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使用脑电图和认知异常来区分双相情感障碍的机器学习方法
1 1计算机科学和数学系，艾米尔卡比尔技术大学，德黑兰，伊朗，2个精神病学系，心理社会健康研究所（PHRI），心理健康研究中心，伊朗医学科学学院，伊朗医学院医学院，伊朗，伊朗，伊朗，伊朗，伊朗，3个研究所研究所研究所研究所，伊朗研究所研究，委员会研究。德黑兰医学科学，伊朗，德黑兰医学科学大学5号，伊朗，伊朗的精神病学系51计算机科学和数学系，艾米尔卡比尔技术大学，德黑兰，伊朗，2个精神病学系，心理社会健康研究所（PHRI），心理健康研究中心，伊朗医学科学学院，伊朗医学院医学院，伊朗，伊朗，伊朗，伊朗，伊朗，3个研究所研究所研究所研究所，伊朗研究所研究，委员会研究。德黑兰医学科学，伊朗，德黑兰医学科学大学5号，伊朗，伊朗的精神病学系5
异质结双极晶体管 pdf
自 1950 年代以来，研究人员一直在研究晶体管的特性和行为，特别关注宽禁带发射极。发表在各种会议和期刊上的论文探讨了异质结构双极晶体管 (HBT)、集成电路和 Si/SiGe 外延基晶体管等主题。研究还检查了温度对晶体管性能的影响，包括在高达 300°C 的温度下的直流和交流性能。研究人员调查了各种材料系统，包括应变层异质结构及其在 MODFET、HBT 和激光器中的应用。研究了 SiGe HBT 中寄生能垒的行为，以及热电子注入对高频特性的影响。其他研究集中于渐变层和隧穿对 AlGaAs/GaAs 异质结双极晶体管性能的影响。已经开发出突变半导体-半导体异质结处隧道电流的解析表达式，并提出了异质结界面处热电子发射电流的新物理公式。本文讨论了有关异质结双极晶体管 (HBT) 的各种研究论文，这种半导体器件兼具双极晶体管和场效应晶体管的优点。这些论文涵盖的主题包括热电子发射、电荷控制模型、器件建模以及基极分级、合金化和应变对 HBT 性能的影响。研究探索了不同材料的使用，包括 GaAs/AlGaAs、InP、Si-Ge 合金和应变层异质结构。这些论文讨论了了解这些材料的电子特性（例如有效质量、带隙和价带不连续性）的重要性。文章还涉及 HBT 中的非平衡电子传输，这对高频性能至关重要。研究人员研究了各种生长技术，包括分子束外延 (MBE) 和化学气相沉积 (CVD)，以创建高质量的 HBT 器件。研究论文中的一些主要发现和结论包括：* 了解异质结材料电子特性的重要性* 应变对 HBT 性能和器件特性的影响* 需要先进的生长技术，如 MBE 和 CVD，以创建高质量的 HBT 器件* Si-Ge 合金和应变层异质结构在提高 HBT 性能方面的潜力总体而言，本文中介绍的论文展示了正在进行的研究工作，旨在提高异质结双极晶体管的性能和特性。本文讨论了有关硅锗 (Si/Si1-x Gex) 异质结构的各种研究和研究论文，重点介绍了它们的特性及其在微电子器件中的应用。一项研究使用导纳谱分析了由 Si/Si1-x Gex 异质结构制成的 MOS 电容器。另一篇论文研究了在硅衬底上生长的无应变和相干应变 Si1- x Gex 的电子漂移迁移率。文章还讨论了用于高频应用的碳掺杂 SiGe 异质结双极晶体管 (HBT) 的开发，以及针对低温操作的 HBT 技术的优化。此外，研究人员还探索了应变和重掺杂对 Si/Si1-x Gex 合金间接带隙的影响。论文还涉及各种主题，例如外延 Si 和 SiGe 基双极技术的设计和优化、UHV/CVD SiGe HBT 中集电极-基极结陷阱的影响以及 Ge 分级对 SiGe HBT 偏置和温度特性的影响。总体而言，研究重点是了解 Si/Si1-x Gex 异质结构在微电子器件（包括 HBT 和其他半导体技术）中的特性和应用。本文讨论了 SiGe 基双极晶体管和 III-V 异质结双极晶体管 (HBT) 研究的进展。目标是优化这些器件以用于高性能电子应用，包括高速数字集成电路、模拟电路、微波集成电路和 RF 器件。1993 年至 2002 年期间发表的研究文章探讨了 SiGe HBT 的各个方面，例如针对高电流密度的优化、屏障效应、渡越时间建模和紧凑的电流-电压关系。这些研究旨在提高这些器件的性能和效率。另一个研究领域侧重于 III-V HBT，包括基于 GaAs 的 HBT、AlGaN/GaN HBT 和 GaN HBT。目标是开发用于微波应用的新技术并克服建模和模拟这些器件的挑战。这些研究还调查了不同生长技术的使用，例如金属有机化学气相沉积 (MOCVD)，并探索 AlGaN/GaN HBT 选择性区域生长的潜力。总体而言，该研究旨在突破 SiGe 基双极晶体管和 III-V HBT 的可能性界限，从而开发出适用于广泛应用的高性能电子设备。过去几十年来，异质结双极晶体管 (HBT) 的研究得到了广泛的开展。各种研究都探索了它们的潜在应用、优势和局限性。在 2001 年发表在 IEEE Transactions on Electron Devices 上的一篇文章中，研究人员讨论了 HBT 在高频应用中的能力。同一出版物还介绍了 Shigematsu 等人在 1995 年的另一项研究，该研究提出了一种具有改进特性的自对准 InP/InGaAs HBT 的新设计。此外，Low 等人在 1999 年发表的一篇文章。固态电子学杂志探讨了 InGaP HBT 技术在射频和微波仪器中的应用。研究人员强调了它的潜在优势，包括与硅双极晶体管相比更快的开关速度。一些研究也集中于 HBT 的设计和制造。Gao 等人在 1992 年发表在 IEEE 电子器件学报上的一篇文章介绍了一种用于功率应用的异质结双极晶体管设计。在同一期刊上发表的另一项研究中，Gao 等人 (1991) 研究了发射极镇流电阻设计和 AlGaAs/GaAs 功率 HBT 的电流处理能力。微波多指 HBT 中的崩塌现象也得到了广泛的研究。Liu 等人 (1993 年和 1994 年) 在 IEEE 电子器件学报上发表的研究检查了高功率密度对这些器件中电流增益崩塌的影响。此外，Chou 和 Ferro 在 1997 年的会议论文集中概述了异质结双极晶体管，重点介绍了它们的应用和优势。研究人员探索了用于红外光子探测的先进半导体器件概念和技术，旨在提高 III-V 器件的性能。研究人员还致力于通过引入碳掺杂基极来提高 AlGaAs/GaAs 异质结双极晶体管的预期寿命。该研究讨论了工艺技术对自对准 HBT、栅极定义和亚微米栅极长度干蚀刻制造方案的影响。此外，还进行了高温偏压应力测试，以评估具有台面蚀刻结构的 HBT 的可靠性，揭示了它们在各种工作条件下性能的潜在改进。本研究讨论了工艺技术对自对准 HBT、栅极定义和亚微米栅极长度干蚀刻制造方案的影响。此外，还进行了高温偏压应力测试，以评估具有台面蚀刻结构的 HBT 的可靠性，揭示了其在各种操作条件下性能的潜在改进。本研究讨论了工艺技术对自对准 HBT、栅极定义和亚微米栅极长度干蚀刻制造方案的影响。此外，还进行了高温偏压应力测试，以评估具有台面蚀刻结构的 HBT 的可靠性，揭示了它们在各种操作条件下性能的潜在改进。
加速大脑衰老作为双相情感障碍分期的生物标志物：一项探索性研究
1 精神病学，阿姆斯特丹 UMC 地点阿姆斯特丹自由大学，荷兰阿姆斯特丹；2 GGZ inGeest 专业精神卫生保健，荷兰阿姆斯特丹；3 精神卫生，阿姆斯特丹公共卫生研究所，荷兰阿姆斯特丹；4 阿姆斯特丹神经科学、情绪、焦虑、精神病、睡眠和压力，荷兰阿姆斯特丹；5 阿姆斯特丹神经科学、神经退行性疾病，荷兰阿姆斯特丹；6 精神病学系，UMC 乌得勒支大学脑中心，荷兰乌得勒支；7 精神病学和生物行为科学系，塞梅尔神经科学和人类行为研究所，大卫格芬医学院，美国加利福尼亚州洛杉矶；8 神经行为遗传学中心，塞梅尔神经科学和人类行为研究所，大卫格芬医学院，美国加利福尼亚州洛杉矶；9 精神病学系，伊拉斯姆斯大学医学中心，荷兰鹿特丹； 10 荷兰鹿特丹伊拉斯姆斯医学中心 - 索菲亚、儿童和青少年精神病学和心理学以及 11 荷兰乌得勒支大学人文学院语言、文学和交流系
双相情感障碍青年的运动和心脏健康
CAMH位于数千年的原住民占领的土地上；在整个美洲的医学，建筑，技术和广泛的贸易路线方面拥有丰富的文明。 1860年，CAMH地点出现在英国王室的殖民唱片办公室，作为当时已知的新信贷的理事会理由。 今天，多伦多购买了多伦多，条约号 1805年的13号信用额度。 多伦多现在拥有丰富这座城市的原住民，因纽特人和梅蒂斯（Inuit）和梅蒂斯（Métis）。CAMH位于数千年的原住民占领的土地上；在整个美洲的医学，建筑，技术和广泛的贸易路线方面拥有丰富的文明。1860年，CAMH地点出现在英国王室的殖民唱片办公室，作为当时已知的新信贷的理事会理由。 今天，多伦多购买了多伦多，条约号 1805年的13号信用额度。 多伦多现在拥有丰富这座城市的原住民，因纽特人和梅蒂斯（Inuit）和梅蒂斯（Métis）。1860年，CAMH地点出现在英国王室的殖民唱片办公室，作为当时已知的新信贷的理事会理由。今天，多伦多购买了多伦多，条约号1805年的13号信用额度。多伦多现在拥有丰富这座城市的原住民，因纽特人和梅蒂斯（Inuit）和梅蒂斯（Métis）。
病例报告：成年患有氯胺酮辅助心理治疗的躁郁症和自闭症的成年人
本报告介绍了一名29岁男性患有自闭症和双相情感障碍的男性。据我们所知，在文献中尚未报道这种案例，其治疗方案为6个初始IV氯胺酮输注。其他研究表明，与ASD成年人进行的一项参与者研究发现了患者心情的有希望的结果（19）。另一份案例报告（20）详细介绍了一名15岁男性患有自闭症，双极和强迫症，他们接受了氯胺酮作为罗斯·肯尼迪（Rose F. Kennedy Center）特殊需求牙科中心的牙科手术的一部分。从手术中恢复后立即用完整的句子讲话并进行眼神交流。这些与患者的典型行为有显着差异；但是，这种变化只持续了大约36小时，然后迅速减弱。该研究警告说，该单一案例研究不应被视为建议目前使用氯胺酮治疗自闭症。自闭症青少年的另一项双盲研究发现，虽然鼻内氯胺酮的耐受性良好，但使用异常行为清单的社交退出却没有明显改善（18）。
长期厌恶习惯，养育家庭工人的概括有限
Maria Coromaina 1：2,3,3，*，Ashvin Ravi 3.4,4,5， Jaeyoung Kim 10.11，Gikashi Terao O。 'Connell 15.16，Mark Adolfsson 18，Martin Alda 19:20，Alfredson 21：Bernhard T. Baune Baune Bernhard T. Baune。 24,25,26， 36,37.38.39，Aiden Corin 40，Nina Dalkner 27，Udo Dannlowski 42，Franziska Tabea Fellendorf 27，Panagius Ferentinos 23:45，Andreas J. Forstner 37.39.46， 51，Melissa J.Maria Coromaina 1：2,3,3，*，Ashvin Ravi 3.4,4,5， Jaeyoung Kim 10.11，Gikashi TeraoO。'Connell 15.16，Mark Adolfsson 18，Martin Alda 19:20，Alfredson 21：Bernhard T. Baune Baune Bernhard T. Baune。 24,25,26， 36,37.38.39，Aiden Corin 40，Nina Dalkner 27，Udo Dannlowski 42，Franziska Tabea Fellendorf 27，Panagius Ferentinos 23:45，Andreas J. Forstner 37.39.46， 51，Melissa J.
线粒体DNA氧化，甲基化和双极抑郁症的拷贝数改变
情绪障碍，包括重度抑郁症（MDD）和双相情感障碍（BD），是普遍且致残的精神疾病（1）。情绪障碍的患者表现出由遗传和环境因素的复杂相互作用引起的症状（2-4）。尽管有很多发现，涉及各个级别的结构和功能改变，从微结构和分子途径到神经网络，但对抑郁症基本机制的理解仍然很少（4）。最近的证据表明，情绪障碍与几种机制有关，包括表观遗传调节和氧化应激，这可以触发基因组材料中的各种修饰，例如DNA甲基化或氧化（3，5，6）。表观遗传调节包括控制基因表达的机制，而DNA核苷酸序列没有任何变化。越来越多的报告表明表观遗传机制，例如DNA甲基化，组蛋白修饰和非编码RNA可能在情绪障碍的发病机理以及对药理干预措施的反应中起关键作用（3、5、7、8）。在表观遗传机理中，DNA甲基化是情绪障碍中最广泛的研究，涉及将甲基添加到DNA分子中。DNA甲基化改变经常在抑郁症患者中显示（9）。除了甲基化变化外，DNA还易于自由基氧化，从而导致氧化引起的DNA损伤。以前的证据支持氧化诱导的DNA损伤在抑郁症的发病机理中存在（10 - 13）。但是，这些发现仅基于核遗传物质在内的核DNA和RNA的修改。线粒体是半自治的细胞器，其中包含其自己的，圆形的，母体遗传和双链（即重和轻链）线粒体DNA（mtDNA），并用作人体的主要能量供应。mtDNA编码属于电子传输链复合物，22个转移RNA和2个核糖体RNA的13个多肽，并包含一个非编码区域，其中包括位移环（D-Loop）（14，15）。mtDNA的改变可能会导致线粒体基因表达的变化，从而影响人体的线粒体功能和生物能调节，从而导致线粒体功能障碍（16）。线粒体功能障碍已被确定为抑郁症各个方面的关键机制之一，例如精神症状和神经认知异常以及早期衰老（17，18）。先前的研究报告了MDD和BD（19，20）中线粒体代谢产物，基因或蛋白质水平的异常，并提出了类似的线粒体功能障碍，这些疾病之间的线粒体功能障碍（21 - 23）。尽管mtDNA比核DNA更容易受到基因组修饰的影响（例如甲基化和氧化）（24，25），但识别mtDNA修饰，
CaMKK2 作为双相情感障碍的新兴治疗靶点
目前，双相情感障碍的药物治疗效果不佳，而且是基于偶然发现的药物，这些药物通常疗效有限、副作用大、作用机制不明。治疗双相情感障碍的药物开发进展缓慢，主要来自对用于其他精神疾病的药物的重新利用，这种策略未能找到真正革命性的治疗方法，因为它没有针对该疾病特有的情绪不稳定。双相情感障碍领域治疗创新的缺乏主要是由于对潜在疾病机制的理解不足以及因此缺乏经过验证的药物靶点。一个引人注目的新治疗靶点是 Ca 2 + -钙调蛋白依赖性蛋白激酶激酶 2 (CaMKK2) 酶。CaMKK2 在脑神经元中高度富集，调节能量代谢和神经过程，这些过程是长期记忆、情绪和其他情感功能等高级功能的基础。人类 CAMKK2 的功能丧失多态性和罕见的错义突变与躁郁症有关，而小鼠中 Camkk2 的基因缺失会导致与患者相似的躁郁症样行为。此外，锂可改善这些行为，因为锂可增加 CaMKK2 活性。在这篇综述中，我们讨论了多种趋同的证据，这些证据支持以 CaMKK2 为靶点作为躁郁症的新治疗策略。
低剂量白细胞介素2单极和躁郁症抑郁症中的抗抑郁药：安全性，有效性和免疫生物标志物
免疫炎症机制是抗抑郁药理学的有希望的靶标。基于报道的免疫细胞异常，我们定义了用插件低剂量介入室2（IL-2）的抗抑郁剂增强治疗，这是自身免疫性条件中经过证明的抗炎性疗效的T细胞生长因子，从而增加了固定性的CD4+ T细胞的蛋白质产生，并可能纠正细胞的良性consect to compers tobers tose cops tose cobs tose discord copt in sford deford inofe dectord inofe dectord inofe deford sefort deford。我们进行了单中心，随机，双盲，安慰剂控制的II期试验，评估了低剂量IL-2在MDD或BD患者中的安全性，临床功效和生物学反应。36连续招募的情绪障碍单位的住院患者以2：1的比例随机分配，以接收Aldesleukin（12 MDD和12 BD）或安慰剂（6 MDD和6 BD）。主动治疗在两个诊断组中对持续的SSRI/SNRI治疗的抗抑郁反应显着增强，并扩大了Treg，Th2和Naive CD4+/CD8+免疫细胞计数的种群。在治疗的前五天迅速诱导细胞计数的变化，并预测抑郁症严重程度的改善。未观察到严重的不利影响。这是支持以下假设的RCT证据，即增强T细胞系统的治疗可能是纠正与情绪障碍相关的免疫炎症异常并增强抗抑郁反应的成功方法。
首发双相情感障碍患者的大脑年龄和认知功能
背景。双相情感障碍 I 型 (BDI) 患者的认知功能存在显著的异质性；然而，对可能导致认知异质性的生物学机制的研究很少，尤其是在疾病发作时。为此，本研究调查了早期 BDI 中加速或延迟的与年龄相关的大脑结构变化与认知之间的关联。方法。首次发作的 BDI 患者 (n = 80) 接受认知评估，以得出言语记忆、非言语记忆、工作记忆、处理速度、注意力和执行功能方面的人口统计学常态综合整体和领域特定分数。还收集了所有参与者的结构磁共振成像数据，并进行机器学习以计算大脑预测年龄差异 (brainPAD)，计算方法是从神经影像数据预测的年龄中减去实际年龄（正的 brainPAD 值表示与年龄相关的大脑结构变化加速，负值表示延迟）。根据 brainPAD 值将患者分为三分位数，并使用 ANCOVA 在三分位数之间比较认知表现。结果。brainPAD 值最低（延迟）三分位数的患者（brainPAD 范围 - 17.9 至 - 6.5 岁）的整体认知得分明显低于年龄一致三分位数的患者（brainPAD 范围 - 5.3 至 2.4 岁），言语记忆得分明显低于年龄一致且加速的三分位数（brainPAD 范围 2.8 至 16.1 岁）。结论。这些结果提供证据，将 BDI 早期的认知功能障碍与典型的与年龄相关的大脑变化的明显延迟联系起来。需要进一步研究来评估与年龄相关的大脑变化和认知功能如何随时间演变。