背景。研究精神分裂症(SZO)和双相情感障碍患者(BDO)的后代提供了有关针对严重精神疾病的推定神经发育轨迹的重要信息。我们将颅内体积(ICV)作为神经发育的标记以及SZO或BDO之间的全球和局部脑测量,以及与智商和精神病理学有关的全球和局部脑测量。方法。T1加权磁共振成像(MRI)脑扫描是从146名参与者(8 - 19年; 40 SZO,66 BDO,40 CO)中获得的。线性混合模型用于比较组之间的ICV,全局和局部大脑测量。为了研究ICV的效果,IQ(四个子测验对儿童/Wechsler成人智能量表-III)或精神病理学的存在分别添加到模型中。结果。szo和BDO的智商显着降低,终生精神病障碍的标准比COV的SZO中的ICV明显小于BDO(d = 0.56)和CO(d = 0.59),这在很大程度上与IQ(分别独立于IQ(分别为d = 0.54 and d = 0.35))。ICV校正后,SZO的皮质比BDO(d = 0.42)和CO(d = 0.75)明显薄,而BDO中的侧心则大于CO中(d = 0.55)。智商或终生精神病诊断的纠正并未改变这些发现。结论。尽管具有较低的智商和较高的精神疾病患病率,但BDO的脑异常似乎不如SZO(但不存在)。SZO中的ICV较低意味着,与家族性的躁郁症风险相比,精神分裂症的家族风险与早期脑发育率更强。
本文介绍了60 Coγ辐射硬度对双极结型晶体管特性和参数的影响,以分析核领域中使用的单个器件的性能变化。双极结型晶体管(BJT)的类型为(BC-301)(npn)硅,晶体管用60 Co源以不同剂量(1、2、3、4和5)KGy进行γ辐射辐照。使用带稳压电源的晶体管特性仪研究了辐照前后双极结型晶体管的特性和参数。结果表明,由于晶体管增益下降和硅电阻率增加,双极结型晶体管的饱和电压V CE(sat)降低。受电离辐射影响的双极结型晶体管的另一个参数是集电极-基极漏电流,电流的大幅增加是由结附近的累积电荷引起的。1.引言
a 美国佐治亚州立大学心理学系 b 挪威奥斯陆大学临床医学研究所 NORMENT c 挪威奥斯陆大学心理学系 d 挪威奥斯陆 Diakonhjemmet 医院精神病学系 e 瑞典斯德哥尔摩卡罗琳斯卡医学院精神病学研究中心临床神经科学系 f 美国新墨西哥大学电气与计算机工程系 g 美国心智研究网络和洛夫莱斯生物医学与环境研究所 h 美国佐治亚州立大学、佐治亚理工学院、埃默里大学三机构神经影像与数据科学转化研究中心 (TReNDS) i 挪威奥斯陆大学医院精神健康和成瘾科
图1所示的垂直NPN设备制造的标准过程始于P类型基板。基板在将制造NPN设备设备的区域中植入N型掺杂剂(例如砷)。该植入物被称为埋藏层,因为下一步是N型硅的外延生长。掩埋层的板电阻远低于外延层的电阻。AR分离扩散是用诸如硼的P Tyne掺杂剂进行的。这会产生由P型隔离所包围的N型材料的电隔离岛。是这些N型区域,它们是侧向NPN设备的收集器。直接在这些区域的下方将是先前讨论的埋藏层。掩埋层通过为电流流动创造低电阻路径来降低收集器电阻。这是产生所需的电气设备特性所需的。进入N型岛群体被扩散为P型硼基。当将N型掺杂剂(如磷)扩散到碱基中时,发射极会形成。垂直NPN结构现在很明显。
并提取了器件参数,以评估和比较 CMOS(互补金属氧化物半导体)测试结构,包括在体硅和 SOI(绝缘体上硅),特别是 SIMOX(通过注入氧气进行分离)晶圆上制造的器件和电路。测试库包括 CMOS-on-SOI 和
尽管最近在治疗双相情感障碍的药物治疗方面取得了进步,但即使缓解后,大多数患者仍然存在残留症状(Judd等,2002)。,并且预测躁郁症的病程差(Otto等,2006; Putnins等,2012);但是,治疗选择的证据是有限的。失眠和焦虑通常用辅助性苯二行 - 埃文斯治疗,如果使用时使用了滥用和依赖性的危险(Uzun等,2010)。越来越多的人目前正在美国使用草药,双相情感障碍的人也不例外。在1999年由国家健康统计中心于1999年进行的国家卫生访谈中,过去一年中,有28.9%的非制度化的美国成年人在过去的一年中使用了至少一种补充和替代医学(CAM)疗法,而草药是三种最常用的疗法形式之一(9.6%)(9.6%)(9.6%)(ni等)。反映这一现象,总计
作者分支机构教授安东尼·罗斯(Anthony Roth),临床心理学博士学位,临床和健康心理学研究系,UCL教授斯蒂芬·皮林(Stephen Pilling),Core,国家心理健康中心主任Stephen Pilling教授,临床,教育和健康心理学研究系的总监,该报告在此报告中所介绍的工作在此报告中介绍了该报告,该报告涉及该报告的研究。项目团队由Anthony Roth和Stephen Pilling领导。专家参考小组(ERG)这项工作是由一个专家参考小组监督的,其宝贵的建议,社论评论和大学态度为工作的发展做出了巨大贡献。ERG组成:凯蒂·阿什克罗夫特(Katie Ashcroft)博士,艾莉森·布拉巴班(Alison Brabban)博士,弗兰克·伯巴赫(Frank Burbach)博士,汤姆·克雷格(Tom Craig)教授,格林尼·法登(Grainne Faden)博士,菲利帕·加里(Philippa Garety)教授,安德鲁·古姆利教授,安德鲁·哈里森(Andrew Harrison),安德鲁·哈里森(Andrew Harrison),伊丽莎白·霍尔福德(Elizabeth Holford),伊丽莎白·霍尔福德(Elizabeth Holford),伊恩·霍拉特 Meyer, Professor Anthony Morrison, Dr Emmanuelle Peters, Professor Stephen Pilling, Professor Tony Roth, Professor Jan Dr Scott, Craig Steele, Professor Graham Turpin Peer Reviewers We are very grateful both to the members of the ERG, as well as to the following external reviewers: Dr Francesc Colom, Professor Ellen Frank, Dr Fiona Lobban, Dr Oliver Mason, Dr Anna Ruddle,Jo Smith,Holly Swartz博士,Peter Woodhams,Eduard vieta博士