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全数字语音和数据以及模拟功能。
Rockwell Collins 的 VHF-2100 与 CMU-900 数字链路路由器完美结合，打造出一个集成通信、导航、监视/空中交通管理 (CNS/ATM) 通信环境，具有可升级的 CPDLC，包括未来空中导航系统 (FANS)、ACARS、VDL Mode2 和 ATN 扩展。VHF-2100 还支持现有安装，并与 VHF-700/700B、VHF-900/900B 和 VHF- 920 兼容。该系统符合 25 kHz 的 ARINC 716 和 118.000 至 136.992 MHz 的欧洲标准化 8.33 kHz AM-DSB 语音操作。还提供了符合模式 A 的 2,400 bps AM-MSK 的 ARINC 750 ACARS 数字数据通信。
65 nm Beol Electro-Copper Plating Gap填充能力研究。
图5.2。相对电阻与EM测试的时间降解图。图中指出了两种不同的降解行为模式。...............................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................5.3。分别用于带有双层和三层屏障的样品的t = 275、300、325°C的时间的CDF图和j = 2×10 -6 a/cm 2。.....................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................5.4。fib图像显示了（a）早期和（b）晚期失败的双层的下游诱导的空隙，以及（c）早期和（d）晚期失败的三层。虚线箭头指示电子流的方向。................................................................................................ 55 Fig.5.5。在t = 300°C下的双层三层屏障样品的双峰拟合。.................................................................................................. 56 Fig.5.6。Arrhenius图作为分裂A和B的温度的函数。提取早期和晚期失败模式的激活能。....... 58图6.1。tem显示了分裂的典型模具的Cu凹陷深度（a）a，（b）b和（c）c，分别为低，中值和高降低。....................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 64图6.2。在M2层的三个拆分中有缺陷的死亡百分比。............................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 65图6.3。通过V2M2处的三个分裂的接触电阻。6.4。6.5。6.6。.....................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................在t = 275、300、325°C分开a的时间的时间（TTF）的CDF图（TTF），J = 2×10 6 A/cm 2。.................................................................................... 67 Fig.来自PFA的EM测试结构的 FIB图像显示了（a）早期和（b）晚期失败的下游诱导的空隙。 ................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 使用物理方法在t = 300°C下分裂A至C的双峰拟合。69图 6.7。 MTTF的Arrhenius图作为拆分a的温度的函数。 7.1。 2步（实线）和3步（仪表板线）Cu种子层的沉积功率。 ............................................................................................................ 76 Fig. 7.2。 （a）带有3步和2步Cu种子层的金属线的泄漏电流和（b）板电阻。 ....................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 78FIB图像显示了（a）早期和（b）晚期失败的下游诱导的空隙。...................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................使用物理方法在t = 300°C下分裂A至C的双峰拟合。69图6.7。MTTF的Arrhenius图作为拆分a的温度的函数。7.1。2步（实线）和3步（仪表板线）Cu种子层的沉积功率。............................................................................................................ 76 Fig.7.2。（a）带有3步和2步Cu种子层的金属线的泄漏电流和（b）板电阻。....................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 78
技术需要实现联合作战能力
2. 技术优势将日益成为未来战争的决定性因素。在过去二十年中，随着新技术和新兴技术的影响，战争已经发生了快速变化，特别是在电子、小型化、材料和计算领域。这对从通信到传感器和制导武器等广泛应用领域的更通用系统的开发产生了深远影响。此外，计算技术已进入每一种战争能力的系统，从而为现代战争增加了一个新的维度。采用最新技术开发新的战争系统将推动我们实现实现技术优势的目标。这反过来将使我们在整个冲突范围内取得决定性胜利，即使在兵力减少的情况下，同时确保我们的部队伤亡最少。采用最新技术的现代武器和系统的易得性也是一个需要考虑的因素。这一现实意味着我们必须具备以最具成本效益和最佳方式应对此类扩散带来的威胁的能力。
5SYA 2043-01 9 月 4 日 _HiPaks 的负载循环能力
然而，每次温度变化都会对半导体器件施加应力，最终导致引线脱落、芯片或基板分层、内部连接断裂、外壳或底板破裂等。无论如何，器件都会失效。对于用户来说，知道什么时候会发生这种情况很重要。遗憾的是，由于器件的制造差异很小，磨损过程具有“偶然”因素，因此无法准确判断单个器件何时会失效。唯一有意义的值是单个器件的故障概率和整个器件群中故障器件的百分比。本应用说明旨在解释所涉及的统计工具，并为电力电子设计人员提供依据，以便他们估算模块寿命、调整功率水平等参数，或简单地为特定应用选择合适的半导体器件。