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晶体固体中的Metavalent键
150年前，Mendeleev和Meyer的周期表开发了元素的周期表，如果对元素进行了相应的分类，则揭示了特性的财产趋势。[1,2]在周期表中的一列向下移动，通常会导致从非金属到金属的过渡。这可以很好地看到元素周期表的碳组14，其中从C，Si（Cova-Cova-Cova-Cova-Cova-Cova-Cova-Cova-Cova）到GE，SN和PB的运动导致过渡到金属基态（PB）。有趣的是，对于第15组元素，即Pnictogens，p是共价键合的，但SB和BI是（半） - 金属。这提出了有关从共价（CB）到金属粘合（MB）过渡的性质的问题。通过这项工作，我们通过讨论最近定义的“元债券” [3]到
化学键和分子结构
物质由一种或多种元素组成。在正常条件下，自然界中除了稀有气体外，没有其他元素以独立原子的形式存在。然而，一组原子被发现以具有特征性质的一种物质形式存在。这样的原子组被称为分子。显然，一定有某种力将这些组成原子保持在分子中。将不同化学物质中的各种成分（原子、离子等）保持在一起的吸引力称为化学键。由于化合物的形成是各种元素的原子以不同方式结合的结果，因此它引发了许多问题。为什么原子会结合？为什么只有某些组合是可能的？为什么有些原子会结合而其他某些原子不会结合？为什么分子具有确定的形状？为了回答这些问题，人们不时提出了不同的理论和概念。这些理论和概念包括 Kössel-Lewis 方法、价壳电子对排斥 (VSEPR) 理论、价键 (VB) 理论和分子轨道 (MO) 理论。各种价态理论的演变和对化学键性质的解释与对原子结构、元素电子排布和周期表的理解的发展密切相关。每个系统都趋向于更稳定，而键合是自然界降低系统能量以达到稳定的方式。
电池组件粘结解决方案
Sika：Sika提供的完美解决方案提供了行业中最广泛的产品，并不断开发新的粘结解决方案，以克服诸如对无关金属，塑料和复合材料的粘附，同时提供热量和耐热性的挑战。这些包括单组分，两组分和增强PUR，硅胶，STP，MMA，环氧树脂，杂种，热融化和PSA技术。产品在制造过程中具有灵活性，增加吞吐量的潜力以及行业领先的性能。
2024 年混合键合专利格局
通过专利分析，我们描述了知识产权参与者的地位，揭示了他们加强知识产权组合的策略，强调了他们限制其他公司的专利活动和自由实施的能力，识别有前途的新参与者，并预测了未来的知识产权领导者。知识产权竞争分析应反映具有进入和发展先进半导体封装市场业务的战略的参与者的愿景。在本报告中，我们全面概述了竞争激烈的知识产权格局和与混合键合技术相关的最新技术发展。该报告涵盖了专利申请、专利权人、申请国家、专利技术和目标应用方面的知识产权动态和主要趋势。它还确定了知识产权领导者和最活跃的专利申请人，并揭示了该领域不为人知的公司和新参与者。
粘合和回路电阻测试仪 - TEST-FUCHS
当盐、湿气或腐蚀性液体（如特种液压油）与连接件和电缆接触时，就会产生腐蚀。产生的氧化物会降低导电性，从而增加导电连接器的电阻。因此，如果系统发生故障，安全断路器将无法运行或运行缓慢，甚至可能导致火灾。腐蚀的结构连接在遭受雷击时会造成巨大损坏。不幸的是，这种腐蚀形式并不总是肉眼可见的。
一种新型铜微孔辅助键合方法...
摘要 — 这项工作提出了一种新方法，将微/纳米级多孔铜反蛋白石 (CIO) 融入 Sn 基焊料微凸块中，与低温 CMOS 后端 (BEOL) 工艺兼容。微孔结构可使临界孔径小至 5 μm 甚至小至 200 nm（基于凸块尺寸）。这种多孔辅助键合技术具有巨大潜力，可提高细间距 Cu/Sn 键合界面的热导率和机械可靠性。在这项工作中，我们已成功制造并展示了直径为 100 μm 的 Cu 凸块上孔径为 3 μm 的基于 CIO 的微孔结构，实现了 3 μm - 5 μm 的目标厚度，这通过聚焦离子束显微镜 (FIB) 分析得到证实。Cu-CIO 和 Sn 焊料键合界面的微观结构和元素映射表明，熔融焊料可以渗透这些铜 CIO 微孔结构。这样，微凸块就可以通过毛细力进行自对准，形成坚固的机械相互扩散键。此外，采用简化的有限元法 (FEM) 表明，基于 CIO 的微/纳米多孔铜基质结构有可能将 Cu/Sn 键合层的等效热导率提高 2-3 倍。
利用 ... 实现芯片到晶圆键合的替代方法
本文介绍了一种无需依赖载体晶圆即可直接放置芯片到晶圆的替代方法，该方法专门针对混合键合、3DIC 和集成光子学应用而设计。芯片到晶圆键合是异质垂直集成设备制造中的关键工艺，通常涉及在集成到目标晶圆之前将各个芯片放置到载体或处理晶圆上的中间步骤。这种传统方法增加了成本、复杂性、潜在的兼容性问题和工艺步骤。在本研究中，我们提出了一种简化的工艺，消除了对载体晶圆的需求，从而简化了集成并减少了制造步骤。利用大气等离子清洗，我们清洁并激活芯片和目标晶圆的表面，以促进直接放置键合。通过实验验证，我们证明了这种方法的可行性和有效性。我们的研究结果展示了成功的芯片到晶圆键合，界面污染最小，键合强度增强。此外，我们还探讨了大气等离子清洗参数对键合质量的影响，为工艺优化提供了见解。这项研究为芯片到晶圆键合提供了一种有前途的替代方案，提高了垂直集成电路制造的效率和简便性，特别是在混合键合、3DIC 和集成光子学应用领域。
了解 ACF 键合中的接触电阻
大于 0.1 m，无论是平面化还是未平面化的测试 µ 芯片。凸块侧壁略微倾斜，因此凸块的平面化会略微增加凸块面积，见表 2。平面化工艺似乎还会使软金凸块略微变脏，见图 4。平面化凸块的凸块面积比未平面化凸块大 5% 到 15%。