1. T. Johansson、J.-M. Gobbi,“用于最小化基板和耦合电容器之间产生的寄生电容的设备利用集成电路中不同功能块之间的电容耦合”,瑞典专利号 470 115,提交日期 1992-05-02。
1 电容单位:1 pF = 10 −12 F;1 fF = 10 −15 F;1 aF = 10 −18 F。满量程 (FS) = 8.192 pF;满量程范围 (FSR) = ±8.192 pF。2 规格未经生产测试,但由产品初始发布时的特性数据支持。3 工厂校准。绝对误差包括工厂增益校准误差、积分非线性误差和系统失调校准后的失调误差,均在 25°C 下。在不同温度下,需要对增益随温度漂移进行补偿。4 可以使用系统失调校准消除电容输入失调。系统失调校准的精度受失调校准寄存器 LSB 大小 (32 aF) 或系统电容失调校准期间的转换器 + 系统 p-p 噪声限制,以较大者为准。为了最大限度地减少转换器 + 系统噪声的影响,应使用较长的转换时间进行系统电容失调校准。系统电容失调校准范围为 ±1 pF;可以使用 CAPDAC 消除较大的失调。5 规格未经生产测试,但由设计保证。6 增益误差在 25°C 时进行工厂校准。在不同温度下,需要对增益随温度漂移进行补偿。7 必须将 VT SETUP 寄存器中的 VTCHOP 位设置为 1,以实现指定的温度传感器和电压输入性能。8 使用外部温度传感二极管 2N3906,非理想因子 n f = 1.008,连接方式如图 37 所示,总串联电阻 <100 Ω。9 满量程误差适用于正满量程和负满量程。
■一种新的方法修改单磨刀进料频率补偿以驱动大型电容载荷,使衰减器陷入了Iman Chaharmahali,Shahrooz Asadi,Behnam Dorostkar,Mosa Malaknezhad Bosra,Mohammad Abedini -Abedii Abedini Abledigation Cigndit和Signal Coundering and Sighnage Crocessing,Vol.93,p。61-70,2017
• 对于慢速信号和/或短线段,分布式 RC 模型(包括与相邻线的电容耦合)将提供足够准确的图像。 • 存在几种精确(尽管计算成本高昂)的方法来提取 R 和 C 值。 • 可以使用 RC 模型模拟延迟和耦合效应。
TI 在电容和磁隔离、封装开发和工艺技术方面的进步可以跨越工业和汽车系统(例如电动汽车 (EV)、电网基础设施、工厂自动化和电机驱动器)中的隔离屏障安全可靠地传输电源和高速信号。
本研究报告了一种面积高效、无电感、低噪声 CMOS 跨阻放大器的设计,适用于入门级光时域反射仪。本研究提出了一种新方法,用于在电容反馈 TIA 中实现可编程增益,使用输入级偏置阻抗和其中一个反馈电容器独立调整低频和高频行为。该方法解决了快速前馈或电阻反馈拓扑的典型噪声问题,同时缓解了关键 TIA 性能指标的权衡。提出了一种更精确的放大器模型,该模型考虑了电容隔离和两个偏置电路的影响。建议对参考设计进行进一步修改,包括基于 PMOS 的偏置电路实现,以解决电压余量问题。该电路采用标准 180 nm CMOS 工艺实现,采用 1.8 V 电源供电,电流为 11.7 mA。
9. 采用 Si3N4 电介质和 Au 梁材料设计和分析 MEMS 分流电容开关,以提高驱动电压和 RF 性能(考虑有无圆形穿孔):Kurmendra;Kumar,R.;电气电子材料学报。2019,20,299–308。SCOPUS/ESCI