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4H-SiC中高N原子密度层结构及各向异性的第一性原理研究
位点（六边形 h 或准立方 k）。Si(0) 表示不与 NC 原子相邻的 Si 原子数；而 Si(1) 和 Si(2) 分别表示与一个和两个 NC 原子相邻的 Si 原子数。
拥抱各向异性#含能材料先进制造功能应用的机遇与挑战
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c 面 GaN 模板和蓝宝石衬底上 -Ga2O3 薄膜的晶体各向异性
β -氧化镓（β -Ga 2 O 3 ）的带隙约为4.9 eV [ 1 ]，作为一种新兴的超宽带隙半导体，近年来得到了广泛的研究。由于其具有成熟的块体材料制备、优异的Baliga 品质因数和高电子迁移率等优点[ 2 ]，β -Ga 2 O 3 被认为是一种很有前途的日盲紫外（UV）光电探测器、气体传感器、紫外透明导体和大功率电子器件的候选材料[ 3 ，4 ]。虽然块体β -Ga 2 O 3 是外延生长高质量β -Ga 2 O 3 薄膜的理想衬底，但其昂贵的成本和较差的热导率仍然阻碍了同质外延的商业化。因此，在低成本、大尺寸衬底上异质外延β -Ga 2 O 3 薄膜仍然具有重要意义。
超导性有助于垂直磁各向异性的变化，v/mgo/fe连接
控制薄膜中垂直磁各向异性（PMA），近年来由于其技术重要性而受到了相当大的关注。基于PMA的设备通常涉及重金属（氧化物）/铁磁 - 金属双层，在此，由于界面自旋 - 轨耦合（SOC），磁化的平面内（IP）稳定性被损坏了。在这里我们表明，在v/mgo/fe（001）中，具有竞争的面板内和平面外（OOP）磁各向异性的外延连接，SOC介导的相互作用（Fermagnet（FM）（FM）和超导体（SC）之间的相互作用可增强有效的PMA以下超导管过渡的有效PMA。这会产生部分磁化重新定位，而除了最大的连接外，没有任何应用领域，其中IP各向异性更强大；对于最小的连接，由于IP和OOP各向异性之间的竞争更强，诱导完全OOP转变（H OOP）所需的场所降低。我们的结果表明，在存在超导性和施加的电场的情况下，有效PMA的程度可以由连接横向大小控制。我们还讨论了HOOP场如何受到磁性杂散场与超导涡流之间的相互作用的影响。我们的实验发现，由铁磁体 - 螺旋体相互作用的数值建模，开放途径，可以主动控制新兴无耗散的超导旋转电子产品中的磁各向异性的开放途径。
强的非线性光学过程具有非凡的极化各向异性的反感对称性损坏的二维PDPSE
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定向能量沉积 316L 钢中纹理各向异性和硬度随构建参数和壁高的变化
定向能量沉积 (DED) 是一种新兴技术，可用于修复关键的航空航天部件。研究表明，DED 部件的机械性能在整个零件过程中变化很大，因此很难达到这些应用所需的过程控制水平。使用现场捕获的热数据，计算出冷却速率和熔池尺寸，并将其与 EBSD 捕获的最终晶粒结构关联起来。冷却速率的变化解释了不同加工参数之间以及构建高度的微观结构变化。实施了一种使用累积各向异性因子的新方法，将硬度变化与晶粒结构关联起来。根据 316L 中的线性热输入发现了两种情况，高线性热输入导致部件级别上大量的机械各向异性。热特征和机械性能之间的关系表明，可以通过使用同轴摄像机监测和控制熔池大小来实现对各向异性的严格控制。
声波诱导的FMR辅助自旋变速器的垂直MTJ具有各向异性变化
我们已经研究了垂直磁性共振（FMR）辅助自旋转移扭矩（STT）垂直MTJ（P-MTJ）的辅助旋转转移扭矩（STT）切换，并使用微磁模拟使用包括热噪声效应的微磁模拟使用不均匀性。具有适当的频率激发，锯可以在磁刻录材料中诱导铁磁共振，并且磁化强度可以在圆锥体中进攻，从垂直方向高挠度。随着通过侧向各向异性变化以及室温热噪声掺入不均匀性的情况下，不同增长的磁化进攻可能显着不合同。有趣的是，即使在不同各向异性的晶粒之间，不同晶粒的进动物也处于相位状态。然而，由于声感应的FMR引起的高平均挠度角可以通过显着降低STT电流来补充STT开关。即使施加的应力诱导的各向异性变化远低于总各向异性屏障。这项工作表明，锯诱导的FMR辅助开关可以提高能源效率，同时可扩展到非常小的尺寸，这对于STT-RAM在技术上很重要，并阐明了这种范式在具有热噪声和材料不显着性的现实情况下这种范式在现实情况下的潜在鲁棒性的物理机制。
光栅栅控 AlGaN/GaN 二维电子气中的原位可调巨电各向异性
Ting-Ting Wang 1,2 , Sining Dong 1,2,* , Chong Li 1,2 , Wen-Cheng Yue 1,2 , Yang-Yang Lyu 1,2 , Chen-Guang Wang 1,2 , Chang-Kun Zeng 1 , Zixiong Yuan 1,2 , Wei Zhu 3 , Zhi-Li Xiao 4, 5 , Xiaoli Lu 6 , Bin Liu 1 , Hai Lu 1 , Hua-Bing Wang 1,2,7 , Peiheng Wu 1,2,7 , Wai-Kwong Kwok 4 and Yong-Lei Wang 1,2,7,*