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一种高度兼容 CMOS 的氧化铪基铁电二极管
为了解决“存储墙”问题，人们迫切需要具有高速度和高密度的存储设备。在这里，我们展示了一种高度可扩展的三维可堆叠铁电二极管，其整流极性由 Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 薄膜的极化反转调制。通过利用原子分辨率球差校正 STEM 可视化铪/锆晶格序和氧晶格序，我们揭示了 Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 薄膜的自发极化与氧原子位移之间的相关性，从而明确地识别出 Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 薄膜中的非中心对称 Pca2 1 正交相。我们进一步在 8 层 3D 阵列中实现了这种铁电二极管。演示了高达 20 ns 的运行速度和超过 10 9 的耐用性。超过 100 的内置非线性保证了其自选择特性，从而无需使用外部选择器来抑制大阵列中的漏电流。这项工作为未来存储器层次结构的演进开辟了新的机会。
回顾介电性：增加灵敏度，减少响应时间并抑制生物传感器中非特异性结合的方法？
摘要纳米钻阵列与光电探测器的组合可以成为SI平台上大规模制造微型和具有成本效益的折射率传感器的策略。然而，互补的金属 - 氧化物 - 血管导体（CMOS）制造过程尤其是在可用于制造结构的材料上的限制。在这里，我们专注于使用CMOS兼容的过渡金属氮化钛（TIN）来制造纳米孔阵列（NHAS）。我们研究了使用高精度工业工艺制造的锡NHA的光学性质（50 nm，100 nm和150 nm），用于在集成的等离子，等离子折射指标传感器中使用。反射率测量显示出明显的Fano形共振，共振长度在950至1200 nm之间，这可以归因于通过NHA的非凡光学传输（EOT）。使用测量的材料介电常数作为输入，测得的光谱是通过具有很高准确性的模拟来重现的：模拟和测量的共振波长偏离小于10 nm，平均在30°和40°°的发病角度下观察到的平均4 nm偏差为4 nm。我们的实验结果表明，锡层从50到150 nm的厚度增加导致灵敏度从614.5 nm/riU增加到765.4 nm/riU，我们将其归因于具有空间扩展SPPS的孔中的单个LSPR之间的强耦合。我们的结果可用于提高锡NHA在片上等离子折射率传感器中的应用。
CMOS在深度低温温度下芯片上的温度计
准确的片上温度传感对于现代互补金属 - 氧化物 - 氧化通道（CMOS）集成电路（ICS）的最佳性能至关重要，可以在操作过程中理解和监测芯片周围局部加热。量子计算机的发展激发了对在深度低温温度下运行的IC的极大兴趣（通常为0.01 - 4 K），其中硅和氧化硅的疗法电导率降低以及有限的冷却功率预算使局部片上温度的温度变得更加重要。在这里，我们报告了CMOS工业制造工艺本质的片上温度测量方法的四种不同方法。这些包括二级和初级温度法和覆盖在室温下使用的常规温度计结构，以及利用在低温温度下出现的现象（例如超导性和COULOMB封锁）。我们将方法标记为温度的函数，并用它们来测量片上加热元件产生的局部过度温度。我们的结果证明了可以轻松地集成在CMOS芯片中的温度计方法，从Millikelvin范围到室温。
CMOS 数字隔离器取代工业光耦合器...
CMOS 数字隔离器的基本操作类似于光耦合器，只是使用 RF 载波代替光（图 1b）。CMOS 数字隔离器由两个相同的半导体芯片组成，它们在标准 IC 封装内连接在一起，形成由差分电容隔离屏障隔开的 RF 发射器和接收器。数据使用简单的开关键控 (OOK) 从输入传输到输出。当 VIN 为高电平时，发射器生成 RF 载波，该载波通过隔离屏障传播到接收器。当检测到足够的带内载波能量时，接收器在 VOUT 上断言逻辑 1。当 VIN 为低电平时，发射器被禁用，并且不存在载波。因此，接收器未检测到带内载波能量并将 VOUT 驱动为低电平。
CMOS 成像器微透镜优化的光学模拟
在第一部分中，我们描述了我们的方法。我们从标准微电子 CAD 软件中的像素布局描述开始，然后在光学射线追踪软件上生成三维模型。该光学模型旨在尽可能真实，同时考虑到像素所有组件的几何形状和材料的光学特性。还开发了一种特定的射线源来模拟真实条件下的像素照明（物镜后面）。在光学模拟之后，结果被传输到另一个软件以进行更方便的后处理，其中我们使用由角度响应模拟结果与测量值的拟合确定的加权表面作为感光区域。利用这个表面，我们计算基板内的射线密度以评估传感器的模拟输出信号。
带评估板的 CMOS VNIR 图像传感器
投标人应提供成本明细，包括 NRE（如果有）、配件、采购硬件和软件、装运等方面，但最终投标应包含所有这些。投标书包含足够的形式、适合性和功能技术数据对于评估报价非常重要。提交的提案应符合下表规定的要求。如果与要求有任何偏差，但符合主要规格，投标人可以提出替代可用产品。
用于医疗电子的 CMOS 高级电流隔离器
光耦合器和变压器通常用于医疗系统隔离电路，其缺陷在设计界众所周知。光耦合器速度慢，且性能随温度和设备使用年限变化很大。它们是单端设备，因此共模瞬态抗扰度 (CMTI) 较差。此外，光耦合器采用砷化镓 (GaAs) 工艺制造，具有固有磨损机制，在高温和/或 LED 电流升高时会导致 LED 发射永久减少。这种性能下降会降低光耦合器的可靠性、性能和使用寿命。虽然变压器比光耦合器速度更快、可靠性更高，但它们无法传递直流和低频信号，从而限制了系统时序（例如导通时间和占空比）。变压器也往往体积较大、功率效率低，并且通常需要额外的外部元件来复位磁芯。
用于量子信息科学的 CMOS 集成电路
Jens 1（IEEE高级成员），Masoud Babaie 2（成员，IEEE），Joseph C. Bardin 3,4（高级成员，IEEE），Imran Bashir 5（IEEE，IEEE），Gerard Billiot 6，Elena Blokhina Blokhina Blokina Blokina Blokina Blokina 5,7,8（IEEE，IEEE，SHAIEE），SHAI CHIA，IEEE，IEEE，IE，IE，IE，IE，IE，IEEE，IE，IEEE，IE，IE，IE，IE。 Ini 11,12，Isaac L. Chuang 11,13,14，Carsten Degenhardt 15，Dirk Englund 11，Lotte Geck 15,16，LoïckLeGuevel 3,6 3,6（同胞，IEEE，IEEE），RUONAN HAN 14（IEEE，IEEE），MOHAMM I. I. I. I. I. I. I.14.14.14.14.14.18（I.14）（18岁） 6，Jeremy M. Sage 20，Fabio Sebastian 2（IEEE高级成员），Robert Bogdan Staszewski 7.8（同胞，IEEE），Jules Stuart 11,12,13，Andrei Vladimirescu 21（IEEE）（IEEE） 70049德国Stuttgart 2 Delft技术大学，2628 CD DELFT，荷兰3马萨诸塞州阿默斯特大学，马萨诸塞州阿默斯特，美国马萨诸塞州01003美国4 Google LLC，Goleta，CA 93117 USA 94536 USA 94536 USA 94536美国6 Grenoble Alps Universition of Grenoble Alps，Cea-nimerniver，cea-electricering firnicer，f-38000 grenoble france，frane frane frane frane frane frane frane frane frane，爱尔兰都柏林8等labs，爱尔兰都柏林4号。多伦多大学电气工程系，M5S 3G4，加拿大10écolePolytechnique de Lausne，2002年，瑞士Neuchâtel，瑞士Neology，剑桥，马萨诸塞州剑桥市12美国12林肯大学，马萨诸塞州林肯大学林肯大学，马萨诸塞州马萨诸塞州，马萨诸塞州02139美国15个电子系统（EZEA-2），中央工程研究所，电子和分析学院，52428 CH，德国16电气工程和信息技术学院，RWTH AACHEN UNIVERPON伊萨卡，纽约州14853美国19个州关键实验室，科学与技术学院，科学技术学院。