VI. 参考文献 [1] Jamin Ling Joseph Sanchez Ralph Moyer 2、Mark Bachman 2、Dave Stepniak I、Pete Elenius 'Kulicke & Soffa“倒装芯片技术的铜上直接凸块工艺”2002 年电子元件与技术会议。 [2] Li Li、M. Nagar、J. Xue“热界面材料对倒装芯片 PBGA 和 SiP 封装制造和可靠性的影响”2008 年第 58 届电子元件与技术会议。 [3] Samuel Massa、David Shahin、Ishan Wathuthanthri 博士、Annaliese Drechsler 和 Rajneeta Basantkumar“具有不同凸块成分的倒装芯片键合工艺开发”2019 年国际晶圆级封装会议论文集。
Jacobs 根据缓慢增长和引入低成本航空公司带来的客流量激增制定了单独的预测方案。需求预测与各种系统和设施的资本和所有权成本预测相结合。“我们根据历史运营和维护数据以及行业(平均值)确定机场何时必须对现有设施进行重大投资,”Kenfield 解释道。“这样,我们就能提供各种方案的总拥有成本图。我们可以预测他们何时可以使用新设施的资本投资来抵消主要的 O&M(运营和维护)成本。”
脑震荡被认为是暂时性的脑损伤,但可能需要几分钟到几个月的时间才能痊愈。脑震荡可能由多种原因引起,包括头部撞击、打击或震动、运动损伤或跌倒、机动车事故、武器爆炸或颅骨内脑的快速加速或减速(例如,被剧烈摇晃的人)。患者要么突然失去意识,要么意识或知觉状态突然改变。紧随第一次脑震荡之后的第二次脑震荡会对大脑造成进一步的损伤——即所谓的“二次打击”现象——在某些情况下可能导致永久性损伤甚至死亡。脑震荡后综合症的症状会在脑震荡后持续数周或更长时间。
热键合(TSB)是一种模具到die的键合方法,它在粘结过程中将新型的热压缩键合与超声波(美国)焊接结合在一起,因此,在微电子粘结应用中使用了每种质量的最佳质量。最初,TSB主要用于电线键合技术[1]。我们引入的引入通过降低在半导体制造中非常有吸引力的施加的粘结压力和温度来增强键合过程。Flip-Chip键合是针对区域阵列连接的一种无焊的模具到die键合技术(图1)。该方法用于将ICS底部的一系列金色凸起(图2)连接到基板上的镀金垫上。通常使用热压缩键合法[2],这是一个简单,干净且干燥的组装过程。纯热压缩键合通常需要> 300°C的界面温度[2,3]。此温度会损坏包装材料,层压板和一些敏感的微芯片[4]。这种下一个级别的键合解决方案在翻转芯片键合中非常有利,因为界面温度和粘结力通常可以低得多。分别在100至160°C和20和50g/ bump之间[2]。
接种疫苗后,针头插入处出现溃疡是正常现象。通常,溃疡需要几周时间才能形成红色肿块,然后形成开放性溃疡,几个月后才能愈合成小而扁平的疤痕。如果溃疡在 2 至 3 天内形成,则被认为是快速或加速反应,请务必致电接种疫苗的诊所。如果您或您的孩子在接种疫苗后 6 周内没有出现 BCG 溃疡,请致电接种 BCG 疫苗的诊所。有些人对疫苗的反应可能更慢。在极少数情况下,一个人可能对疫苗没有反应,没有出现 BCG 溃疡,并且无法预防结核病。如果您对疫苗没有反应,则不建议重新接种疫苗。
4 当地场所 :上述三种人力资源得以展现、连接并参与生产性集体行动的主要舞台是人造环境和自然环境。小型、当地、有界场所,人们将其视为共享场所:邻里、村庄、城镇等,提供了一个最佳阈值,在此阈值内,这些资源可以相互建立正确的关系,从而相互连接和动员。除了为礼物交换、款待和展现丰富性提供理想的环境外,当地有界场所还充满了对社区生活至关重要的各种实用资源。从我们呼吸的空气到我们照料的社区花园,再到我们偶然遇到邻居或聚在一起进行深度交流的地方,我们的共享场所植根于我们的社区体验。
现代加速器首选非侵入式测量方法来表征束流参数。电离轮廓监测器 (IPM) [1–3] 和束流诱导荧光监测器 (BIF) [4–8] 被广泛用作许多加速器中的非侵入式束流轮廓监测器。在此类监测器中,粒子束与残留气体相互作用,导致气体分子电离或发射荧光。束流与气体相互作用产生的副产物可以通过外部电磁场(离子和电子)收集,或使用独立光学系统(荧光)检测,以提供初级束流的一维分布信息。根据背景压力水平,它们通常需要较长的积分时间或加载额外的工作气体。后者将产生较大的压力凸起区域,并可能导致初级束流性能下降
电话:914-945-3070(SETNA 为 603-548-7870)电子邮件:kwlee@us.ibm.com(SETNA 为 eschulte@set-na.com)摘要锡合金被广泛用作电子互连的焊料。锡焊料表面往往有锡氧化物,需要将其去除以提高互连回流工艺(如倒装芯片连接)的产量。传统上,使用强助焊剂去除这些氧化物,但此工艺的缺点是会留下助焊剂残留物,这可能导致底部填充分层或需要高成本的清洁工艺。随着焊料凸块体积和凸块间间距的减小,这些问题在制造过程中变得更加难以处理。我们建议使用大气等离子体来减少凸块表面的这些氧化物,以便使用非常轻的助焊剂,甚至根本不使用助焊剂。此工艺具有等离子表面处理的优点,而没有真空等离子工艺的成本和产量损失。这种工艺可以提高产量和产量,同时降低成本。我们描述了一个实验,其中锡箔用还原化学大气等离子体工艺处理,然后用X射线光电子能谱 (XPS) 和俄歇电子能谱 (AES) 进行分析。AES 深度剖面分析表明,等离子体显著降低了氧化锡的厚度。没有证据表明任何蚀刻底层元素锡。这些结果表明,氧化锡被还原为金属锡,而底层锡金属没有被蚀刻。在另一个使用带有 SnAg 焊料的半导体芯片的类似实验中,XPS 结果表明氧化锡再次被还原为金属锡。在倒装芯片连接中,使用这种大气等离子体处理的芯片的连接工艺实现了高互连产量,即使在质量差且氧化过度的焊球的情况下也是如此。据我们了解,以前没有报道过在环境中用大气等离子体对氧化锡进行纯化学还原。关键词无铅焊料倒装芯片连接、氧化锡还原、大气等离子体和半导体互连