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金属涂层晶片上六方氮化硼的化学气相沉积及电阻开关器件的无转移制造
在电子设备结构中引入层状二维 (2D) 材料是提升电子设备性能和提供附加功能的一种有趣策略。例如，石墨烯（导电性）已用作电容器 [ 1 ] 和电池 [ 2 ] 中的电极，而过渡金属二硫属化物 (TMD)，例如 MoS 2 、 WS 2 和 WSe 2（半导体性），常用作场效应晶体管 (FET) 和光电探测器 [ 3 – 5 ] 中的沟道。六方氮化硼 (h-BN) 是由 B 和 N 原子排列成 sp 2 六方晶格的二维层状材料，其带隙为 5.9 eV [ 6 ]。因此，h-BN 是一种电绝缘体，并且在许多不同的应用中非常有用。到目前为止，h-BN 已被证明是一种非常可靠的 FET 栅极电介质，并且能够比高 k 电介质更好地抵抗电应力 [7,8]，因为
arimidex®1毫克薄膜涂层片
（n = 2,598）危险比0.94 0.93 2侧95％CI 0.83至1.06 0.80至1.07 p值0.2850 0.2838复发时间C 402（12.9）498（16.0）282（16.0）282（10.8）282（10.8）370（10.8）370（10.8）370（14.2）0.70 0.70 0.70 0.70 0.79.74 0.7 4.74 caraild Rataio Ration to 0.64 to 0.87 p-value 0.0005 0.0002 Time to distant recurrence d 324 (10.4) 375 (12.0) 226 (8.6) 265 (10.2) Hazard ratio 0.86 0.84 2-sided 95% CI 0.74 to 0.99 0.70 to 1.00 p-value 0.0427 0.0559 Contralateral breast primary 35 (1.1) 59 (1.9) 26 （1.0）54（2.1）优势比0.59 0.47 2侧95％CI 0.39至0.89至0.39至0.76至0.76 p值0.0131 0.0131 0.0018总生存E 411（13.2）420（13.5）420（13.5）296（13.5）296（11.3）（11.6）301（11.6）301（11.6）Hazard Ratio 0.97 0.97 0.97 0.95 side 95 side side side side 95％0.85％CI CIE 1.14 p值0.7142 0.7339无疾病的生存包括所有复发事件，定义为Loco区域复发，对侧新乳腺癌，远处复发或死亡（出于任何原因）的首次出现。b无病的生存定义为遥远或死亡的第一次出现（出于任何原因）。c复发的时间定义为第一次出现机车区域复发，对侧新乳腺癌，由于乳腺癌而导致的远处复发或死亡。d的遥远复发时间被定义为乳腺癌引起的遥远复发或死亡的首次出现。e死亡的患者数量（％）。
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的采用历史已将冠状动脉再狭窄率降低至9个月1-3时的7.9-8.9％，但是由于后期和非常晚的支架血栓形成4-8的发病率较高，因此这种益处损害了这种益处。DES的聚合物成分可能有助于血管层9的炎症，最终导致血栓形成10-12，抗增殖药物是从相同的金属支柱中洗脱的，理想情况下应该被内皮化，从而产生一种药物分析，从而防止适当的新膜愈合。从这个角度来看，涂有药物的气球（DCB）代表了一个有趣的替代品，因为它们不使用聚合物，并且该药物沿着容器壁分布而不会产生骨周围的侧面侧面。DCB具有三个组成部分：气球，药物和载体，这是关键成分。气球通常为