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肠脑迷走神经轴影响海马记忆过程和可塑性
迷走神经是身体和大脑之间的内感受中继。尽管迷走神经在摄食行为、能量代谢和认知功能中的作用已得到充分证实，但连接迷走神经和海马的复杂功能过程及其对学习和记忆动态的贡献仍然难以捉摸。在这里，我们研究了肠脑迷走神经轴是否以及如何在行为、功能、细胞和分子水平上促进海马的学习和记忆过程。我们的结果表明，迷走神经轴的完整性对于长期识别记忆至关重要，同时对其他形式的记忆也有保护作用。此外，通过结合多尺度方法，我们的研究结果表明肠脑迷走神经张力在扩大细胞内信号事件、基因表达、海马树突棘密度以及功能性长期可塑性 (LTD 和 LTP) 方面发挥着允许作用。这些结果强调了肠脑迷走神经轴在维持海马群的自发和稳态功能以及调节其学习和记忆功能方面的关键作用。总之，我们的研究全面了解了肠脑迷走神经轴在塑造时间依赖性海马学习和记忆动态方面的多方面参与。了解这种内感受性身体-大脑神经元通讯背后的机制可能为与认知衰退相关的疾病（包括神经退行性疾病）的新治疗方法铺平道路。
在L模式高通力运动期间，西部主要等离子体面向组件的钨大侵蚀调查
在2023年，在西部进行了最初的高通力运动，该活动是由新安装的主动冷却的钨分流，由Iter级单块组成。该活动包括在附着的转移条件下重复60秒钟的长氘L模式脉冲，累积了超过10000秒的血浆暴露。在外部罢工点区域达到了大约5举10 26 m -2的最大氘静脉，代表了一些高性能iTer脉冲。从可见光谱中推断出的总钨侵蚀表明，最受侵蚀的等离子体面向成分是内部分流目标，其速率比外移分离目标大十倍。位于离等离子体数厘米的外部平面钨保险杠，显示出侵蚀率的侵蚀速率是外移分流的两倍。我们得出的结论是，外部平面保险杠对远程钨的迁移和沉积到下层的延长具有可忽略的贡献。内部分流器上的累积总侵蚀率以约20μm的有效总侵蚀厚度转换，而外分离器的侵蚀速率约为20μm。引人注目的是，这些订单与分流物上本地的沉积物厚度一致：高场侧单块的裸露表面覆盖着几个μm的钨沉积物，而在下部侧面，很少有μm薄钨沉积物仅在磁性阴影部分上发现单块的磁性阴影部分。尤其是研究行动的开始，应考虑分离侵蚀预算的定义，以预测有害存款的形成。这些沉积物对西部运行的强烈影响，即表面温度测量与红外热摄影的扰动以及片的发射导致受限血浆的辐射扰动，要求预测ITER中的类似问题。
天线耦合微光仪基于2D实时Terahertz Imaging
的确，与上述标准有关，未冷却的重测技术是THZ 2D成像的有前途的候选人。它在室温下运行，阵列在硅微电子铸造厂的高级CMOS应用特定集成电路（ASIC）上方生产，紧凑的单层大型2D阵列 - 现在以连续降低价格在工业上生产Mpixel格式。作者组[3]用Leti-Ulis专有的非定形 - 硅螺旋体传感器测试了此成像设置配置[4]。用量子级联激光器（QCL）在3 THz下的测量显示出小于0.5％的光吸收效率。即使这种敏感性足以进行测试过的活动THZ成像设置，这些结果也促使研究了BOLOMETER PISERETURTER的研究，专门调整了对THZ辐射的感觉，以便遵守现实生活中的用户库。
粘附 G 蛋白偶联受体脑特异性血管生成抑制剂 2 (BAI2/ADGRB2) 对海马兴奋性突触发育的调节
。CC-BY-NC-ND 4.0 国际许可证（未经同行评审认证）是作者/资助者，他已授予 bioRxiv 永久展示预印本的许可。它是此预印本的版权持有者此版本于 2025 年 2 月 3 日发布。；https://doi.org/10.1101/2025.02.02.636169 doi：bioRxiv 预印本
新型数字异常、海马萎缩和突变扩大了 Houge 型 X 连锁综合征智力发育障碍 (MRXSHG) 中 CNKSR2 的基因型和表型谱
推荐引文 推荐引文 Ghasemi，Mohammad Reza；法塔赫，萨汉德·德赫拉尼；本-马哈茂德，阿菲夫；古普塔，维杰；拉拉·G·斯图恩；莱斯卡、盖坦；查特伦，尼古拉斯；康拉德·普拉泽；埃德里，帕特里克；萨德吉，侯赛因；伊西多尔，伯特兰；本杰明·科涅；舒尔茨，海蒂 L.；克劳斯佩-施图贝克，伊洛纳；佩里亚萨米，拉达克里希南；南普蒂里，席拉；米尔法赫莱，礼萨；阿利扬普尔、萨哈尔；西尔布，史蒂芬；普法伊弗，乌尔里希；斯普兰格，斯蒂芬妮；格伦德曼-豪瑟，凯瑟琳；哈克，托比亚斯·B.；帕帕佐普卢，玛丽亚·T.；达·席尔瓦·贡萨尔维斯，泰琳； Panagiotakaki, Eleni；Arzimanoglou, Alexis；Tonekaboni, Seyed Hassan；Lacassie, Yves；等人，“新型数字异常、海马萎缩和突变扩大了 Houge 型 X 连锁综合征性智力发育障碍 (MRXSHG) 中 CNKSR2 的基因型和表型谱”(2024)。医学院教职员工出版物。3292。https://digitalscholar.lsuhsc.edu/som_facpubs/3292 10.1002/ajmg.a.63963
经皮耳迷走神经刺激对丙烯醛诱发的阿尔茨海默病样海马神经元空间学习和记忆的影响
迷走神经刺激 (VNS) 是一种已获批准的治疗方法，可用于治疗多种神经系统疾病，包括难治性癫痫和难治性抑郁症等，目前正作为治疗神经系统痴呆症（如阿尔茨海默病 (AD) 和相关痴呆 [1] ）的潜在疗法而受到关注。VNS 刺激有两种形式，即侵入性和非侵入性（经皮），前者涉及通过手术将刺激电极植入神经周围，后者因副作用小而最受欢迎，涉及通过完整的皮肤刺激迷走神经耳支 (ABVN) 的耳甲区或迷走神经分布的颈部区域 [2] 。在耳甲区以外，耳颞神经支配耳区上方和耳大神经支配下外侧 [3] ，但关于电刺激对这些神经对身体的影响的研究很少。
基于RNA的测定法以预测抗...
除了调节5-羟色胺转运外，选择性5-羟色胺再摄取抑制剂（SSRIS）还具有其他多种可能导致临床作用的机制，而后来的某些动作促使SSRIS促进了非精神病学指征的SSRIS。在最近对SSRIS氟紫氧胺，氟西汀和舍曲林的研究中，我们发现，与其他两个SSRI不同，舍曲林与SIGMA 1受体的逆激动剂（S1RS）急性浓度下的其他两个SSRIS急性抑制LTP。在当前的研究中，我们追求了大鼠海马切片中LTP调节的机制。我们发现，舍曲林部分抑制了由N-甲基-D-天冬氨酸受体（NMDARS）介导的突触反应，通过对含有Glun2b亚基的NMDAR的影响。选择性S1R拮抗剂（NE-100），而不是S1R激动剂（084年前）阻止对NMDAR的影响，即使以前证明了两个S1R配体可以防止LTP抑制。然而，NE-100和084年前，都阻止了舍曲林对单次试验学习的不利影响。由于S1RS在调节内质网应激中起着重要作用，我们检查了细胞应激的抑制剂是否改变了舍曲林的作用。我们发现，与内源性神经类固醇合成的抑制剂一样，两种应激抑制剂Isrib和槲皮素可以防止LTP抑制作用，它们是细胞胁迫的稳态调节剂。这些研究强调了舍曲林，S1R和神经固醇对海马功能的复杂作用，并且与理解治疗和不良药物作用具有相关性。
SYMBRAVO（美洛昔康和利扎曲坦）片剂，口服
完整处方信息：内容* 警告：严重心血管和胃肠道事件的风险 1 适应症和用法 2 剂量和给药 2.1 推荐剂量 2.2 给药 2.3 不能与其他配方的美洛昔康和利扎曲普坦替代 3 剂型和强度 4 禁忌症 5 警告和注意事项 5.1 心血管血栓事件和心肌梗死 5.2 胃肠道出血、溃疡和穿孔 5.3 心律失常 5.4 脑血管事件 5.5 过敏反应 5.6 胸部、喉咙、颈部和/或下颌疼痛/紧绷/压力 5.7 其他血管痉挛反应5.8 肝毒性 5.9 高血压/血压升高 5.10 心力衰竭和水肿 5.11 肾毒性和高钾血症 5.12 严重皮肤反应 5.13 伴有嗜酸性粒细胞增多和全身性反应的药物反应
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冶金与材料工程系是历史最悠久的系之一，成立于 1965 年，提供学士、硕士和博士学位课程。凭借丰富的冶金加工和材料测试经验，在过去的二十年里，该系适应了世界各地不同材料工程领域的变革和期望。一些先进的研究领域包括先进和特殊钢材、聚合物材料、先进复合材料、纳米材料、高熵合金、增材制造和表面工程。该系拥有最先进的表征设施。其校友在印度和国外的学术界、研发组织和工业界担任重要职务。该系与工业界和学院之间有着良好的互动，在过去五年中获得了超过 450 万卢比的研究经费，其中包括一项享有盛誉的 DST-FIST 拨款。（www.mnit.ac.in/dept_mme）
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冶金和材料工程部是1965年成立的最古老的部门之一，并提供B.Tech，M。Tech和Ph。D程序。在过去二十年中，冶金加工和材料测试的丰富遗产，该部门在各种材料工程领域中改编了全球的转型和期望。一些先进的研究领域包括高级和异国情调的钢，聚合物材料，高级复合材料，纳米材料，高熵合金，添加剂制造和表面工程。该部门具有最先进的特征设施。其校友在印度以及国外的学术界，研发组织和行业中占重要地位。该部门具有良好的行业互动，并获得了超过卢比的研究资金。过去五年中包括享有声望的DST拳手赠款，其中包括一笔著名的DST拳手。（www.mnit.ac.in/dept_mme）