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EEE 335：模拟和数字电路
课程目的：本课程是电气工程中电子和混合信号电路设计重点的领域衔接课程。它是 EEE 334，电路 II 的延续。在 EEE 334 中，您将了解晶体管和电子电路的基础知识。本课程将是您的第一门真正的电子电路设计课程，重点介绍如何构建数字和模拟电路。实际设计将在配套实验室中实现，您将需要使用 CADENCE EDA 工具构建和模拟特定电路，从 CMOS 逻辑门到差分放大器。本课程最重要的特点可能是它对电子电路的时间和频域响应的处理。鉴于这一特点，强烈建议学生不仅复习他们在 EEE334 中学到的知识，还要复习 EEE 202，电路 I 中涵盖的网络分析原理。
混合电压应用的数字 I/O 缓冲器设计
介绍了一种用于混合电压的数字双向输入/输出 (I/O) 垫片缓冲器的新电路设计。数字双向 I/O 缓冲器通过将输出阻抗与传输线的 50 欧姆相匹配来避免反射，并通过增加输出阻抗使过冲和下冲低于 300mV。数字双向 I/O 垫片缓冲器提供输入和输出之间的最小延迟以及最小上升和下降时间。所提出的数字双向 I/O 垫片缓冲器是在 Cadence 中使用 TSMC 0.18um CMOS 工艺进行设计、仿真和布局的，线性电阻元件电连接到 I/O 垫片以限制处理的数据 I/O 信号。输出上升时间和下降时间分别为 0.42 ns 和 0.93 ns，负载为 3pF。最终芯片面积仅为 5 um 2
耦合仿真和加速退化模型的可靠性评估：应用于电压调节器
本文根据低压差稳压器的行为，演示了如何使用数值模拟数据，基于加速退化测试数据进行可靠性性能评估。该稳压器采用 Cadence Virtuoso 软件和 180 nm AMS CMOS 技术设计，并通过模拟评估其输出电压随温度和输入电压的变化。输出电压退化数据是根据环境参数（输入电压和温度）约束生成的，这使得我们能够利用数值模拟模型和所提出的退化模型定义加速条件下的故障阈值。采用退化路径模型确定指定故障标准（5%）下的伪故障时间。然后，我们推导出加速度定律模型，通过执行最大似然估计法来估计可靠性模型参数，不仅可以分析，还可以预测不同电压和温度应力条件下稳压器的寿命数据分布。
ZScaler峰会合作伙伴计划
将每年衡量合作伙伴对计划要求的遵守，并且合作伙伴在满足年度计划要求时的任何缺陷都可能导致其合作伙伴级别的变化或导致从计划中删除。zscaler将真诚地采取行动，并竭尽全力传达伴侣的成就，并为合作伙伴提供合理的时间，以在对伴侣采取任何措施之前纠正任何缺陷。将根据Zscaler自行决定确定的节奏来传达合作伙伴对计划要求的绩效。年度审查期与Zscaler会计年度日历（8月 - 7月）
新闻稿
印度新德里 - 2025年2月5日：为了激发巴斯夫的全球化学教育倡议巴斯夫儿童实验室的灵感，最近在IIT Delhi校园与印度政府的主要科学顾问合作，由BASF举办全球化学教育计划；德里印度理工学院； Deshbandhu学院；德里大学和德里学校教育委员会。来自新德里的1800多名儿童参加了为期10天的计划，该计划的重点是气候变化和可持续性。这将该计划的学生受益人总数于2023 - 25年在Navi Mumbai，Mangalore，Bengaluru和现在的新德里主持，到达6000多个。来访的孩子，所有来自贫困背景的学生都去政府学校，由导师，Deshbandhu学院的学生指导，由巴斯夫培训，通过创新的模型和实验对气候变化的起源和影响。实验旨在典型地说明气候变化的影响并在化学的帮助下进行缓解。“我发现气候变化背后的科学很有趣 - 这使我想成为一名科学家，”七年级的学生Chanchal宣称。她的情绪受到更多与会的孩子的回应。谈到该倡议时，印度政府首席科学顾问（PSI）战略联盟主任Sapna Poti博士说：“我们星球的未来取决于当今儿童的行动。诸如巴斯夫儿童实验室（Basf Kids Lab）之类的举措对于赋予他们创造可持续未来的知识和技能的能力至关重要。”该计划是巴斯夫促进科学教育和亚历山大·格丁（Alexander Gerding），印度巴斯夫（Basf India）董事总经理，印度巴斯夫集团公司（BASF Group Companies）的负责人补充说：“我们致力于培养儿童可持续性和环境管理的文化。 巴斯夫儿童实验室计划是这项工作的关键部分，我们很高兴看到它在印度产生的影响。” AI的Cadence主席IIT Delhi教授Tapan K Gandhi教授是该计划的主要支持者之一，他能够在IIT Delhi校园内举办儿童实验室。 他指出，“这样的行业学术界合作对于促进STEM教育和可持续性至关重要。 我们很高兴与巴斯夫合作激发下一代领导者和创新者。”亚历山大·格丁（Alexander Gerding），印度巴斯夫（Basf India）董事总经理，印度巴斯夫集团公司（BASF Group Companies）的负责人补充说：“我们致力于培养儿童可持续性和环境管理的文化。巴斯夫儿童实验室计划是这项工作的关键部分，我们很高兴看到它在印度产生的影响。”AI的Cadence主席IIT Delhi教授Tapan K Gandhi教授是该计划的主要支持者之一，他能够在IIT Delhi校园内举办儿童实验室。 他指出，“这样的行业学术界合作对于促进STEM教育和可持续性至关重要。 我们很高兴与巴斯夫合作激发下一代领导者和创新者。”AI的Cadence主席IIT Delhi教授Tapan K Gandhi教授是该计划的主要支持者之一，他能够在IIT Delhi校园内举办儿童实验室。他指出，“这样的行业学术界合作对于促进STEM教育和可持续性至关重要。我们很高兴与巴斯夫合作激发下一代领导者和创新者。”
MOSFET电流镜的拓扑分析
摘要 - 电流镜是在Mi-Croelectronics中广泛使用的电路，尤其是在模拟IC设计中。它们作为原理是输出节点处参考电流的复制品的生成。本文旨在对NMOS电流镜的不同拓扑，特别是简单的电流镜，cascode电流镜和Wilson Current Mirror进行比较研究。我们分析了它们有关晶体管的通道宽度（W）和工作温度的电气特征。Cadence Virtuoso被用作模拟工具，目标过程技术为130 nm。结果，我们发现，通过增加晶体管的W，最小输出电压会降低。此外，我们注意到三个拓扑中的温度比输出电流产生的影响。最后，可以得出结论，当前的镜子遵循了主要文献的预期模式，并朝着代表命令MOSFET晶体管的主要方程式的方向融合。索引项 - cascode电流镜，简单电流镜，Wilson Current Mirror。
6T 1位全加器的实现与分析
VI. 参考文献 [1] DanWang, Maofeng & Wucheng，“180nm CMOS 技术中的新型低功耗全加器单元”，DOI:10.1109/ICIEA.2009.5138242，工业电子与应用，2009 年。ICIEA 2000。第四届 IEEE 会议，2009 年 6 月。 [2] Kamlesh Kukreti、Prashant Kumar 等人，“基于多米诺逻辑技术的全加器性能分析”，DOI:10.1109/ICICT50816.2021.9358544，印度哥印拜陀，2021 年。 [3] Umapathi.N、Murali Krishna、G. Lingala Srinivas。 (2021)“对进位选择加法器独特实现的综合调查”，IEEE 和 IAS 第四届两年一度的新兴工程技术国际会议，于 1 月 15 日至 16 日在印度新孟买举行。[4] Subodh Wairya、Rajendra Kumar 等人，“用于低压 VLSI 设计的高速混合 CMOS 全加器电路性能分析”，DOI：10.1155/2012/173079，2012 年 4 月。[5] N. Umapathi、G.Lavanya (2020)。使用 Dadda 算法和优化全加器设计和实现低功耗 16X16 乘法器。国际先进科学技术杂志，29(3)，918-926。[6] Pankaj Kumar、Poonam Yadav 等人，“基于 GDI 的低功耗应用全加器电路设计和分析”，国际工程研究与应用杂志，ISSN：2248-9622，第 4 卷，第 3 期（第 1 版），2014 年 3 月。[7] NM Chore 和 RNMandavgane，“低功耗高速一位全加器调查”，2010 年 1 月。[8] Gangadhar Reddy Ramireddy 和 Yashpal Singh，“亚微米技术下拟议的全加器性能分析”，国际现代科学技术趋势杂志第 03 卷，第 03 期，2017 年 3 月 ISSN：2455-3778。 [9] Chandran Venkatesan、Sulthana M.Thabsera 等人，“使用 Cadence 45nm 技术的不同技术分析 1 位全加器”，DOI：10.1109/ICACCS.2019.8728449，2019 年 3 月，印度哥印拜陀。[10] K.Dhanunjaya、Dr.MN.Giri Prasad 和 Dr.K.Padmaraju，“使用 45nm Cmos 技术的低功耗全加器单元性能分析”，国际微电子工程杂志（IJME），第 3 卷。 1，No.1，2015 年。[11] Karthik Reddy.G，“Cadence Virtuoso 平台中 1 位全加器的低功耗面积设计”，国际 VLSI 设计与通信系统杂志 (VLSICS) 第 4 卷，第 4 期，2013 年 8 月，DOI：10.5121/vlsic.2013.4406 55。[12] Kavita Khare 和 Krishna Dayal Shukla，“使用 Cadence 工具设计 1 位低功耗全加器”，引用为：AIP 会议论文集 1324，373 (2010)，2010 年 12 月 3 日。[13] Murali Krishna G. Karthick、Umapathi N.（2021）“低功耗高速应用的动态比较器设计”。引自：Kumar A.、Mozar S. (eds) ICCCE 2020。电气工程讲义，第 698 卷。Springer，新加坡。[14] Murali Anumothu、BRChaitanya Raju 等人“使用基于多路复用器的 GDI 逻辑设计和分析 45nm 技术中的 1 位全加器的性能”，第 3 卷(2016)，第 3 期，2016 年 3 月。[15] Partha Bhattacharyya、Bijoy Kundu 等人。al“低功耗高速混合 1 位全加器电路的性能分析”，第 23 卷，第 10 期，DOI：10.1109/TVLSI.2014.2357057，2015 年 10 月。
氢内燃机在非...中的作用
虽然该小组由 DESNZ 召集，但完全由行业主导，其高级代表来自整个 H2ICE 领域，包括原始设备制造商 (OEM)、关键零部件供应商、最终用户、贸易机构、独立专家和学术界。Sapsford Consulting Engineers Ltd. 的 Steve Sapsford 教授和 ULEMCo 的 Amanda Lyne 始终担任该小组的联合主席，并与小组成员商定了职权范围、节奏和成果。DESNZ 提供行政和秘书处职能，政府各部门的官员出席会议。参与编写本报告的作者、贡献者和编辑的名单和简历见附录 3。该小组成员和参与者的完整名单见附录 4。
纽约州公共服务委员会
提交日期：2024 年 10 月 7 日 I. 简介 先进输电技术联盟 (WATT) 很高兴有机会提交意见，以响应纽约公共服务委员会（“委员会”）2024 年 7 月 24 日的征求意见通知，该通知针对 (1) 纽约联合公用事业公司（“联合公用事业公司”）6 月 3 日提交的关于缩短协调电网规划流程（“CGPP”）周期时间的建议和 (2) 公共服务部（“DPS”）工作人员对 CGPP 中期评估的意见。这两项提案都提出了改进未来 CGPP 工作节奏和资源的建议。除了这些建议之外，WATT 还建议委员会应采取临时措施，以提高 CGPP 的透明度和利益相关者的参与度。
硅岛——爱尔兰的半导体机遇
爱尔兰是欧洲微电子生态系统中的关键参与者，拥有超过 20,000 名员工，是全球 30 家最大半导体公司中的 15 家的所在地。在过去 18 个月中，AMD、Analog Devices、Infineon 和 Qualcomm 等公司宣布了超过 1,100 个制造和研发岗位，在爱尔兰的投资总额接近 10 亿欧元。此外，英特尔在爱尔兰开设了 Fab 34，投资额达 170 亿欧元，将在欧洲最先进的半导体工厂中使用尖端的 EUV 技术。凭借数十年来在制造和研发/设计方面的信誉，加上主要 EDA 和 IP 参与者（如 ARM、Cadence、Siemens Mentor Graphics 和 Synopsys）的运营影响力，爱尔兰可以发展这些活动，并扩大外包装配和测试服务 (OSAT) 和先进封装方面的产品。