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能量收获
材料法案数量指示符描述Vishay P / N 1 B1 196 HVC Enycap™4 F / 4.2 V，堆叠水平MAL219691113E3 4 B2，B3，B4，B4，B5 SMD ENYCAP™，每个2.1 V，每个（8 mm x 11 mm，9 mm x 22 mm x 22 mm x 22 mm） ILSB0603ER100K 1 C1 Ceramic capacitor: 100 nF, 10 V, 10 %, X7R, 0402 VJ0402V104ZXQPW1BC 1 C2 Ceramic capacitor: 1 nF, 50 V, 5 %, X8R, 0402 VL0402H102JxAPxxx 1 C3 Ceramic capacitor: 10 nF, 10 V, 10 %, X7R, 0402 1 C4 Ceramic capacitor: 1 μF, 25 V, 20 %, X5R, 0402 1 CBOOST Ceramic capacitor: 22 μF, 10 V, 20 %, X5R, 0603 1 CSRC Ceramic capacitor: 10 μF, 10 V, 20 %, X5R, 0603 2 CBATT, CSRC2 150 μF, ± 20％，6.3 V陶瓷电容器X5R，1206（3216公制）3 CBUCK，CHV，CLV陶瓷电容器：10μF，10 V，20％，20％，X5R 1 D1 Schottky BAT54 300 MA，40 V BAS16D-E3 1 D4 LED 0402 RED替代：VLMS15002 d5 d5 d5 04 04 VLMG1500-GS08 1 D6齐纳5.1 V，300 MW，2针SOD-323 BZX384C5V1-E3 1 lboost低剖面，高电流，屏蔽电感器IFSC1008ABER100M01 1 PIN，3杆，3杆1 Q1 N-CHANNEL 60 v，30 v，1 Q1 N-CHANNEL 60 v，SOT23，1.SOT：8 Ω 2N7002K-T1-E3 1 R1 Thick film resistor: 7.15 M Ω , 0603, ± 1 %, AEC-Q200 CRCW06037M15FKEA 1 R1b Thin film resistor: 100 k Ω , 0603, ± 0.1 % MCT06030C1003FP500 1 R2 Thick film resistor: 3.48 M Ω , 0603, ± 1 %, AEC-Q200 MCT06030C3834FP500 1 R2_b Resistor: 0 Ω - 0603, resistor 0 Ω - 0603 solder bridge CRCW06030000Z0EA0C 1 R3 Thick film resistor: 383 k Ω , 0402, ± 1 % CRCW0603383KFKEA
Al-Mhana T、Pickert V、Atkinson DJ、Zahawi B. 强制换向控制串联电容整流器，用于更多电动
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230 V/250 W、Hi-η 无传感器无刷直流电机驱动器（大容量电容器减少 30%）参考设计 (Rev. A)
TI MSP430™ 系列超低功耗 MCU 由多种设备组成，这些设备具有针对各种应用的不同外设集。该架构结合了五种低功耗模式。该设备具有强大的 16 位精简指令集计算 (RISC) CPU、16 位寄存器和常数生成器，有助于实现最大代码效率。数控振荡器 (DCO) 允许设备在不到 5 µs 的时间内从低功耗模式唤醒到活动模式。 MSP430F51x2 系列是微控制器配置，具有两个 16 位高分辨率定时器、两个通用串行通信接口 (USCI) USCI_A0 和 USCI_B0、一个 32 位硬件乘法器、一个高性能 10 位 200 ksps 模数转换器 (ADC)、一个片上比较器、一个三通道直接存储器访问 (DMA)、5V 容限 I/O 和最多 29 个 I/O 引脚。定时器事件控制模块将不同的定时器模块相互连接，并将外部信号路由到定时器模块。该器件能够以高达 25 MHz 的系统频率工作。该器件的工作温度为 –40°C 至 85°C。
NIST 电子计数电容的不确定性预算...
nist.gov › publication › get_pdf PDF 作者：MW Keller · 2007 · 被引用次数：61 — 作者：MW Keller · 2007 被引用次数：61 work linking the calculable capacitor to the quantum Hall effect [8], it provides a way of closing the quantum metrology triangle [9, 10].In ...
AC/DC转换器
注意：1。c1用作带有交流输入的滤波器电容器（必须在外部连接），并用作带有直流输入的EMC滤波器电容器（必须连接），建议使用带有波纹电流＞300mA@100kHz的电容器。2。我们建议使用具有高频和低ESR等级的电解电容器作为C3（请参阅制造数据表），当在正常和高温环境中应用时，电解电容器可用于C2。与C2，L1结合使用，它们形成PI型滤波器电路。选择具有至少20％边距的电容器电压额定值，换句话说，C4是陶瓷电容器，用于过滤高频噪声。3。建议在转换器故障的情况下使用抑制器二极管（TVS）来保护应用程序，并且规范应为输出电压的1.2倍。4。L1（2.2UH，P/N：12050504）Mornsun引号。
P2110B
功能描述 RF 输入 (RF IN ) RF 输入是来自天线的不平衡输入。任何标准或定制的 50 天线均可与接收器一起使用。P2110B 已针对 902-928MHz 频段的操作进行了优化，但在此频段之外操作时效率会降低。有关定制频率要求，请联系 Powercast。 RF 输入必须与地隔离。对于直流短路的天线，应与天线串联一个高 Q 直流阻塞电容器。 存储电容器选择 (V CAP ) P2110B 需要一个连接在 V CAP 的外部存储电容器。电容器的值将决定 V OUT 引脚可用的能量。电容器的漏电流应尽可能小。建议电容器的漏电流在 1.2V 时小于 1μA。电容器 ESR 应为 200m 或更小。较小的电容器充电速度会更快，但会导致工作周期更短。较大的电容器充电速度会更慢，但会导致工作周期更长。可以使用以下公式估算所需的最小电容值。
综合供应链解决方案
Electrocube (Bishop Electronics) Esta (Vishay) Evox / Rifa (Kemet) GE Capacitor Illinois Cap (CDE) Intergrated Products (Vishay) Kemet LS Mtron Mallory (CDE) Marcon (United Chemi-Con) Meritek NEC Tokin (Kemet) Nichicon RCD Components Roderstein (Vishay) Rubycon SB Electronics (CDE) Semiconductors (Vishay) Sfernice (Vishay) Siliconix (Vishay) Spectrol (Vishay) Sprague (Vishay) Surge Components Techno (Vishay) Thin Film (Vishay) United Chemi-Con VCS (Vishay) Vishay Vitramon (Vishay)
第 18 章 电能和电容工作表和测试全部
____ 15. 在以下情况下，电容器极板之间的电荷积累会停止： a. 极板上没有净电荷。 b. 极板上积累的电荷量不等。 c. 极板之间的电位差等于电池端子之间的电位差。 d. 两个极板上的电荷相同。 ____ 16. 将充电电容器的净电荷与同一电容器不充电时的净电荷进行比较， 则净电荷为： a. 充电电容器中的净电荷较大。 b. 充电电容器中的净电荷较少。 c. 两个电容器中的净电荷相等。 d. 充电电容器中的净电荷或多或少，但永远不会相等。 ____ 17. 电容器放电时， a. 必须将其连接到电池上。 b. 电荷通过电路从一个极板移回另一个极板，直到两个极板都没有电荷。 c. 电荷从一个极板移动到另一个极板，直到极板上积累大小相等且方向相反的电荷。 d. 不能将其连接到导电材料上。