]。许多研究
定量蛋白质组学揭示了麦芽盐的甘露糖诱导铁的应力反应，并降低了铜绿假单胞菌的群体感应
摘要基于凝胶剂的药物已被重新定义为抗菌治疗候选物，并显示出对抗药性病原体的替代治疗选择的巨大潜力。凝固膜的活性（Ga 3+）是其与铁铁（Fe 3+）的化学相似性，并取代了铁依赖性途径。ga 3+在典型的生理环境中是氧化还原性的，因此使铁代谢对细菌生长至关重要。麦芽盐（GAM）是一种众所周知的凝胶水溶性配方，由中央凝胶阳离子组成，该中央凝胶配位与三个麦芽糖配体配位，[GA（Maltol -1H）3]。这项研究实施了一种无标记的定量蛋白质组学方法，以观察GAM对细菌病原体Pseudomonas铜绿菌的影响。将铁替换为镀具有模拟铁限值的反应，如与铁采集和储存相关的蛋白质的增加所示。还发现了与法定感应和蜂群运动相关的蛋白质的丰度。这些过程是细菌毒力和传播的基本组成部分，因此暗示了GAM在治疗铜绿假单胞菌感染中的潜在作用。
宽带隙半导体市场的氧化镓技术经济分析：预印本
目前，超过 30% 的电能经过电力电子设备，据推测未来十年这一比例可能会增长到 80%。宽带隙半导体市场在 2019 年已经接近 10 亿美元，预计到 2028 年将达到近 70 亿美元。尽管成本高昂，但由于尺寸更小、效率更高，SiC 在某些应用（如混合动力汽车和电动汽车）中开始取代现有的 Si 技术。我们回顾并报告了 IHS Markit 对宽带隙半导体技术的市场预测，并重点介绍了 Ga 2 O 3 晶片制造成本的技术经济分析结果。具体而言，我们关注使用当前的制造方法 Ga 2 O 3 比 SiC 更具经济优势的潜力，然后确定可以进一步降低 Ga 2 O 3 晶片批量成本的研究机会。