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反键诱导的非谐性导致 CsK 2 X (X = Sb, Bi) 具有超低晶格热导率和非凡的热电性能
完整作者名单：袁鲲鹏；大连理工大学；张晓亮；大连理工大学能源与动力工程学院；常政；大连理工大学能源与动力工程学院；唐大伟；大连理工大学能源与动力工程学院；胡明；南卡罗来纳大学机械工程学院
新兴市场债券流动和汇率回报
我们研究了一组新兴市场经济体 (EME) 的国际债券流动与汇率回报之间的关系。具体而言，我们调查国际净债券流动是否与当地货币兑美元的后续价值变化相关。使用投资组合方法，我们发现 EME 的债券流动与未来汇率回报之间存在正相关关系，而发达经济体货币则不存在这种关系。EME 货币往往会在债券大量流出后贬值，而在债券流入后则往往会升值。美元中性投资组合做多流入货币并做空流出货币，可获得大量超额回报，这些回报与已知的国际投资组合策略的回报无关。此外，使用资产定价方法，我们发现强有力的证据表明，该结果隐含的风险因素已在货币横截面中定价。这些发现与投资者要求补偿的风险相一致，即目前经历大量投资组合流入的国家可能面临未来总体金融状况收紧的风险。
芯片到晶圆 (d2w) 键合解决方案
直接键合技术不断发展，以应对“更多摩尔”和“超越摩尔”的挑战。自 20 世纪 90 年代绝缘体上硅 (SOI) 技术的出现以来，CEA-Leti 已在直接键合方面积累了丰富的专业知识。从那时起，CEA-Leti 团队一直在积极创新直接键合，以拓宽应用领域。该技术基于室温下两个紧密接触的表面之间的内聚力。然后，范德华力（氢键）和毛细桥产生所需的粘附能。键合后退火将弱键转变为共价键，最终形成一块材料。随着混合键合的出现，直接键合现在不仅解决了基板制造问题，还解决了 3D 互连领域的问题。本文介绍了 CEA-Leti 开发的不同直接键合技术及其在微电子行业和研发中的应用。在文章的第一部分，简明扼要地介绍了直接键合物理学。然后，概述了最先进的键合技术，包括晶圆对晶圆 (WTW) 混合键合、芯片对晶圆 (DTW) 混合键合和 III-V 异质键合。针对合适的应用领域，比较了每种技术的优势、挑战、应用和利害关系。第三部分重点介绍 CEA-Leti 在 ECTC 2022 和 ESTC 2022 上展示的最新混合键合 D2W 结果。讨论了集成挑战以及专用设备开发的作用。最后一部分介绍了潜在的市场和相关产品，并以具有硅通孔 (TSV) 和多层堆叠的芯片为例。
包裹 - 遗传 - 瓦尔斯 - 弗洛斯 - 束缚 - 束缚 -
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晶圆粘结后的晶圆边缘平面化
使用Tencor的HRP-250来测量轮廓。使用了来自Cabot的SS12和来自AGC的CES-333F-2.5。在将晶片粘合到粘合之前（氧化物到氧化物和面对面），将顶部晶圆的边缘修剪（10毫米），并同时抛光新的斜角。这可以防止晶片边缘在磨/变薄后突破[1]。将晶圆粘合后，将散装硅研磨到大约。20 µm。之后，通过反应性离子蚀刻（RIE）将粘合晶片的剩余硅移到硅硅基（SOI） - 底物的掩埋氧化物层（盒子）上。另一个RIE过程卸下了2 µm的盒子。之后，粘合晶片的晶圆边缘处的台阶高为3 µm。随后沉积了200 nm的氮化物层，并使用光刻和RIE步骤来构建层。此外，罪被用作固定晶片的si层的固定。必须将设备晶圆边缘的剩余步骤平面化以进行进一步的标准处理。为此，将剩余的罪硬面膜（约180 nm）用作抛光止损层。在平面化之前，将4500 nm的Pe-Teos层沉积在罪恶上。这有助于填充晶圆的边缘。在第一种抛光方法中，将氧化物抛光至残留厚度约为。用SS12泥浆在罪过的500 nm。在这里，抛光是在晶片边缘没有压力的情况下进行的。然后将晶圆用CEO 2泥浆抛光到罪。用CEO 2浆料去除氧化物对罪有很高的选择性，并且抛光在罪恶层上停止。第一种抛光方法花费的时间太长，将氧化物层抛光至500 nm的目标厚度。此外，在抛光SIO 2直到停止层后，用SS12稍微抛光了罪。最后，高度选择性的首席执行官2 -lurry用于抛光罪。结果表明，步进高度很好，但是弹药范围很高（Wafer＃1）。第二种方法的抛光时间较小，并在500 nm上停在SIO 2上，而最终的抛光和首席执行官2 -slurry直至罪显示出良好的步进高度，并具有更好的罪恶晶圆范围（Wafer＃2）。
定量u = o脉络复合物中的键键激活通过silyl自由基转移
旨在更好地了解这些稳健键的键合和反应性的研究已成为追求核废料修复的中心研究点。已经报道了在铀酰疾病中官能化U = O键的几种方法，最流行的是通过与甲硅烷基离子的反应性使用还原性裂解（图1）。4,5 One of the first reported examples detailing activation of the uranyl(VI) dioxo moiety was detailed by Ephritikhine in 2006, in upon the addition of excess silylating reagent (Me 3 SiX, where X = Cl, Br, or I), UO 2 I 2 (THF) 3 or UO 2 (OTf) 2 are converted to a tetravalent uranium halide salt, UX 4 （MECN）4。3这种反应性利用了强Si -O键形成的热力学驱动力，从而通过相应的卤化物的氧化来促进铀氧键的还原性裂解。6后来，爱与同事报告了通过还原性的硅烷基硅烷二烯化的键键激活的机理的进一步见解。在这项工作中，铀酰的协调
药物设计中的氢键供体
a请参阅clogpalk.param.2.0（参数）和clogpalk.vbind.2.0（智能定义的向量绑定）[48]的补充信息中的文本文件，以通过Slope参数在Smarts中获得与非溶剂原子的数量相乘。b从Q（2.7;表2）用于二甲基苯胺从Q（3.8）中使用MSA（120Å2）和六烷基/水logP（-0.04）[59]的Q（1）计算为苯胺的Q（3.8）[59]。c从表1。D值未归一化，因为HBD子结构中的氢原子数量未归一化。e值适用于2-（3-苯佐羟丙基）-Imidazole
澳大利亚国民银行绿色债券框架
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基于羧胺动态可逆键的快速自修复柔性导热Al2O3@硅氧烷复合材料
由于其导热系数如此之高（30 W mK 1 ），因此来源广泛、价格低廉并且适合于批量填充。它应用于目前商业化的TIM（例如导热垫片和导热凝胶）以提高导热系数。然而，传统的热固性Al 2 O 3 /PDMS复合材料在使用过程中容易受损出现裂纹，损坏后材料的导热系数或其他功能会降低。自修复的概念来自于自然生物的愈合过程。材料在自我修复之后可以保持其性能。如果这些TIM具有自修复能力，可以自动修复其受到的损伤，将有助于长期使用以及增强可靠性和耐用性。材料固有的自修复能力主要通过动态可逆键实现，例如二硫键、20,21 Diels-Alder 反应、22,23
基于羧胺动态可逆键的快速自修复柔性导热Al2O3@硅氧烷复合材料
由于其导热系数如此之高（30 W mK 1 ），因此来源广泛、价格低廉并且适合于批量填充。它应用于目前商业化的TIM（例如导热垫片和导热凝胶）以提高导热系数。然而，传统的热固性Al 2 O 3 /PDMS复合材料在使用过程中容易受损出现裂纹，损坏后材料的导热系数或其他功能会降低。自修复的概念来自于自然生物的愈合过程。材料在自我修复之后可以保持其性能。如果这些TIM具有自修复能力，可以自动修复其受到的损伤，将有助于长期使用以及增强可靠性和耐用性。材料固有的自修复能力主要通过动态可逆键实现，例如二硫键、20,21 Diels-Alder 反应、22,23