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压缩碳相的异常热传输
碳材料显示出有趣的物理特性，包括在石墨烯中发现的超导性和高度各向异性的热导率。压缩应变可以在碳材料中诱导结构和键合跃迁并创建新的碳相，但是它们与导热率的相互作用仍然在很大程度上没有探索。我们使用Picsecond瞬时热室内和第一原理计算研究了压缩石墨阶段的原位高压导热率。我们的结果表明，在15 - 20 GPA时峰值至260 W = MK峰值，但降至3。0 W = 〜35 GPA的MK。与免费的原位拉曼和X射线衍射结果一起，压缩碳的异常热导率趋势归因于声子介导的电导率，受层间屈曲和SP 2的影响，SP 2转换为SP 3过渡，然后，M-Carbon Nanocrystals和Nananocrystals和Nananocrystals和Amorphous Carbos的形成。应变诱导的结构和键合变化提供了碳材料中热和机械性能的广泛操作。
异常健康事件 (AHI) 态势感知...
Forsten 博士于 2020 年 10 月从美国陆军退役，在美国军队服役超过 30 年。他于 2022 年 11 月调至华盛顿特区 VA 战争相关疾病和伤害研究中心 (WRIISC)。Forsten 博士曾担任过多个 O6 级指挥官，并担任过三星级和四星级参谋外科医生。他曾被派往伊拉克、阿富汗并支持美国的人道主义任务。Forsten 博士还曾担任美国陆军特种作战部队的指挥精神病学家六年。
范德华力异常电阻率上升......
10 Junho Seo、Duck Young Kim、Eun Su An、Kyoo Kim、Gi-Yeop Kim、Soo-Yoon Hwang、Dong Wook Kim、Bo Gyu Jang、Heejung Kim、Gyeongsik Eom、Seung Young Seo、Roland Stania、Matthias Wontwiler、Jinwon Lee、Kenji Watana Joe Be、Jon Il Jun Hanigu Tanyung Yeom、Si-Young Choi、Ji Hoon Shim 和 Jun Sung Kim，Science Advances 6 (3)，eaay8912 (2020)。
厚 Al0.85Ga0 中的异常过量噪声行为。...
Al 0.85 Ga 0.15 As 0.56 Sb 0.44 由于其电子和空穴电离系数之间的比率非常大，因此作为 1550 nm 低噪声短波红外 (SWIR) 雪崩光电二极管 (APD) 的材料最近引起了广泛的研究兴趣。这项工作报告了厚 Al 0.85 Ga 0.15 As 0.56 Sb 0.44 PIN 和 NIP 结构的新实验过剩噪声数据，测得的噪声在比以前报告的乘法值高得多的倍增值下（F = 2.2，M = 38）。这些结果与经典的 McIntyre 过剩噪声理论不一致，该理论高估了基于该合金报告的电离系数的预期噪声。即使添加“死区”效应也无法解释这些差异。解释观察到的低过量噪声的唯一方法是得出结论，即使在相对较低的电场下，该材料中电子和空穴碰撞电离的空间概率分布也遵循威布尔-弗雷歇分布函数。仅凭电离系数的知识已不足以预测该材料系统的过量噪声特性，因此需要提取该合金的电场相关电子和空穴电离概率分布。
NiCo2O4 薄膜中的异常 Nernst 和 Seebeck 效应
我们研究了 NiCo 2 O 4 (001) 外延膜中的塞贝克效应和异常能斯特效应，其中优先磁化方向垂直于薄膜平面。由于热电信号极小，我们定制了一个测量系统来检测微弱的电压信号。为了抑制来自测量电路中电触点的杂散电压信号，我们采取了以下措施。我们减少了带有超导磁体的商用低温恒温器输出与纳伏表之间的电触点数量。我们在制作电触点时采用银焊以降低剩余触点处的热电动势电压。通过采用这些措施，我们成功检测到小至 5 nV 的热电电压。与传统的铁磁金属相比，NiCo 2 O 4 的观测热电效率非常小。
脑血清素能纤维建议异常扩散 -
随机辍学已成为人工神经网络（ANN）中的标准正则化技术，但是目前尚不清楚生物神经网络（Bionns）中是否存在类似机制。如果这样做，它的结构可能会通过数亿年的进化来优化，这可能表明大规模ANN中的新型辍学策略。我们建议大脑血清素能纤维符合一些预期的标准，因为它们的存在，随机结构和在整个人的寿命中成长的能力。由于血清素能纤维的轨迹可以建模为异常扩散过程的路径，因此，在这项概念验证研究中，我们研究了基于超级产生分数布朗尼运动（FBM）的辍学算法。这项研究有助于ANN中受生物启发的正则化。
高弹性超导SRTIO3薄膜中的异常运输
对半导体转运的微妙影响的研究需要高质量密度的高质量外延结构。使用杂交分子束外延（MBE），低温迁移率超过42,000 cm 2 v -1 s -1的SRTIO 3膜在3×10 17 cm -3的低载体密度下进行。在第二个LIFSHITZ的过渡中观察到了残留电阻率突然而急剧下降，并伴随着超导过渡温度的增强，在该转变中，第三个带被占据，揭示了主要的内映射散射。这些薄膜进一步揭示了由于抗扭曲（AFD）过渡和霍尔散射因子的温度依赖性而导致霍尔载体密度的异常行为。使用混合MBE的生长，现象学模型，依赖温度的转运测量以及扫描超导量子干扰装置成像，我们提供了对srtio srtio srtio和超电导性能的Intera-Inter-trance inter-trance inty vtilus contrative contress inter-trance sctivation和AFD结构壁的重要作用的关键见解。
异常健康事件（AHI）急性评估培训
•Miriam Roth和Casey Becker没有相关的财务或非财务关系来披露与此活动内容有关的。•本演讲中表达的观点是作者的观点，不一定反映国防部的官方政策或立场，也不一定反映美国政府的官方政策或立场。•这种继续教育活动由国防卫生局J7继续教育计划办公室（DHA J7 CEPO）管理和认可。DHA J7 CEPO以及所有认可的组织都不支持或认可财务或非财务利益。•DHA J7 CEPO以及活动计划者和审稿人没有相关的财务或非财务利益可以披露。•未收到此活动的商业支持。