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夹式粘合 CCPAK-1212：设计下一代 GaN 产品 Serge Karboyan、Ding Yandoc、Barr Licup、Manikant、Sara Martin Horcajo、Stefano
夹片键合 CCPAK-1212：设计下一代 GaN 产品 Serge Karboyan、Ding Yandoc、Barr Licup、Manikant、Sara Martin Horcajo、Stefano Dalcanale、John Denman、Zainul Fiteri、Hagop Tawidian、Manfred Rowe、Sven Zastrau、Adam Brown 和 Bas Verheijen Nexperia，Bramhall Moor Ln，斯托克波特，大曼彻斯特，英国 关键词：GaN、AlGaN、CCPAK1212、夹片键合、封装、产品可靠性。 引言 Nexperia 的商业化 GaN 基功率晶体管在功率器件市场表现出巨大优势，在 650 V 时提供低导通电阻。为了在不同应用（如车载充电器、DC-DC 转换器、牵引逆变器）[1、2] 中实现这种出色性能，Nexperia 推出了一种新型夹片键合封装 HEMT，在高工作电压下具有低关断态漏电。虽然这是 GaN 行业中第一个推出完全夹片键合解决方案而不需要任何引线键合连接的解决方案，但该解决方案的电感比引线封装低 5 倍（2.37 nH 对比近 14 nH），并且封装电阻超低，热阻小于 0.5 K/W [3]。要保持这种性能，需要高水平的器件工程设计，包括 HEMT 设计、MOSFET 设计以及紧凑型 CCPAK 中的共源共栅配置，从而形成具有行业领先性能的创新封装。夹片键合配置用于优化热性能和电气性能，简化的共源共栅可避免使用栅极驱动器。结果与讨论图 1 显示了共源共栅配置中的无引线键合 GaN HEMT 和 Si MOSFET。这些器件位于
国际电气与计算机工程杂志（IJECE）
基于鳍式场效应晶体管 (FinFET) 的模拟电路正逐渐取代基于金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的电路，因为其稳定性和高频操作而变得越来越重要。构成大多数模拟电路子块的比较器是使用运算跨导放大器 (OTA) 设计的。OTA 采用新的设计程序设计，比较器电路是将子电路与 OTA 集成在一起设计的。设计并集成了比较器设计的构建块，例如输入电平转换器、带有共源共栅级的差分对和用于输出摆幅的 AB 类放大器。在反馈路径中使用折叠共源共栅电路来将共模输入值保持为常数，以便差分对放大差分信号。比较器的增益达到 100 dB 以上，相位裕度为 65°，共模抑制比 (CMRR) 高于 70 dB，输出摆幅从轨到轨。该电路提供 5 GHz 的单位增益带宽，适用于高采样率数据转换器电路。
低温宽带子1-DB NF CMOS低噪声放大器用于量子应用
摘要 - 报告了基于标准40 nm CMOS技术的量子应用的低温宽带低噪声放大器（LNA）。LNA规范是从4.2 K处的半导体量子位的读数中得出的，其量子信息信号的特征是相位调节的信号。为了实现宽带输入匹配阻抗和低噪声图，可以利用输入晶体管的闸门电容。目标是将电阻和电容载荷与源电感变性的共同源阶段的输入阻抗匹配。电容载荷是由LC平行箱产生的，其谐振频率低于工作频率。实现的非构体等效电容已被证明是对输入阻抗匹配的好处。载荷的电阻部分是由cascode阶段的跨传导提供的。将电感器添加到cascode晶体管的门中以抑制其噪声，而具有两个共振频率的基于变压器的谐振器则用作第一个阶段的负载，从而扩展了操作带宽。提出并分析了LNA的低温温度操作的设计注意事项。LNA在整个频段（4.1-7.9 GHz）中实现了35±0.5 dB的测得的增益（S 21），回报损失> 12 dB，NF为0.75–1.3 dB（4.1-7.9 GHz），在室温下具有51.1兆瓦的功耗，同时显示为42±3.3 dB和NF的幂均值，均为0.2 db，Nf of 0.23-0.23-0.65 d.65 d.65 d.65 d.65 d.65 d.65 d.65 d.65 d.65 d d d db。在4.6至8 GHz之间。据我们所知，这是基于在4 GHz以上工作的批量CMOS过程的第一个报告，该过程在房间和低温温度下均显示出亚1-DB NF。
1.2 dB NF 分集接收模块的低频带多增益 LNA 设计
摘要：本文介绍并讨论了一种用于分集接收模块的低频带 (LB) 低噪声放大器 (LNA) 设计，该模块适用于多模蜂窝手机。LB LNA 覆盖 5 个不同频段，频率范围从 617 MHz 到 960 MHz，5 刀单掷 (5PST) 开关用于选择不同的频段，其中两个用于主频段，三个用于辅助频段。所提出的结构涵盖从 -12 到 18 dB 的增益模式，增益步长为 6 dB，每种增益模式的电流消耗都不同。为了在高增益模式下达到噪声系数 (NF) 规格，我们在本设计中采用了具有电感源退化结构的共源共栅 (CS)。为了实现 S 11 参数和电流消耗规格，高增益模式（18 dB、12 dB 和 6 dB）和低增益模式（0 dB、-6 dB 和 -12 dB）的内核和共源共栅晶体管已被分开。尽管如此，为了保持较小的面积并将相位不连续性保持在 ± 10 ◦ 以内，我们在两个内核之间共享了退化和负载电感器。为了补偿工艺、电压和温度 (PVT) 变化的性能，该结构采用了低压差 (LDO) 稳压器和极端电压补偿器。该设计在65nm RSB工艺设计套件中进行，电源电压为1V，以18dB和-12dB增益模式为例，其NF分别为1.2dB和16dB，电流消耗为10.8mA和1.2mA，输入三阶截取点（IIP3）分别为-6dBm和8dBm。
电气工程和信息学公告
This paper presents the application of two swarm intelligence techniques, multi-objective artificial bee colony (MOABC) and multi-objective particle swarm optimization (MOPSO), to the optimal design of a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) low noise amplifier (LNA) cascode with inductive source degeneration.目的是在电压增益和噪声数字之间实现平衡的权衡。优化的LNA电路在2.4 GHz的运行量为1.8 V电源，并在180 nm CMOS过程中实现。在MATLAB中实现了两种优化算法，并使用ZDT1，ZDT2和ZDT3测试功能进行了评估。然后使用Advance Design System（ADS）模拟器模拟了优化的设计。结果表明，MOABC和MOPSO技术在优化LNA设计方面是实用有效的，从而比以前发表的作品更好地性能，增益为21.2 dB，噪声图为0.848 dB。
关键词列表 - EPE 2023
电容耦合 电容耦合 电容电压平衡 电容器 碳中和 级联 H 桥 共源共栅 CC-CV 充电 混沌抑制 EMI 充电补偿装置 充电调度 充电站 充电 电动汽车充电基础设施 电路 D 类放大器 闭式方程 组合 MMC-LLC 热电联产 公共接地 共模电流 电力电子通信 通勤 补偿 测量组件 压缩机 计算成本 状态监测 传导损耗 共识 基于共识的合作控制 接触电阻 非接触式能量传输 非接触式电源 控制相互作用 电气系统的控制方法 驱动控制 控制策略 控制器基准 控制器 转换比 转换器电路 转换器控制 转换器机器相互作用
研究论文 VR与AI技术在大学英语教学中的应用与探索
为了提高大学英语教学效果，本文将VR和AI技术应用到大学英语教学中。根据英语教学图像的像素结构及其阵列驱动设计，本文提出了一种半有源地址驱动的像素结构。并且，本文通过调节计算机或FPGA产生的时钟信号CLK的周期来控制扫描速率，从而决定图像传输的速度。此外，为了确定共源共栅结构的输出DC值，对负反馈环路进行偏置，构建了智能教学系统。通过教学评估研究可以看出，本文提出的基于VR技术和AI技术的大学英语教学方法可以有效提高大学英语的教学效果。
低功率翻转电压追随者电流镜具有改进的输入输出阻抗
摘要。高性能子伏电流镜被广泛用于构建混合模式低功率VLSI系统。电流镜的性能取决于其关键参数，其中包括较大的操作范围，低输入合规性电压，宽秋千，大带宽以及非常低的输入和非常高的输出电阻。在本文中，显示了高性能低功率电流镜的设计。所提出的电流镜基于电压跟随器，使电流镜在低压下工作。为改善输入输出电阻，提出的电流镜由超级晶体管和超级cascode阶段使用。在微电瓦范围内的功率耗散时，直到1mA达到了最小误差的当前镜像。所达到的带宽为2.1 GHz，低输入和高输出电阻分别为0.407 ohm和50 giga ohm。在本文中还显示了过程角，温度分析和提议的电流镜的噪声分析。使用0.18 UM技术的HSPICE以0.5 V的双电源电压进行完整分析。
毫米波集成硅器件：有源与……
𝜖 O3 = 𝑆 0P 𝑑𝐵−𝑁𝐹。（5）𝜖 O3 可视为初步评估 LNA 基本性能的定性参考，与接收器性能的潜在优势有关。图 1(a) 和 (b) 中的 LNA 分别显示 𝜖 O3 为 -0.3 dB 和 3.1 dB。这意味着，图 1(a) 中的 LNA 具有负 𝜖 O3（NF 高于增益），可能会损害整体接收器性能，并且从成本效益的角度来看，采用它可能是不合理的，因为这取决于接收器下一阶段的性能，甚至可能导致性能下降和功耗浪费。对于图 1(b) 中的 LNA，𝜖 O3 略微超过 3dB，这可以视为其在接收器中采用的初步定性要求。尽管噪声系数略有增加，但 MT 0 和 𝜖 O3 均支持具有 IIM 的共源共栅放大器对于 MPmCN 的优势。
西孟加拉邦 Maulana Abul Kalam Azad 科技大学
模块 II 6L 高频晶体管模型、单级和多级放大器的频率响应、共源共栅放大器。各种操作类别（A、B、AB、C 类等）、反馈拓扑：电压串联、电流串联、电压分流、电流分流、反馈对增益、带宽等的影响，模块 III 6L 振荡器：基本概念回顾、巴克豪森准则、RC 振荡器（相移、维恩电桥等）、LC 振荡器（Hartley、Colpitt、Clapp 等）、多谐振荡器（单稳态、非稳态和双稳态）电流镜：基本拓扑及其变体、VI 特性、输出电阻和最小可持续电压 (VON)、最大可用负载。模块 IV 10L 差分放大器：基本结构和工作原理、差分增益、共模增益、CMRR 和 ICMR 的计算。运算放大器：基本结构和特性、反相和非反相放大器