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World File Search Systemanisotropy
单层硫化物硫化物卤化物具有高迁移率转运各向异性和高效的光收集
摘要：具有较高载流子迁移率的二维半导体的发现和设计对于高速电子和光电设备至关重要。在此基于高通量计算的基础上，我们确定了一组半导体，硫磺halide halides irsx'（x'= f，cl，br，i），具有较高的载流量（〜10 3 cm 2 v-1 s-1）和高效的光收获（〜34％）。此外，这些材料表现出各向异性的平面运输行为，这是通过铁弹性开关进行切换的，从而提供了单层IRSX的巨大潜力，可用于在方向控制的高速电子和Optoelectronic设备中应用。高载体迁移率和各向异性转运是源自在矩形晶格中的传导带最小值（CBM）和价带最大值（VBM）的IR原子3D轨道的各向异性分布。ML IRSX's（X'= F，Cl，Br）显示出良好的动力学和热稳定性，并且根据相图计算在热力学上稳定，因此未来值得实验实现。
社论：纳米材料的光学和机械表征的最新趋势
具有纳米级尺寸，高密度和低能消耗的未来自旋设备的希望激发了人们对范德华的异质结构的搜索，从而稳定拓扑受保护的旋转自旋纹理，例如磁性天空和域壁。将这些引人注目的特征转化为实用的设备，一个关键的挑战在于实现对磁各向异性能量的有效操纵和Dzyaloshinskii-Moriya（DM）相互作用，这是确定天空的两个关键参数。通过第一个原理计算，我们证明了二维Fe 3 Gete 2 /in in 2 Se 3中的极化诱导的反转对称性的破裂，确实会导致界面DM相互作用。强的自旋轨道耦合触发Fe 3 Gete 2 /in 2 Se 3异质结构的磁各向异性。Fe 3 Gete 2中的磁各向异性和DM相互作用可以通过2 SE 3中的铁电偏振良好控制。这项工作为基于范德华异质结构的自旋设备铺平了道路。
用于绝缘体自旋电子学的 3d–5d 钙钛矿氧化物复合膜中绝缘亚铁磁性和垂直磁各向异性的出现
摘要：具有强垂直磁各向异性 (PMA) 的磁绝缘体在探索纯自旋流现象和开发超低耗散自旋电子器件中起着关键作用，因此它们在开发新材料平台方面非常有吸引力。在这里，我们报告了具有不同晶体取向的 La 2/3 Sr 1/3 MnO 3 (LSMO)-SrIrO 3 (SIO) 复合氧化物薄膜 (LSMIO) 的外延生长，该薄膜通过脉冲激光沉积的连续双靶烧蚀工艺制成。LSMIO 薄膜表现出高晶体质量，在原子级上具有 LSMO 和 SIO 的均匀混合物。观察到亚铁磁和绝缘传输特性，温度相关的电阻率与 Mott 可变范围跳跃模型很好地拟合。此外，LSMIO 薄膜表现出强的 PMA。通过进一步构建亚铁磁绝缘体LSMIO和强自旋轨道耦合SIO层的全钙钛矿氧化物异质结构，观察到显著的自旋霍尔磁阻（SMR）和自旋霍尔类异常霍尔效应（SH-AHE）。这些结果表明亚铁磁绝缘体LSMIO在开发全氧化物超低耗散自旋电子器件方面具有潜在的应用价值。关键词：钙钛矿氧化物，磁性绝缘体，垂直磁各向异性，自旋霍尔磁阻，自旋电子学■引言
工程周期性的双灯笼导向网络，具有可调能级对齐和磁各向异性的金属交换
在这方面，在过去几年中，已经对基于灯笼的单分子杂志（SMM）进行了深入研究，目的是针对分子水平的杂志稳定和较高密度存储应用的稳定。[5,12–19]缓慢的松弛时间，高磁矩和灯笼的可靠地面状态使其非常适合分子自旋的应用。[5,12,13]灯笼驱动的SMM方法的逻辑扩展将是包含灯笼的定期网络的工程，该网络可以充当主动磁性信息单位。在过去的几十年中，金属分子方案已成为一种强大的策略，用于设计嵌入金属元件的功能性网状材料。[20–22]这种合成范式也已经在表面上开发，能够设计2D金属 - 有机设计，主要采用过渡和碱金属。[23–25]
通过金属交换设计具有可调能级排列和磁各向异性的周期性双核镧系元素定向网络
在这方面，近几年来，人们对基于镧系元素的单分子磁体 (SMM) 进行了深入研究，旨在在分子水平上稳定磁矩并开发更高密度的存储应用。[5,12–19] 镧系元素的缓慢弛豫时间、高磁矩和双稳态基态使其非常适合分子自旋电子学应用。[5,12,13] 镧系元素驱动的 SMM 方法的合理延伸是设计包含镧系元素的周期性网络，这些网络可以充当活性磁信息单元。在过去的几十年里，金属超分子协议已经成为一种设计嵌入金属元素的功能性网状材料的有力策略。[20–22] 这种合成范式也在表面上得到了发展，能够设计二维金属有机设计，主要采用过渡金属和碱金属。[23–25]
使用机器学习对材料的多尺度建模
Crystal systems/structures, symmetry, anisotropy, tensorial representation of crystal properties Multiscale hierarchical microstructure (polycrystals, grains, sub- structures, defects, and atoms) and its effect on properties ML algorithms: supervised, unsupervised and reinforcement learning methods Conventional Multiscale Modeling of Materials (L12+T4)
标题 使用锆-铍对活化探测器进行等离子体聚焦中子能量和各向异性测量 作者 SV Springham、R. Verma、
图 4：（蓝色）脉冲高度分析仪 (PHA) 光谱，来自锆激活 BGO 探测器，位于 PF 轴 0° 处，累积了 7 个系列的拍摄，每个系列 16 次拍摄，每个拍摄的门间隔为 3.0 秒，连续 112 次 PF 拍摄的累计有效时间 = 336 秒。（绿色）实验室背景辐射的 PHA 光谱，有效时间 = 160 分钟 = 9600 秒，但缩小到 336 秒有效时间。在次轴上：（红色）净（背景减去）PHA 光谱，和（黑色）MCNP5 模拟的 BGO 能量光谱，用于 ¦¦¦ 发射的 γ 射线。灰色虚线框表示 SCA 能量窗口。 SCA 能量窗口内每次发射的计数为： 、 、 、 、 、 。 。 。 PHA bin 宽度为 1.93 keV。
引用：Lyu JB，Zhu T，Zhou Y，Chen ZM，Pi Yz等。材料各向异性及其应用
逆设计着重于识别光子结构以优化光子设备的性能。常规的基于标量的逆设计方法不足以设计各向异性材料（例如Lithi-Um Niobate（LN））的光子设备。据我们所知，这项工作首次提出了Aniso-Tropic材料的反设计方法，以优化基于各向异性的光子学设备的结构。具体而言，伴随方法中包括各向异性材料的定向性特性，该方法在此类材料中提供了更精确的光传播预测。所提出的方法用于设计X-CUT薄膜锂锂（TFLN）平台中的超紧凑型波长分裂多路复用器。通过通过基于经典标量的逆设计将我们方法的设备性能进行基准测试，我们证明了该方法正确解决了X-CUT TFLN平台中材料各向异性的批评问题。这种提出的方法填补了基于各向同性材料的光子设备的反向设计的空白，该空格在TFLN平台和其他基于各向异性的光子积分平台中找到了突出的应用。
71磁各向异性和运输...
在这里，我们报告了金属Kagome Ferromagnet Fe 3 Sn中的磁依属性各向异性（MAE）和电荷运输的相互作用。我们揭示了纵向电阻率和异常电阻率的大型各向异性。我们的发现表明，霍尔电阻率的各向异性比在宽温度范围内（2K≤t≥300K）在磁环替型各向异性（K u）线性缩放（k u）（图1（a）），表明旋转式耦合（SOC）是驱动两种旋转型机制和驱动Anisotropic promities的基础机制。材料特异性的Ab-Initio计算进一步表明，由自旋轨道耦合引起的FERMI水平附近的频带的磁重建负责浆果曲率的各向异性行为（图1（B- C）），因此，对于Fe 3 Sn中的大型动态HALL效应。
光子传播代码（PPC）：概述
Wham（2011）42％Spice 1（2009）29％Spice 2，2+，2x，2y（2010）增加了冰层倾斜倾斜Spice Mie（2011）适合散射功能29％Spice Lea（2012）适合散射各向异性20％Spice 20％Spice（Munich）（Munich）（Munich）（2013年）7-string Forling 17％Spice 3（cobe）fif forpition 1 fort fiveling 1 forles fiveling 1 forles lifes 3（cobe）（2014）（2014年）（2014年）（2014年）（2014年）（2014年）（2014年）（2014年） 11％Spice 3.0（2015）改进了RDE，Ang。sens。拟合10％Spice 3.1，3.2（2016）85弦，相关模型拟合<10％Spice HD，3.2.2（2017）直接HI和DOM Sens。，电缆，DOM TILT SPICE EMRM（2018）基于吸收的基于吸收的基于吸收的单Spice BFR（2020）基于双重双歧杆（2020）基于双重的Anisotropy Bfr+Spice+2022222222222222（202各向异性，2D倾斜