XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search Systemarray
hipass：SmallSats的高功率刚性阵列解决方案
版权所有02/2021 Redwire Corporation。Redwire保留进行更改的权利，而无需进一步通知此处的任何产品。Redwire不对其产品适合任何特定目的的适用性做出任何保证，代表性或保证，也没有承担任何责任。“典型”参数，包括“典型”，必须由客户的技术专家为每个客户应用程序验证。Redwire不会在其专利权或他人的权利下传达任何许可证。Redwire产品未设计，打算或授权用作系统中的组件或任何其他应用，其中Redwire产品可能会造成可能发生人身伤害或死亡的情况。应购买或使用Redwire产品用于任何此类预期或未经授权的申请，买方应赔偿并持有Redwire及其官员，雇员，子公司，子公司，附属机构和分销商无害的索赔，成本，成本，损害，损害和费用以及任何与此类造成的损害，即使索赔，即使有任何损害，即使是个人损益，或者有任何损害，即索赔声称，Redwire认为该零件的设计或制造是疏忽大意的。redwire是一个平等的机会/平权行动雇主。该文献受所有适用的版权法的约束，并且不会以任何方式转售
用于急性脑切片记录的多电极阵列
这些信号可以是动作电位（单个尖峰或群体尖峰）或由同步兴奋性和/或抑制性突触传递引起的神经元膜电位变化。在海马体、皮质和小脑等大脑结构中，神经元以众所周知的层状排列。因此，可以使用一个或两个 MEA 电极刺激一组神经元，而连接神经元的相应“响应”可以由距离刺激点几百微米或毫米的另一组电极记录。在这种情况下，可以记录兴奋性突触后电位 (EPSP)，因为来自特定区域的神经元组通常会在响应单个刺激时显示同步且可重复的活动。
FBGA——细间距球栅阵列
JCET 徽标是长电科技集团股份有限公司的注册商标。该商标在中华人民共和国注册（注册号：3000529）。此处的所有其他产品名称和其他公司名称仅供识别之用，可能是其各自所有者的商标或注册商标。本手册以及此处的数据表仅供展示之用，长电科技或其子公司不保证或作出任何明示、暗示或法定的准确性、充分性、可靠性、完整性或其他方面的陈述。建议读者在做出任何决定之前，随时寻求专业建议并获得对此处包含的信息的独立验证。长电科技保留随时更改信息的权利，恕不另行通知。©版权所有 2019。长电科技集团股份有限公司。保留所有权利。
便携式多媒体终端贴片阵列天线
技术转让和工业接口部 (TTID)、PPG 空间应用中心 (SAC)、ISRO、Ambawadi Vistar、艾哈迈达巴德 - 380 015 电子邮箱：ttid@sac.isro.gov.in 传真：079-26915817 https://www.sac.gov.in/SAC_Industry_Portal
dalc208.pdf - 低电容二极管阵列 - STMicroelectronics
串扰现象是由于两条线路之间的耦合引起的。当线路间隙减小时，耦合系数（β 12 或 β 21）会增加，尤其是在硅片中。在图 13 的示例中，负载 R L2 上的预期信号为 α 2 V G2 ，实际上此时的实际电压有一个额外的值 β 21 V G1 。V G1 信号的这一部分表示线路 1 的串扰现象对线路 2 的影响。当驱动器在干扰线路中施加快速数字数据或高频模拟信号时，必须考虑这种现象。如果受干扰线路使用低压信号或高负载阻抗（几 k Ω），则受干扰线路会受到更大的影响。以下部分给出了数字和模拟串扰的值。
开发CMOS兼容的碳纳米管阵列...
1个新加坡639798 Nanyang Ave 639798的Nanyang Technological University，Nanyang Technological University的电气和电子工程学院微型和纳米电子和电子工程学院（CMNE）； chunfei001@e.ntu.edu.sg（c.f.s.）; e190013@ntu.edu.sg（l.y.x.l.）; chongwei@ntu.edu.sg（c.w.t.）; lxhu@ntu.edu.sg（L.H.）; tancs@ntu.edu.sg（c.s.t.）2 CNRS-NTU-THALES研究联盟/UMI 3288，研究技术广场，50 Nanyang Ave，边界X块，6级，新加坡637553，新加坡； jxwang@ntu.edu.sg（J.W.）; simon.goh@ntu.edu.sg（s.c.k.g.）; philippe.coquet@cnrs.fr（p.c.）; ehongli@ntu.edu.sg（H.L.）3 Institut d'Electronique, de Micro Electronique et de Nanotechnologie (IEMN), CNRS UMR 8520-Universit é de Lille, 59650 Villeneuve d'Ascq, France 4 School of Mechanical and Aerospace Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Ave, Singapore 639798, Singapore * Correspondence: ebktay@ntu.edu.sg†两位作者对此手稿都同样贡献。
二维可重构非厄米规范激光阵列
光子非厄米系统中的拓扑效应近期引发了一系列非凡的发现，包括非互易激光、拓扑绝缘体激光器和拓扑超材料等等。这些效应虽然在非厄米系统中实现，但都源于其厄米分量。本文，我们通过实验证明了由二维激光阵列中的虚规范场引起的拓扑趋肤效应和边界敏感性，这与任何厄米拓扑效应有着根本的不同，并且是开放系统所固有的。通过选择性地和非对称地向系统中注入增益，我们在芯片上合成了一个虚规范场，它可以根据需要灵活地重新配置。我们不仅证明了非厄米拓扑特征在非线性非平衡系统中保持不变，而且还证明了可以利用它们来实现强度变形的持久相位锁定。我们的工作为具有强大可扩展性的动态可重构片上相干系统奠定了基础，对于构建具有任意强度分布的高亮度源具有吸引力。
标题：下丘脑大脑切片中的多元素阵列记录运行的头部：穿孔的多电极阵列记录作者
标题：下丘脑脑切片中的多峰阵列记录跑步头：穿孔多电极阵列记录作者：Mino D. C. Belle 1,2，BeatrizBaño-Otalora 1和Hugh D.Piggins 1
现场可编程门阵列整体保证流程
1.1. 确定并定义具体的保障级别 ...................................................................................................................... 2 1.2. 制定具体标准 ...................................................................................................................................... 3 1.3. 确定一组已知的相关威胁 ................................................................................................................ 5 1.4. 确定每种威胁与哪种保障级别相关 ...................................................................................................... 5 1.5. 确定针对威胁的常见缓解措施 ............................................................................................................. 6 1.6. 与供应商和利益相关者合作 ...................................................................................................................... 7 2. 检测并缓解威胁 ............................................................................................................................. 8 3. 了解并应对攻击 ............................................................................................................................. 9 4. 使用保障流程 ............................................................................................................................. 9 5. 结论 ............................................................................................................................................. 10 附录 A：标准化术语 ............................................................................................................................. 11 附录 B：LoA1 缓解概述 ................................................................................................................ 14