XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search Systemcircuits
广义对偶电路中的量子信息传播
我们研究了最近引入的砖砌量子电路家族中量子信息的传播，该家族概括了对偶酉类。这些电路在时间上是酉的，而它们的空间动态仅在受限子空间中是酉的。首先，我们表明局部算子以光速传播，就像在对偶酉电路中一样，即蝴蝶速度取电路几何允许的最大值。然后，我们证明纠缠扩散仍然可以精确地表征为兼容初始状态家族（事实上，对于兼容对偶酉电路家族的扩展），并且渐近纠缠斜率再次与 Rényi 指数无关。然而，值得注意的是，我们发现纠缠速度通常小于 1。我们利用这些属性来找到纠缠膜线张力的闭式表达式。
通过飞秒激光波导写入玻璃的光子集成电路
相对于激光束。图 2a 描绘了 FLW 过程的图形表示。FLW 是一种串行制造技术，与光刻相比可能并不适合大规模生产。然而，它的速度和简单性使其成为至少在量子技术等快速发展领域中规模生产的有吸引力的选择。可以实现的折射率变化很小，因此设备不如硅或氮化硅等其他平台那么小型化。然而，FLW 因允许三维电路布局（图 2b-c）、与玻璃以外的各种材料兼容（促进复合设备的混合集成）以及与标准光纤的低损耗连接而脱颖而出。FLW 只是通过超短激光脉冲与透明材料的非线性相互作用实现的几种微加工工艺之一。另一个例子是飞秒激光烧蚀，它可以精确去除材料，从而形成三维微结构，如图 2a 所示的微沟槽。将飞秒激光烧蚀与激光烧蚀相结合，可以提高集成光子器件的性能，例如可编程光子集成电路 [5]，它集成了波导、电可编程干涉仪和空心结构，从而实现了非常低的
开发下一代光子集成电路
开发下一代光子集成电路 在过去二十年里，硅光子学 1,2 已经从学术研究转向广泛的工业应用。然而，尽管硅光子学 3 取得了商业上的成功，被用于数据中心的收发器，但硅并不是光子学和光学的理想材料。硅的带隙为 1 eV，因此不能用于可见光的生成和处理 4,5 ；另外，硅不能承受高光功率。同样，即使在最先进的全球代工厂的硅光子商业生产线中，使用数十亿美元的制造设备，损耗水平也只有每厘米 1dB。事实上，在芯片中获得超低损耗是极具挑战性的。对如此低损耗的追求不仅仅是一项学术努力：从历史上看，高锟的工作还为损耗仅为 1dB/km 的光纤奠定了基础，这导致了 2008 年诺贝尔物理学奖并彻底改变了通信领域 6 。然而，直到最近，低损耗集成光子电路的进展几十年来一直停滞不前——在 dB/cm 的水平。然而，芯片上的超低传播损耗对于众多未来应用至关重要。
JCI手册第五版
目标是确定Thevenin和Norton形式中的开路输出电压。由于电路打开时没有电流流，因此源电压出现在整个负载上。这意味着以Thevenin形式的开路输出电压仅仅是源电压。要以诺顿的形式找到开路输出电压，我们可以使用欧姆定律来计算等效电阻，然后将其应用于源电压。其余的文本似乎是Adel S. Sedra和Kenneth C. Smith的出版物“微电子电路”的版权通知和确认。它还包含第1-16章的练习解决方案，其中包括与微电子电路有关的问题和答案。最后，有一些特定的练习（例如ex：1-1）当输出端子打开或短路以及其他涉及电阻器，电容器和电压源的计算时，涉及计算开路输出电压。在此处给出的文字：x 35 cm/s'=）lpvt“'a。：12.4 cm2/s j> nd aqu :(。1._！！，/！ + jl！c ..），n v equationl .. 5u（，l，n，〜1。，lo“'x 1.6 x i（）x [v w〜-'----------' - 等式1。52 x J'x 5 19：>> np nn i :::: w·_ ;;;''' i，（e \'/\'.. 1· - i）ly，l，。，•。r：quatjon 1〜。。; -3（。1 N1）。; v，ex：l。 36 ::。a，1，v“ w /l 1。< /div>（）〜x x•j 1（）。1.6 x 10-IQ 1.66>：10 11（_！_--- + ___ 1 _，）（0.814- 0.605）ern！（} ix 10 1“ 0.166 ij.rll r;：。〜-〜- ~~ - a .j2〜sqn 0 V 0 kx：1。37 [“” V〜IN .- 〜Ampk n〜。> 1。2;>'f。，，，\ 1，ii，11。：10' /em·和V1 1••，。“ < /div>~~“'”〜------，〜-〜“” t〜'（〜;•;〜）v，。+ vi？io“ tnn'll-？> - :: ll）''）'10“'（，j）l {u〜ign q1）
电子电路和系统的接入点
事实上，提交制造的设计数量达到了 813 个，比 2022 年的数字高出 10% 以上。与前几年类似，这些设计中的大多数都是由全球行业领先的代工厂台积电制造的。值得注意的是，欧洲研发工厂 IHP 超越 GlobalFoundries，位居第二。此外，我们的技术组合已经扩展，现在包括 20 家代工厂的制造服务。其中两家去年加入了我们：Pragmatic 提供柔性电子 (FlexIC) 产品，UMS 提供 GaN 和 GaAs 技术。
电动电动电池和冷却电路的多合一便携式泄漏测试系统
重量〜8,65千克 - 车间环境强大的住房设计供应电源电压100-240 VAC 50/60 Hz（全球兼容）能量消耗80 W最大。电源插头特定的电源电缆环境条件操作2至40°C运输和存储-10至60°C IP保护类IP 65（外壳关闭）； IP 54（操作）湿度为20％至80％的非调节态度和认证EN 61010-1； UL 201车库设备保护类别I测量特性压力范围-900至6.000 mbar rel。填充压力精度的压力范围的±2％或2位测试压力的分辨率1 PA填充时间（低压）100升至100 s至100 mbar rel。填充时间（高压）在2分钟到2 bar rel中的5升。Differential pressure resolution 0,1 Pa Interfaces HMI 7” Color touch display for finger & glove usage (800x480 px, 300 Lumen) USB USB 2.0 & 3.0 compatible Ethernet Maintenance port Programs 100 individual programs, change log & user administration Result storage 1.000.000 (loop storage system) Connection to product Ø 6 mm Quick coupling Options 3 or 6 m measurement hose, Test leak, External venting阀门，真空过滤器，扫描仪（印刷标签），USB打印机（带标准标签），18V电池系统（CAS，Ampshare，All的电源，Einhell等）
柔性神经植入物的末端放大电路
直接在记录部位放大、转换和处理神经过程的微小离子电位波动的能力对于提高神经植入物的性能至关重要。有机前端模拟电子器件是此应用的理想选择，由于其具有类似组织的机械特性，因此可以实现微创放大器。在这里，我们通过配对耗尽型和增强型 p 型和 n 型有机电化学晶体管 (OECT) 来展示完全有机互补电路。通过精确的几何调整和垂直设备架构，我们实现了重叠的输出特性并将它们集成到具有单个神经元尺寸（20 微米）的放大器中。具有 p 和 n-OECT 组合的放大器可实现电压对电压放大，增益为 > 30 分贝。我们还利用具有匹配特性的耗尽型和增强型 p-OECT 来展示具有高共模抑制率（> 60 分贝）的差分记录能力。将基于 OECT 的前端放大器集成到灵活的柄部外形中，可以实现小鼠皮层中单神经元的记录并进行现场过滤和放大。
合成剂量补偿miRNA回路允许精确基因治疗RETT综合征
基因疗法的长期挑战是在紧密的治疗窗口内表达对剂量敏感的基因。例如，MECP2功能的丧失会导致RETT综合征，而其重复会导致MECP2重复综合征。病毒基因递送方法在单个细胞中生成可变数量的基因拷贝，从而需要基因剂量不变的表达系统。在这里，我们引入了一个基于紧凑的miRNA，不一致的前馈回路，该回路可实现细胞和大脑中MECP2表达的精确控制，并改善基于AAV的RETT综合征基因疗法的小鼠模型。内源性和异位MECP2 mRNA的单分子分析揭示了在广泛的基因剂量上的精确，持续的表达。在攻击大脑的AAV Capsid中系统地交付，该电路在超过24周内强烈抑制了RETT行为症状，表现优于不受监管的基因治疗。这些结果表明，基于合成miRNA的调节回路可以使精确的体内表达能够提高基因治疗的安全性和功效。
集成电路的开源设计
摘要 本文介绍了使用 SKY130 开源 PDK 设计自时钟 12 位非二进制全差分 SAR-ADC。整个混合信号电路设计和布局均采用免费开源软件创建。ADC 在 1.8V 电源下达到高达 1.44MS/s 的采样率，同时在 0.175mm 2 的小面积上消耗 703 μW 的功率。可配置抽取滤波器可以在使用 256 的过采样因子时将 ADC 分辨率提高到 16 位。使用 448aF 华夫饼电容器的 9 位温度计编码和 3 位二进制编码 DAC 矩阵导致每个输入的总电容为 1.83pF。使用 SKY130 高密度标准单元的形式来实现可配置的模拟功能，允许使用硬件描述语言对模拟电路进行参数化，并在有意数字化的工作流程中强化宏。
用于环面代码和 X-cube 分形模型的量子电路
在过去的几十年里，物质的拓扑相 (TPM) 这一主题得到了广泛的研究。拓扑相是低温下的有间隙自旋液体，它不能用传统的朗道自发对称性破缺理论和局部序参量来描述；相反，它以一种新秩序——拓扑序来表征。拓扑相的基态具有稳定的简并度和稳健的长程纠缠。二维拓扑相还支持具有任意子交换统计的准粒子激发，这使其成为一个有吸引力的平台，可以容错地存储和处理量子信息。其中两个奇特的特征是基态简并度是底层系统的拓扑不变量，并且准粒子可以自由移动而不消耗能量。一大类拓扑相是通过具有玻色子自由度的精确可解自旋晶格模型实现的。二维中的典型例子是 toric 代码，更一般地，有基于有限群的 Kitaev 量子双模型 [6, 10]，甚至更一般地，有基于融合范畴的 Levin-Wen 弦网络模型 [11]。三维拓扑相的例子包括三维 toric 模型和基于预模范畴的 Walker-Wang 模型 [23]。近年来，在三维中发现了更多奇异的相，称为分形子相 [8, 21, 22]。分形子也具有稳定的基态简并和长程纠缠。然而，分形子的基态简并取决于系统尺寸，因此不是拓扑不变量。此外，激发的迁移率受到限制。