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利用人工智能更接近实验级材料性能预测
虽然实验和 DFT 计算一直是了解晶体材料化学和物理特性的主要手段，但实验成本高昂，DFT 计算耗时长，且与实验结果存在很大差异。目前，基于 DFT 计算的预测模型为进一步进行 DFT 计算和实验的材料候选物提供了一种快速筛选方法；然而，此类模型继承了基于 DFT 的训练数据的巨大差异。在这里，我们展示了如何将 Al 与 DFT 结合使用，通过专注于预测“给定材料结构和成分的材料形成能”这一关键材料科学任务，比 DFT 本身更准确地计算材料特性。在包含 137 个条目的实验保留测试集上，Al 可以根据材料结构和成分预测形成能，平均绝对误差 (MAE) 为 0.064 eV/atom；将其与 DFT 计算进行比较，我们首次发现 Al 在同一任务上的表现显著优于 DFT 计算（差异 > 0.076 eV/atom）。
等排现象、生物等排现象、靶标、配体、受体概念……
例如，在药物候选物的代谢氧化位点用氟原子取代氢原子可能会阻止这种代谢的发生。由于氟原子的大小与氢原子相似，因此分子的整体拓扑结构不会受到明显影响，从而不会影响所需的生物活性。
工程物理学 I B.Tech CSE/EEE/IT 和 ECE
点缺陷：（零维缺陷）是由于原子在结晶过程中偏离正常位置、存在杂质原子或原子处于错误位置而产生的。这些缺陷很小，其影响范围向所有方向扩展，但仅限于小有序（两个或三个原子级）的特定区域。空位：原子从其原始晶格位置缺失。通常由于结晶过程中的热振动而产生，并受外部参数的影响。空位可能是单个、两个或更多个，具体取决于晶体类型。对于大多数晶体，为了产生一个空位，需要 1.1 eV 的热能。间隙：当相同或不同类型的原子占据规则原子位置之间的空隙时，就会出现这种缺陷。杂质原子：不属于母晶格（原始晶体）的原子。取代缺陷：当杂质原子取代或替代母原子时，就会出现这种缺陷。例如：黄铜中的锌是铜晶格中的替代原子 间隙杂质：当尺寸较小的杂质原子位于常规原子位置之间时，就会产生这种缺陷。例如：当将五价和三价杂质添加到纯 Si 或 Ge 中时，我们会得到 n 型和 P 型半导体。
iii-V光电探测器单拼合地整合在硅互连应用上
Difficult to grow III-V on Si with high crystal quality due to mismatch in lattice constant & thermal expansion coefficient (CTE), and polarity Lattice constant mismatch: Crystal configuration (atom spacing) is different and higher for most of III-V compounds than Si CTE: Si and III-V compounds expand/contract differently Polarity: Si is non-polar, while III-V is polar
原子结构复习手册 – 综合科学
知识回忆问题 A. 原子和同位素 1. 一个原子的直径约为 0.000 000 000 2m。请给出标准形式的直径？ 2. 原子核由什么组成？ 3. 描述当电子在原子中降至较低能级时会发生什么。 4. 钠原子表示为： 使用此信息确定钠原子中的质子、中子和电子的数量。 5. 附着在以下物质上的电荷是多少： i. 中子 ii. 电子 iii. 质子 6. 氟的质量数和原子序数是多少？ 7. 铍的化学符号为。使用此信息绘制铍原子的表示。 8. 铍的另一种同位素有一个额外的中子。写出这种新铍同位素的化学符号。
具有里德堡原子的高保真控制相位量子门
• 任意单量子比特旋转门和相位门，加上某些双量子比特门（如CZ或CNOT）门，组成通用门集。• 单量子比特门需要精确控制原子与电磁波的相互作用；双量子比特门需要精确控制原子与原子之间的相互作用
利用芯片上的超冷捕获原子进行交流和直流塞曼干涉传感
本论文介绍了基于交流塞曼势能的芯片捕获原子干涉仪的开发进展。原子干涉仪是一种高精度测量工具，可以检测各种类型的力和势能。本论文介绍的捕获原子干涉仪针对的是传统弹道原子干涉仪的缺点，传统弹道原子干涉仪通常高度为米级。值得注意的是，捕获原子干涉仪具有局部原子样本、可能更长的干涉相位积累时间，并有望成为更紧凑仪器的基础。本论文介绍了基于交流塞曼势能和陷阱的捕获原子干涉仪的多个开发项目：1）在芯片上生产超冷钾，2）芯片陷阱中的势能粗糙度理论，3）微波芯片陷阱设计，4）基于激光偶极子陷阱和交流塞曼力的铷原子捕获原子干涉仪。 (1) 钾具有玻色子和费米子同位素、多个“魔”磁场，而且易于射频和微波捕获，是原子干涉仪的良好候选材料。对激光冷却和捕获系统进行了升级，以提高芯片陷阱中钾原子的温度和数量。芯片冷却导致了显著的非弹性损失，从而阻止了钾玻色-爱因斯坦凝聚体的产生。（2）芯片导线缺陷的数值模拟预测交流塞曼捕获势应该比直流塞曼捕获势平滑得多：粗糙度的抑制是由于磁极化选择规则和交流趋肤效应。（3）此外，本论文对构成交流塞曼陷阱微波原子芯片构建块的直和弯微带传输线进行了一系列研究。 (4)最后，我们构建了一个基于铷原子的拉姆齐干涉仪，通过施加自旋相关的交流塞曼力，该干涉仪可以转换为原子干涉仪：利用干涉仪测量直流和交流塞曼能量偏移，并在交流塞曼力的作用下观察条纹。
Acer Chromebook Plus 514产品表
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