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热电材料能够实现热和电的直接转换,在制冷和发电方面有着良好的应用前景,引起了人们的广泛关注。考虑到更广泛的应用场景和在室温(RT)附近更大的需求,在过去的几十年里,在室温附近具有高性能的 TE 材料引起了广泛的研究关注。材料的 TE 性能通过其无量纲性能系数 zT = S 2 σT/(κ e +κ L ) 来判断,其中 S、σ、T、κ e 和 κ L 分别为塞贝克系数、电导率、绝对温度、热导率 κ 的电子和晶格分量。到目前为止,Bi 2 Te 3 基合金是唯一在 RT 附近具有理想 zT 值的商业化材料,而 n 型 Mg 3 Sb 2 最近被认为是另一种有前途的 TE 材料,其 zT 在 RT 附近约为 0.8。 Bi 2 Te 3 和 Mg 3 Sb 2 均具有本征的低晶格热导率κL,这是其高TE性能的基础之一。1-4
收稿日期:2017 年 1 月 X 日;修订日期:2017 年 2 月 X 日;接受日期:2017 年 3 月 X 日 摘要 增材制造 (AM) 因其高材料利用率和产品设计灵活性而受到越来越多的关注。WAAM 的特点是能够管理各种金属材料和高沉积速度。然而,它的形状精度低于通过其他 AM 工艺积累的形状精度,并且需要精加工作为后处理。此外,由金属组成的 AM 积累由于反复熔化和快速凝固而具有复杂的热历史。因此,使用 SUS316L 奥氏体不锈钢,其积累的微观结构中会发生树枝状生长。因此,与等粒结构相比,不锈钢的机械性能(例如延展性和屈服强度)是各向异性的。因此,我们在此提出了一种结合线材和电弧增材制造 (WAAM) 和精加工系统的新系统。在该方法中,当熔融金属凝固时,通过旋转工具进行精加工。使用新系统进行实验,以抑制 WAAM 累积产生的各向异性微观结构。作为旋转工具,使用切削工具和摩擦搅拌抛光 (FSB) 工具。进行微观结构观察和 X 射线衍射分析以评估累积的各向异性。使用新系统,可以抑制累积中的枝晶生长。通过将上述同时处理系统应用于 WAAM 沉积的最外层,预计可以通过表面改性提高疲劳强度并简化精加工工艺。 - 关键词:线材和电弧增材制造、定向能量沉积、X 射线衍射分析、精加工工艺、切削、摩擦搅拌抛光
在某些频率下,通过抗磁性有序的磁晶体传播的光传播可以表现出与双曲线极性子相关的各种现象。由于强烈的各向异性而出现了有趣且可能有用的现象,这是由镁质 - 波利顿共鸣驱动的强烈各向异性的,包括负折射和聚焦在扁平镜头中。在双曲介质中,这种不寻常的光学器件通常在各向异性垂直或与介质的界面平行时表现出来。然而,各向异性方向可以是控制波传播的关键药物。在这里,我们探讨了如何使用这种材料特性来大幅度修改光学现象。更具体地说,我们发现,通过将光轴的方向倾斜相对于抗铁磁晶体的表面,可以获得不对称的波传播,进而可以用来将其用于横向调节由双胞胎介质制成的平面镜头的焦点。
几种Ising型磁性范德华(VDW)材料表现出稳定的磁接地状态。尽管进行了这些清晰的实验演示,但仍然缺乏对它们的磁各向异性的完整理论和微观理解。尤其是,识别其一维(1-D)的有效性限制以定量方式仍未进行研究。在这里,我们首次为原型Ising VDW磁铁FEPS 3进行了磁各向异性的完整映射。将扭矩测量值与其磁模型分析和相对论密度的总能量计算相结合,我们成功地构建了磁各向异性的三维(3-D)映射,以磁性扭矩和能量来构建。结果不仅在定量上证实了易于轴垂直于AB平面,而且还揭示了AB,AC和BC平面内的各向异性。我们的方法可以应用于VDW材料中磁性的详细定量研究。关键字:FEPS 3,扭矩测量,磁各向异性能量,Ising型磁性结构
MOF已被用作抗菌物质,因为它们本质上是无毒的且稳定的。银基MOF(AG-MOF)由于其广泛的有效抗菌特性而被认为是理想的抗菌材料。48此外,将表面活性剂49添加并固定在固体底物上的MOF 50分别稳定了分散的MOF并提高其水性稳定性,从而改善了其抗菌活性。MOF提供了与传统材料有关药物传递应用的有希望的好处,包括精确控制孔径的大小和形状,以及修改组合和结构的能力,以及展示的生物降解性,出色的加载能力,受控药物释放以及提供多样性功能的能力。51
电离辐射计量中心摘要。放射性核素中子源为各种中子测量装置提供了一种产生标准中子校准场的便捷方法。需要知道源的以下属性才能表征某一点的场:总中子发射率、中子能谱以及发射强度随角度的变化。假设光谱随角度的变化对于大多数应用而言可以忽略不计。放射性核素中子源的总发射率可以在国家物理实验室 (NPL) 通过硫酸锰浴技术绝对测量,或通过慢化探测器进行比较测量。各种常用源的中子能谱可在公开文献中找到。本报告描述了 NPL 用于测量放射性核素中子源各向异性发射的方法。给出了相对于各种源类型和封装的圆柱轴的测量中子角分布。还给出了使用蒙特卡洛传输代码 MCNP 计算的分布,这些分布通常与测量的分布具有良好的一致性。
摘要:光学各向异性在塑造光学特性和设计尖端设备方面具有更高的灵活性。Quasi One维TA 2 NIS 5,具有巨大的光学各向异性,已用于新的激光器和传感器的开发中。在这项研究努力中,我们成功地采集了TA 2 NIS 5的完整介电张量,利用了Mueller基质光谱椭圆的先进技术,从而实现了对其光学各向异性的严格定量评估。结果表明TA 2 NIS 5展示了巨大的双重双重和二分色,ΔN最大值= 1.54和∆ K max = 1.80。这种追求还介绍了这种光学各向异性的基本基础,并借鉴了第一个原理计算和关键点分析的融合。TA 2 NIS 5的各向异性源于不同方向的光学跃迁的差异,并且被证明是由于van Hove的奇异性而没有激子效应。其巨大的光学各向异性有望在新型光学设备的设计中有用,并且物理机制的启示促进了其光学特性的调节。