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氮化铝与 Cu–P–之间的界面结构...
由于环保法规和节能需求[1–5]，功率模块基板需要将铝或铜等金属层键合到氮化铝 (AlN)、氮化硅 (Si 3 N 4 ) 或氧化铝 (Al 2 O 3 ) 等陶瓷绝缘体上。根据基于金属层和键合方法的分类，这些基板称为直接键合铝 (DBA) 基板[1, 6, 7]、直接键合铜 (DBC) 基板[8, 9] 和活性金属键合 (AMB) 基板[10–15]。AMB 基板是通过使用钎料金属（例如 Ag-Cu-Ti 基合金）将铜键合到 AlN 上而制成的。这些系统中的 Cu/AlN 界面结构以 Ag-Cu 合金层和
Wenjun Liu*, Hemei Zheng, Kahwee Ang, Hao Zhang, Huan Liu, Jun Han, Weiguo Liu, Qingqing Sun*, Shijin Ding and David Wei Zhang* Temperature-stable bla
摘要：黑磷（BP）在电子和光电子应用方面表现出巨大的潜力，然而如何保持BP器件在整个温度范围内的稳定性能仍然是一个难题。本文展示了一种在原子层沉积AlN/SiO 2 /Si衬底上制备的新型BP场效应晶体管（FET）。电学测试结果表明，与传统SiO 2 /Si衬底上制备的BP FET相比，AlN衬底上的BP FET具有更优异的电学性能。在77至400 K的温度范围内，它表现出5 × 10 8 的大开关电流比、< 0.26 V/dec的低亚阈值摆幅和1071 cm 2 V −1 s −1的高归一化场效应载流子迁移率。然而，当温度升至400 K时，SiO 2 /Si衬底上的BP FET不再具有这些稳定的电学性能；相反，SiO 2 /Si 衬底上的 BP FET 的电性能却急剧下降。此外，为了从物理上了解 AlN 衬底上 BP FET 的稳定性能，进行了低频噪声分析，结果表明 AlN 薄膜
采用极化诱导掺杂的 Ga2O3 场效应晶体管
摘要 III 族氮化物和β 相氧化镓（β -Ga 2 O 3 ）是目前研究较为深入的两种用于电力电子的宽带隙半导体材料。由于两种材料体系之间的晶格失配度相对较小，且可以利用体相 AlN、GaN 和β -Ga 2 O 3 衬底，因此已经实现了在β -Ga 2 O 3 上外延生长 III 族氮化物或反之亦然。然而，将两种材料体系集成在一起来设计功率器件仍然缺乏。本文数值研究了 AlN/β -Ga 2 O 3 异质结构，利用极化诱导掺杂来实现高性能增强型晶体管。受 AlN/β -Ga 2 O 3 界面极化效应的影响，沟道中的二维电子气浓度最高可达 8.1 × 10 19 cm −3。在沟道顶部引入p-GaN栅极，最终实现了具有可调正阈值电压的常关型AlN/β-Ga 2 O 3场效应晶体管。此外，我们插入了非故意掺杂的GaN背阻挡层以抑制漏极漏电流。最后，为了实现高性能III族氮化物/Ga 2 O 3基功率器件，我们进一步研究和分析了具有不同结构参数的器件的传输和输出特性。
电力指南：- 科特迪瓦
2021 年 6 月，四家知名的非洲律师事务所合并，成立了一家名为 ADNA 的综合性律师事务所，其中包括 Bourabiat Associés（阿尔及利亚）、EMIRE Partners（科特迪瓦）、SD Avocats（几内亚）和 BFR & Associés（摩洛哥）。ADNA 还是屡获殊荣的非洲法律网络 (ALN) 的成员，该网络为英语非洲和法语非洲之间架起了一座桥梁。ALN 在非洲的司法管辖区覆盖范围不断扩大，且覆盖范围不断扩大。
博士学位（全职）机构xi'an jiaotong- ...
项目描述：压电MEMS麦克风具有消除对真空包装，低功耗和制造简单性的需求。这些优势已导致对压电技术的进一步研究。无论传感技术如何，MEMS麦克风都有一些基本参数，例如灵敏度，信噪比（SNR），带宽，输出阻抗等。这些参数共同确定麦克风的性能[2]。压电mems麦克风的性能受到压电材料的很大影响。中，氧化锌（ZnO），锆钛酸铅（PZT）和硝酸铝（ALN）是最常见的压电材料，每个材料都有其自身的特征[3]。与其他两种材料的制造难度相比，Aln由于与CMOS技术的兼容性而引起了很多关注。尽管ALN的压电系数不是这三种材料中最高的，但有一些方法可以改善其压电系数。最近，研究人员发现，将sc（SC）掺入ALN可以有效地改善其压电性能。然后，可以根据掺杂的硝化铝板进一步改善压电mems麦克风的性能指数。[1] Y. Seo，D。Corona和N. A.Hall，“关于压电麦克风的理论最大可实现的信噪比（SNR），”传感器和执行器A，2017年。[2] VM1000低噪声底部端口麦克风数据表，Vesper Technologies Inc，2017年。[3] Y.-C。 Chen，S.-C。[3] Y.-C。 Chen，S.-C。lo，S。Wang，Y.-J。Wang，M。Wu和W. Fang，“在PZT/SI Unimorph Cantilever设计上，用于增强压电MEMS麦克风的信噪比，”，《微机械和微工程学杂志》，第1卷。31，105003（16pp），2021。
ATC 电阻器和终端：工程指南
限制电阻膜的温度需要具有高热导率的绝缘基板。其他理想特性包括微波频率下与温度无关的（在合理范围内）介电常数、物理强度、对薄膜电阻材料的良好粘附性、对微电子组装中使用的湿气和加工化学品的抗性。在美国，多年来，氧化铍 (BeO) 一直是满足这些要求的首选基板——尽管 BeO 粉尘和粉末已知具有危险性并且需要特殊的处理和处置技术。然而，国际社会反对使用 BeO，因此近年来，替代材料氮化铝 (AlN) 的使用越来越多。表 1 比较了 AlN 和 BeO 的典型特性；99% 氧化铝的数据仅供参考。
格拉斯哥社区学习与发展行动计划2022-24
KPI- ESOL学习计划的参与者人数。 kpi- ESOL学习计划的参与者人数获得资格。 KPI- ALN学习计划的参与者人数。 kpi- ALN学习计划的参与者人数获得资格。 kpi-盖尔语学习计划的参与者人数。 kpi-盖尔学习计划的参与者人数获得了资格。 kpi-其他终身学习计划的参与者人数。 kpi-其他终身学习计划中获得资格的参与者人数。 kpi-关于16至19岁目的地的参与度量统计 - 随着时间的推移趋势（苏格兰技能开发）KPI-学校LEAVER目的地报告：积极目的地 - 趋势随着时间的推移（技能发展）（技能发展）KPI- ESOL学习计划的参与者人数。kpi- ESOL学习计划的参与者人数获得资格。KPI- ALN学习计划的参与者人数。kpi- ALN学习计划的参与者人数获得资格。kpi-盖尔语学习计划的参与者人数。kpi-盖尔学习计划的参与者人数获得了资格。kpi-其他终身学习计划的参与者人数。kpi-其他终身学习计划中获得资格的参与者人数。kpi-关于16至19岁目的地的参与度量统计 - 随着时间的推移趋势（苏格兰技能开发）KPI-学校LEAVER目的地报告：积极目的地 - 趋势随着时间的推移（技能发展）（技能发展）
低温溅射沉积亚微米氮化铝薄膜的高热导率
摘要：氮化铝 (AlN) 是少数具有优异导热性的电绝缘材料之一，但高质量薄膜通常需要极高的沉积温度 (>1000°C)。对于密集或高功率集成电路中的热管理应用，重要的是在低温 (<500°C) 下沉积散热器，而不会影响底层电子设备。在这里，我们展示了通过低温 (<100°C) 溅射获得的 100 nm 至 1.7 μ m 厚的 AlN 薄膜，将其热性能与其晶粒尺寸和界面质量相关联，我们通过 X 射线衍射、透射 X 射线显微镜以及拉曼和俄歇光谱对其进行了分析。通过反应性 N 2 的分压控制沉积条件，我们实现了 ∼ 600 nm 薄膜热导率 ( ∼ 36 − 104 W m − 1 K − 1 ) 的 ∼ 3 × 变化，上限范围代表室温下此类薄膜厚度的最高值之一，尤其是在低于 100°C 的沉积温度下。还可以从热导率测量中估算出缺陷密度，从而深入了解 AlN 的热工程，可针对特定应用的散热或热限制进行优化。关键词：热导率、氮化铝、生产线后端、热传输、溅射沉积、低温、电力电子
三甲基铝与分子氧和水的反应机理
III-VI 族材料一直受到广泛关注，部分原因是它们是可用于光伏或光电子应用的宽带隙半导体材料 [1–5] 。三甲基铝 (TMA) 是众所周知的铝源，用于半导体制造以通过原子层沉积 (ALD) 或金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 的不同工艺生长薄膜，例如 Al 2 O 3 和氮化铝 (AlN) [6–11] 。Al 2 O 3 薄膜在许多不同的应用中作为绝缘体和钝化层发挥着重要作用，它是通过 ALD 沉积的第一个介电氧化物，尽管该工艺中的前体是 AlCl 3 和水 [12] 。使用 TMA 制备 Al 2 O 3 薄膜的原因是三甲基铝在室温下是一种热稳定的高蒸气压 (8.4 Torr) 液体，并且容易与水反应生成 Al 2 O 3 。氮化铝 (AlN) 的有趣特性包括一系列独特的物理特性，从大带隙 (6.2 eV) 和高电阻率，到低介电损耗和高热导率 [13] 。因此，AlN 薄膜在电子领域具有广泛的应用，例如金属-绝缘体-半导体器件中的绝缘层 [14] ，