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标题已更正 JICS 手稿修订 - 通过微电子兼容路线实现基于 ZnO 纳米线的场发射装置
摘要 — 纳米结构氧化锌 (ZnO) 因其独特的特性和在不同领域应用的可能性在过去几年中引起了人们的广泛关注，包括用作气体传感器件中的活性层和场发射器件的有前途的发射器。虽然它对 FE 目的很有趣，但这种材料的合成可能很复杂且与微电子工艺不兼容。为了解决这个问题，本文探讨了通过非催化剂热氧化法生长 ZnO 纳米线。通过拉曼光谱、X 射线光电子能谱、X 射线衍射和扫描电子显微镜详细表征了原生纳米材料。这些表征证实，所采用的工艺在整个基底表面获得高密度的 ZnO 纳米级结构方面取得了成功。ZnO 纳米线的直径范围为 30 至 100 纳米，长度可达 4 微米。获得了高效的电子场发射特性，开启电场较低（2.4 伏/微米，电流密度为 360 皮安/平方厘米）。基于图像处理的创新系统允许在器件的整个有效区域内进行电流映射，从而提供有关发射电流均匀性的信息。这些结果表明，所采用的低复杂制造程序以及 ZnO 纳米材料本身适用于基于场发射的器件。
AERA-MIP：排放途径，剩余预算和碳循环动态兼容，与1.5ºC和2ºC全球变暖稳定
1气候与环境物理学，瑞士伯恩大学物理研究所2 Oeschger气候变化研究中心，伯恩大学，瑞士大学3 Woods Hole Oceanographics Institution，美国马萨诸塞州伍兹霍尔，美国4个大气，海洋和行星物理学，牛津大学，牛津大学牛津大学牛津大学牛津大学的牛津大学，牛津大学牛津大学，牛津大学，牛津大学，牛津大学，牛津大学，牛津大学，牛津大学，牛津大学，牛津大学，牛津大学，牛津大学，牛津大学，牛津大学，牛津大学，牛津大学，牛津大学，牛津大学5个。超级计算中心，西班牙巴塞罗那7 LMD-IPSL，CNRS，Ecole NormaleSupérieure / PSL，SorbonneUniversité，Ecole Polytechnique，Paris，France，8 Max Planck气象学研究所 11 Faculty of Environment, Science and Economy, University of Exeter, Exeter, UK 12 Japan Agency for Marine-Earth Science and Technology, Yokohama, Japan 13 NASA Goddard Institute for Space Studies, New York, NY, USA 14 Applied Physics and Applied Mathematics, Columbia University, New York, NY, USA 15 GEOMAR Helmholtz Centre for Ocean Research Kiel, Kiel, Germany 16 CICERO Center for International Climate Research,奥斯陆，挪威17诺斯挪威研究中心和BJERKNES气候研究中心，挪威卑尔根，挪威18号牛津电子研究中心，工程科学系，牛津大学，牛津大学，英国牛津大学
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1. 点击以下链接：https://qm.llc.army.mil 2. 使用 CAC 登录。 3. 阅读主页上的重要公告和说明。 4. 转到页面顶部并单击“课程选项卡”。 5. 在“课程目录”下选择“QM 课程”。 6. 在第一个搜索框中输入课程名称。在下一个区域中单击包含您要查找的课程名称（如下所示）并按“GO” 7. 课程出现后，单击课程旁边的下拉菜单。然后选择“注册”。
健康基因技术（HGT）TNGS解决方案与MGI的DNBSEQ平台兼容，可检测病原体和耐药性基因
Streptococcus Streptococcus Streptococcus constellatus Streptococcus intermedius Human Betaherpusvirus 7 Prevotella Loescheii Campylobacter spermo Fusobacterium nucleatum Neisseria subflava Streptococcus yellow Prevotella Buccae Stenotrophomos Maltophoma Morganella Morganii Parvimonas Micro Schaalia Odontolytica Streptococcus Prevotella intermedia Prevotella intermediates Enterococcus Faecalis Porphyromonas gingivalis tiny Streptococcus tiny Streptococcus anginoidea Streptococcus mild melaninogenica Haemophilus influenzae Corynebacterium diphtheriae Klebsiella pneumoniae肺炎链球菌假单胞菌铜绿 div>Streptococcus Streptococcus Streptococcus constellatus Streptococcus intermedius Human Betaherpusvirus 7 Prevotella Loescheii Campylobacter spermo Fusobacterium nucleatum Neisseria subflava Streptococcus yellow Prevotella Buccae Stenotrophomos Maltophoma Morganella Morganii Parvimonas Micro Schaalia Odontolytica Streptococcus Prevotella intermedia Prevotella intermediates Enterococcus Faecalis Porphyromonas gingivalis tiny Streptococcus tiny Streptococcus anginoidea Streptococcus mild melaninogenica Haemophilus influenzae Corynebacterium diphtheriae Klebsiella pneumoniae肺炎链球菌假单胞菌铜绿 div>
具有时空侦察的异质水凝胶结构
刺激反应性水凝胶可以感知环境提示并相应地改变其体积，而无需其他传感器或执行器。这可以显着降低所得设备的大小和复杂性。但是，由于水凝胶的响应量变化通常是统一的，因此它们需要局部和随时间变化的机器人应用挑战。在此提出了使用可寻址和可调的水凝胶构建块（称为软素素执行器（SVA） - 具有可编程时空变形的均方根水凝胶结构。svas，利用快速反应速度和PNIPAAM的共溶性特性来生成高度相互连接的水凝胶孔结构，从而使可调的肿胀比，溶胀率和Young的模量在一个简单的，单性的铸造过程中与SVA合成sva sva-sva Uns.sva compatibles compatible compatible compatience compatience compatible compatible cossible。通过设计每个体素的位置和肿胀特性，并激活体素中的嵌入式焦耳加热器，可以实现时空变形，从而实现了可以使异构水凝胶结构操纵物体，避免障碍物，产生行进波和变形的形状。一起，这些创新为可调，不受限制和高度自由度的水凝胶机器人铺平了道路，这些机器人可以适应并应对非结构化环境中不断变化的条件。
3.4 迈向硅代工厂兼容、高性能、0.25 微米栅极、高阻 200 毫米硅上的 GaN MMIC 工艺，采用 Cu 镶嵌 BEOL
在高电阻率 200 mm <111> Si 上采用 Cu 大马士革 BEOL 工艺开发与 Si 代工厂兼容的高性能 ≤0.25 µm 栅极 GaN-on-Si MMIC 工艺 Jeffrey LaRoche 1 、Kelly Ip 1 、Theodore Kennedy 1 、Lovelace Soirez 2 、William J. Davis 1 、John P. Bettencourt 1 、Doug Guenther 2 、Gabe Gebara 2 、Tina Trimble 2 和 Thomas Kazior 1 1 Raytheon IDS Microelectronics，362 Lowell St.，Andover，MA 01810 电子邮件：jeffrey_r_laroche@raytheon.com 电话：(512)-952-2927 2 Novati Technologies, Inc.，2706 Montopolis Drive，Austin，TX 78741 关键词：GaN、HEMT、硅、MBE、大马士革、200 mm 摘要 雷神公司正在开发一种 200 mm GaN on Si MMIC 工艺，该工艺适用于独立的高频 MMIC 应用，以及与 Si CMOS、SiGe BiCMOS 和其他 III-V 族的异质集成。在之前的 100 mm 和 200 mm GaN-on-Si 工作 [1-5] 的基础上，这项工作报告了在完全集成的 MMIC 方面取得的进展，以及在 200 mm 直径的 Si 晶片上实现世界上第一个 X 波段 GaN 0.25 µm 功率晶体管。这种 GaN-on-Si HEMT 在 V d = 28 V 时可提供 4.7 W/mm 的功率和 9 dB 的增益，PAE 为 49%。晶圆由商业 CMOS 代工厂 Novati Technologies 制造，采用完全减成、无金、类硅的制造方法。简介 在过去十年中，氮化镓 (GaN) 在电力电子以及高功率密度和高线性度 RF 应用中引起了广泛关注。很显然，200 mm 硅基 GaN 晶圆的大规模商业化生产将由电力电子应用推动。然而，随着这些应用开始填充 200 mm 代工厂，高性能硅基 GaN RF MMIC 应用将自然跟进，并利用大直径晶圆和背景晶圆体积来降低 RF IC 的成本。除了在 200 mm 晶圆上制造的硅基 GaN MMIC 的成本优势之外，与芯片到晶圆方法相比，大直径晶圆制造还为 GaN HEMT 与硅 CMOS 的异质集成（以实现附加功能）提供了优势。虽然与芯片到晶圆集成兼容，但 200 毫米 GaN IC 与 200 毫米 CMOS 的晶圆到晶圆异质集成在缩短互连长度和提高高密度、高性能 IC 产量方面更有前景。为了促进未来成本、产量和功能的改进，雷神公司正在高电阻率 200 上开发亚微米（≤0.25 µm 栅极）GaN-on-Si MMIC 工艺
optiga™连接消费者OC1230
• Remote SIM provisioning (RSP) compatible with GSMA SGP.22 v2.5.0 • Multiple enabled profiles (MEP) compatible with GSMA SGP.22 v3 • Supports network technologies 3G, 4G (LTE), and 5G • Supported network access applications: SIM, USIM, CSIM, and ISIM • In-field OS update function • Interoperable with worldwide commercial eSIM services following GSMA standards • Up to 1.1 MB free memory for carrier profiles, applications, and data (additional applets integrable) • Tiniest consumer eSIM solution with WLCSP (1.8 x 1.6 x 0.4 mm) and X2QFN20 (3.0 x 3.0 x 0.3 mm) packages • Voltage classes: C (1.8 V), D (1.2 V) • ETSI TS 102 221 and SPI interfaces • Post-Quantum加密准备就绪•根据GSMA SGP.25中指定的BSI-CC-PP-0100-2018评估的安全性•GSMA SAS-SAS-UP认证生产过程•温度范围：-25°C至 +85°C•数据保留：至少10年
兼容性列表 - 技术
Microsoft.NET Frameworkv。4.8（在某些情况下Microsoft.net Framework Ver.3.5 is needed) Microsoft Edge in compatible mode IE11, eventual Mozilla FireFox Microsoft Windows Installer 3.1 and higher Microsoft Visual C++ 2010 Redistributable (x86 + x64) Microsoft Visual C++ 2013 Redistributable (x86 + x64) Microsoft Visual C++ 2015-2019 Redistributable (x86 + x64)
ada-sdev-kit3
Modular design with Industrial XCKU060 in -1 speed grade, One user HPC FMC+ and one user LPC FMC site for user use of 3rd party FMC cards, XRTC compatible Configuration FMC Module, DDR3 DRAM in a SODIMM, System Monitoring and reference Space-Grade Power and Temperature Sensing solutions from Texas Instruments, using electro mechanically compatible parts.有关更多详细信息，请参见http://www.ti.com/tool/alpha-xilinx-ku060-space。ADA-SDEV-KIT3是对先前版本的次要增强功能，可以提高用户插槽上的第三方FMC卡之间的FMC兼容性，并为XRTC Conform-FMC站点的下一代配置FMC模块引入下一代配置FMC网站：ADM-SDEV CFG2。此增强的配置模块，可以让第三方微控制器板更容易访问selectMap以擦洗解决方案实现，并使用60种samtec qsh连接器将QSPI设备固定在女儿模块上，从而可以轻松地用电缆替换它们。带有RJ45连接器和RS232/485串行连接的千兆以太网PHY可以更好地支持基于微蓝光的应用程序。
eab16rt
• Oscillating front axle • Two travel speeds • Two-wheel steering • Four-wheel drive • 360° rotation (continuous) • Special construction equipment-grade integral driveshaft • Modular design making pieces compatible throughout the range • Proportional controls • Thumb rocker steering • Flashing light • Non-marking tyres • Horn • Hour counter • Harsh environment kits • 12V DC Auxiliary power