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瑞典 Esrange 公司针对极地夏季长时气球任务上升阶段基于真实数据的热环境定义
长时间气球任务是科学研究和空间技术开发的重要平台。这种系统的热分析对于任务的成功至关重要。尽管科学研究通常在漂浮高度进行，但上升阶段通常不进行操作，而上升阶段会出现极冷条件，这是由于相对风速引起的对流效应以及对流层顶的低温，使这种情况成为一个典型案例。本文对上升过程中的热环境条件进行了深入研究，特别是获得了风、温度和辐射热负荷与高度的关系。该研究基于从不同来源获得的真实数据，包括大气探测、雷达和卫星，以及细致的统计处理。这项研究的重点是欧洲主要的平流层气球发射场之一 Esrange（瑞典），这是瑞典航天公司的中心，分析是在夏季进行的。但是，该方法可以扩展到任何其他位置和时期。例如，研究了水平风对平板的对流效应，并量化了上升阶段的热传递。在这种情况下发现过冷度约为 7 °C，这值得进行专门的分析。
朝着新的插图？超然的十年
从那时起，我们每年都按照相同的模型出版一本书：关键人物在其专业中撰写的文章收集，这些文章涉及影响我们生活的基本问题的不同方面或观点，这些问题或确定我们的生活的基本问题：从全球化到指数级技术的影响，通过当前的伦理问题，通过巨大的伦理问题，在数字时代或未来的欧洲未来的公司变化。 div>首次冠军的极好接收使我们在2011年创建了OpenMind（www.bbvaopenmind.com），这是一个在线社区，是对知识进行辩论和传播的在线社区。 div>从那时起，OpenMind就已经成长了很多，因此除了书籍，帖子，报道，信息图表，视频，播客外，除了不同的书籍外，还通过不同的格式，一系列科学，技术，社会和人文主义主题，越来越重视视听材料。 div>，所有这些都是绝对免费的，用西班牙语和英语提供。 div>OpenMind的基本资产是其各自学科的三百名作者和合作者，顶级专家。 div>和另一个是它的社区：2018年，OpenMind将有大约700万次访问，全球超过500万用户和200,000个社交网络的追随者，在他们的参与下，他们的评论和我们内容的更改，为社区赋予了生命。 div>近年来，我们非常关注我们一生中所有秩序的技术革命的深刻影响。 div>在2017年的书中，下一步。 div>指数级的生活，已经分析了该革命如何在人们的经济，政治，社会，文化，价值观和日常生活中产生巨大的过渡。 div>，鉴于允许大大改善人们的身心和心理能力，他们的寿命，甚至是它们作为共存唯一的智能物种的地位，甚至可能会融合越来越智能机器的技术，甚至可能会影响我们对人类理解的一切。 div>所有这些都打开了一个新阶段，在去年的书名中，我们称之为困惑时代。 div>对我们没有指南或行动标准的变化的困惑，这转化为我们经济和政治体系的基础问题。 div>在最后一个标题中，朝着新的插图？ div>超越的十年，我们迈出了一步：我们回顾过去十年（我们项目存在的）中观察到的最重要的变化。 div>从分析中，我们研究了未来，以了解变化带来的方向以及我们应该在个人和集体层面上做出的决定。 div>
3.4 迈向硅代工厂兼容、高性能、0.25 微米栅极、高阻 200 毫米硅上的 GaN MMIC 工艺，采用 Cu 镶嵌 BEOL
在高电阻率 200 mm <111> Si 上采用 Cu 大马士革 BEOL 工艺开发与 Si 代工厂兼容的高性能 ≤0.25 µm 栅极 GaN-on-Si MMIC 工艺 Jeffrey LaRoche 1 、Kelly Ip 1 、Theodore Kennedy 1 、Lovelace Soirez 2 、William J. Davis 1 、John P. Bettencourt 1 、Doug Guenther 2 、Gabe Gebara 2 、Tina Trimble 2 和 Thomas Kazior 1 1 Raytheon IDS Microelectronics，362 Lowell St.，Andover，MA 01810 电子邮件：jeffrey_r_laroche@raytheon.com 电话：(512)-952-2927 2 Novati Technologies, Inc.，2706 Montopolis Drive，Austin，TX 78741 关键词：GaN、HEMT、硅、MBE、大马士革、200 mm 摘要 雷神公司正在开发一种 200 mm GaN on Si MMIC 工艺，该工艺适用于独立的高频 MMIC 应用，以及与 Si CMOS、SiGe BiCMOS 和其他 III-V 族的异质集成。在之前的 100 mm 和 200 mm GaN-on-Si 工作 [1-5] 的基础上，这项工作报告了在完全集成的 MMIC 方面取得的进展，以及在 200 mm 直径的 Si 晶片上实现世界上第一个 X 波段 GaN 0.25 µm 功率晶体管。这种 GaN-on-Si HEMT 在 V d = 28 V 时可提供 4.7 W/mm 的功率和 9 dB 的增益，PAE 为 49%。晶圆由商业 CMOS 代工厂 Novati Technologies 制造，采用完全减成、无金、类硅的制造方法。简介 在过去十年中，氮化镓 (GaN) 在电力电子以及高功率密度和高线性度 RF 应用中引起了广泛关注。很显然，200 mm 硅基 GaN 晶圆的大规模商业化生产将由电力电子应用推动。然而，随着这些应用开始填充 200 mm 代工厂，高性能硅基 GaN RF MMIC 应用将自然跟进，并利用大直径晶圆和背景晶圆体积来降低 RF IC 的成本。除了在 200 mm 晶圆上制造的硅基 GaN MMIC 的成本优势之外，与芯片到晶圆方法相比，大直径晶圆制造还为 GaN HEMT 与硅 CMOS 的异质集成（以实现附加功能）提供了优势。虽然与芯片到晶圆集成兼容，但 200 毫米 GaN IC 与 200 毫米 CMOS 的晶圆到晶圆异质集成在缩短互连长度和提高高密度、高性能 IC 产量方面更有前景。为了促进未来成本、产量和功能的改进，雷神公司正在高电阻率 200 上开发亚微米（≤0.25 µm 栅极）GaN-on-Si MMIC 工艺
探空气球上升建模：推导……
摘要。提出了一种新模型，以描述对流层和较低平流层中声音气球的上升（高度约为30–35 km）。与以前的模型相反，详细说明了拖动系数的变化，并且气球和大气之间的热量不平衡。为了补偿缺乏声音气球的阻力系数的数据，对拖动系数和雷诺数之间关系的参考曲线是从Lindenberg上空空气方法相互比较（Luami）竞选期间启动的流量数据集中得出的。通过溶解气球内的径向热扩散方程来解释从周围空气中的热量转移到气球中。在目前的状态下，该模型不考虑太阳能电源，即只能描述夜间气球的上升。但是，它也可以改编成代表白天的声音，其太阳辐射将其模型为扩散过程。该模型的潜在应用包括声音气球轨迹的预测，可用于提高匹配技术的准确性以及空气垂直速度的推导。通过在模型中从实际提升速率中计算出的静态空气中的气球的上升速率来获得latter。该技术可提供垂直空气运动的近似值，在对流层中的不确定性误差为0.5 m s -1，在平流层中为0.2 m s -1。提供了空气垂直速度的提取