Burwell BESS 是一个锂离子电池储能电站,能够储存和释放高达 56.2MWh 的电能,相当于为数千户家庭提供电力所需的电量。
阿尔及利亚 Echahid Cheikh Larbi Tebessi 大学 (1)、阿尔及利亚 Mostefa Ben Boulaid-Batna 第二大学 (2)、法国艾克斯马赛大学 (3) doi:10.15199/48.2024.04.31 使用拉曼光谱和遗传算法优化退火后的 SiGe DPSi 异质结构,以增强材料特性和性能 摘要:在我们之前的调查中,我们通过拉曼光谱深入研究了双多孔硅 (DPSi) 上 SiGe 合金的复杂性,揭示了拉曼峰移、应力和多孔材料中 SiGe 合金中 Ge 浓度之间以前未知的联系。这项研究的突出特点在于其独特的方法——使用遗传算法比较结果。该方法对数据进行了全面的分析,增强了我们对其中复杂关系的理解。通过频率法验证,我们的结果为 DPSi 上的外延生长提供了宝贵的见解,为拉曼光谱、应力和合金成分之间错综复杂的相互作用提供了细致入微的视角。这些发现不仅有助于加深对 SiGe 合金的理解,还为 DPSi Streszczenie 等创新基板上的外延生长领域的进一步发展铺平了道路。 W naszym poprzednim badaniu zagłębiliśmy się w zawiłości stopów SiGe na podwójnie porowatym krzemie (DPSi) za pomocą spektroskopii Ramana, odkrywając nieznane wcześniej powiązania między拉玛纳 (Ramana) 和拉玛纳 (Ramana) 的产品均采用了 SiGe 和材料。 Cechą tego badania 开玩笑 odrębność podejścia — porównanie wyników z wykorzystaniem algorytmugenetycznego。方法是通过分析仪器来分析、分析和分析。 Nasze wyniki、potwierdzone methodą częstotliwości、dostarczają cennych informacji na temat wzrostu epitaksjalnego na DPSi、prezentując zniuansowaną perspektywę na skomplikowane wzajemne oddziaływanie między spektroskopią Ramana, naprężeniem i składem stopu。 Odkrycia te nie tylko przyczyniają się do lepszego zrozumienia stopów SiGe, ale także torują drogę do dalszych postępów w dziedzinie wzrostu epitaksjalnego na innowacyjnych podłożach, takich jak DPSi ( Optymalizacja 异质结构 DPSi wyżarzonych SiGe przy użyciu spektroskopii Ramana 和 algorytmu Genetycznego w celu uzyskania lepszej charakterystyki i wydajności materiałów ) 关键词:双多孔硅、拉曼光谱、遗传算法。关键词:多孔硅、光谱仪、算法。1. 简介 最近的技术进步凸显了减小器件尺寸和提高性能的重要性。因此,越来越需要控制结构中的应力并了解其来源。一种新兴且有前景的策略是采用柔性衬底,其中多孔硅 (PSi) 因其公认的灵活性而脱颖而出 [1, 5]。PSi 的柔韧性和柔韧性使其能够熟练地吸收 SiGe 异质外延膜引起的应力变化,这主要归功于其较高的孔密度。它与硅基微电子学的完美契合和高成本效益为将各种超轴系统(如 III-V 或 SiGe)整合到硅衬底上开辟了新的机会 [6, 7]。最近,双多孔硅 (DPSi) 已成为柔性衬底竞争中的突出候选者,特别是用于在 Si 上的异质系统(如 III-V 和 SiGe)的外延生长 [8]。双多孔硅 (DPSi) 结构由具有密封孔的超薄、原子级平坦上层和厚的、高度多孔的下层组成。然而,在该 DPSi 层上实现 SiGe 和 Ge 的低温外延的努力导致了不均匀外延层的形成,其特征是存在扩展缺陷。[9, 10]。然而,对 DPSi 层进行热处理会引起显著的形态变化,将小孔转变为大孔,同时产生拉伸应变,正如我们之前的研究 [1] 所记录的那样。这种伪衬底具有两个显着的特性:它具有高度的柔韧性和可承受拉伸应变,这为使用退火 DPSi 在 Si 上有效集成异质系统开辟了可能性。本研究深入探索退火 DPSi 作为应力模板层,通过分子束外延沉积高质量单晶 SiGe 层它具有高度的柔韧性,能够承受拉伸应变,这为使用退火 DPSi 在 Si 上有效集成异质系统提供了可能性。本研究深入探索了退火 DPSi 作为应力源模板层,通过分子束外延沉积高质量单晶 SiGe 层它具有高度的柔韧性,能够承受拉伸应变,这为使用退火 DPSi 在 Si 上有效集成异质系统提供了可能性。本研究深入探索了退火 DPSi 作为应力源模板层,通过分子束外延沉积高质量单晶 SiGe 层
相关组件,包括每个站点的法律描述,参与和非参与的住所,占领的社区建筑,边界线,包裹边界线(包括识别相邻的物业),挫折线路,公共通道道路,公共通道和投票位置,变电站,运营和维护建筑物,运营和维护的建筑物,派对范围和派对范围,以及派对范围,派对范围,派对范围(S),以及派对,三级设备,三级设备,/或者,第三次,/或者普通的排水结构(包括表面沟渠和地下引流线),考古地点,地下矿山,风景秀丽的和自然区域内的一千五百(1,500)英尺,构成了拟议的贝丝(Bess),以及任何适用挫折的地理边界内所有结构的布局。
47 名 (37.3%) 患者接受了细针穿刺细胞学检查,25 名 (19.8%) 患者接受了细针穿刺细胞学检查,23 名 (18.3%) 患者接受了支气管镜活检。109 名 (86.5%) 患者的组织学诊断来自原发肿瘤部位,17 名 (13.5%) 患者的组织学诊断来自转移部位。23.8% 的患者接受了胸部 X 光检查、胸部 CT 扫描、腹部超声检查、腹部 CT 扫描、脑部 CT 扫描和脑部 MRI 检查,占 23.8%、100%、91.3%、11.1%、3.2% 和 8.7%。最常见的组织学类型是腺癌(81 名 (64.3%) 患者),其次是鳞状细胞癌(34 名 (27%) 患者)。 17 名患者报告了组织学亚型,其中 5 名为乳头状亚型,2 名为腺泡状,2 名为实性,2 名为角化性鳞状细胞癌。大多数肿瘤(114,90.5%)的病理分级状态不明
1. 电池储能设施内的设备细节和配置仅供参考,具体设计以实际情况为准。2. BESS 布局基础设施图中所示的区域比典型的 BESS 储能设施布局要大,以利于排水。
在快速发展的可再生能源存储领域,TLS Offshore Containers/TLS Energy 是一支先锋力量。我们拥有占地约 300,000 平方米的大型工厂,拥有约 1,000 名熟练工人,设备精良,可满足全球客户的各种需求。仅我们专业的综合装配和测试车间就占地超过 4,100 平方米,拥有 70 多名专业技术人员。正是这种强大的基础设施使我们能够在提供量身定制的电池储能系统 (BESS) 容器方面表现出色。
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1 在报告年度,大陆公司改变了不确定税务状况的会计方法。比较期已作相应调整。更多信息请参阅合并财务报表附注第 2 章“一般解释和会计原则”。 2 根据合并范围的变化进行调整。 3 已根据购买价格分配(PPA)产生的无形资产摊销、合并范围的变化和特殊影响进行调整。 4 不含受训人员。 5 须经 2023 年 4 月 27 日年度股东大会批准。 6 所有股票价格均为德意志交易所 Xetra 系统中大陆集团股票的报价。为了提高可比性,2021年9月16日之前的数据已根据Vitesco Technologies分拆的影响进行了调整。数据来源:彭博社。