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低能α粒子和质子在半导体中产生电荷的TCAD模拟统一模型
对离子在半导体中产生的电离径迹的产生和传输进行 TCAD 模拟与可靠性以及辐射探测器的设计息息相关。具体而言，可靠性应用侧重于模拟在测试半导体元件是否易受软错误（逻辑器件、存储器，例如 [1] ）和单粒子烧毁（功率器件，例如 [2] ）影响时发生的瞬态现象。主要的 TCAD 工具已经包含模型和程序（例如 [3] ），但它们存在一些实际限制，例如仅限于单一类型的离子、有效能量范围的限制以及仅适用于硅的校准。此外，现有模型在数值上比较僵化，不易针对其他类型的离子、半导体和能量范围进行校准。本文提出了一个基于物理导向的 Crystal-Ball 函数 [4] 的半导体中低能离子沉积电荷的统一模型。特别关注能量范围分别为 0 – 10 MeV 和 0 – 160 MeV 的 α 粒子和质子。与常用模型相比，这种选择具有几个优势。特别是，α 粒子和质子使用相同的建模函数。此外，与现有解决方案相比，所提出的模型使用的校准参数更少，数值条件良好，并且其校准参数更透明，因为它们与可测量的物理量相关。最后，所提出的模型可以轻松扩展到不同的半导体和离子类型。
第二届东盟科技周（SASTW）
最近的重大科学突破带来了一场新兴技术革命，即所谓的科学技术前沿领域。生物技术的最新进展，包括基因工程、酶学和发酵技术，已经成为一种现象，并且对世界经济产生了重大影响。玉米果糖生产技术的发展及其对糖业的影响只是一个例子。另一方面，光纤的应用和使用实际上已取代了通信电缆中的铜，从而对铜工业产生了不利影响，这是材料科学领域中许多技术发展的例子之一，这些技术发展对世界经济产生了重大影响。微电子领域的快速进步同样实际上改变了现代社会。
在低温条件下通过软伽马射线辐照表征 Si 和 SiC 功率器件中的载流子倍增
载流子倍增因子的特性是设计坚固可靠的功率半导体器件以及评估其对地面宇宙辐射引起故障的敏感性的关键问题。本文提出了一种低温恒温装置，以将使用来自 Am 241 放射源的软伽马辐射的非侵入式电荷谱技术应用于广泛的 Si 和 SiC 器件。本文提供了一种关系，将液氮温度下测得的倍增因子转换为环境温度下测得的倍增因子。本文提出了一种专用的模拟方案，将 TCAD 和 Monte Carlo 工具结合起来，以预测收集到的电荷的光谱并定位倍增因子的热点。最后，在强调了电荷倍增因子与地面宇宙辐射下的功率器件故障率之间的相关性之后，建议将本技术作为评估安全操作区的补充方法。
人工智能时代的半导体产业
虽然半导体行业组织预测两年内芯片需求将增长 15%，但下游组织（依赖半导体供应来提供产品或服务和运营的组织）预计其芯片需求将以 29% 的更高增长率增长。人工智能 (AI) 和生成式人工智能 (Gen AI) 的普及推动了对专用神经处理单元 (NPU) 和高性能图形处理单元 (GPU) 的需求，这些单元可以高效处理大量计算和大型数据集。此外，下游组织预计未来 12 个月对人工智能芯片、定制硅片和内存密集型芯片的需求将增加。
第二库湖大坝安全审查更新，以及……
背景第二仓库湖大坝位于其命名的湖泊出口处，位于 Frontenac 县 Central Frontenac 镇 Hinchinbrooke 镇第 8 特许地块第 4 号，距离维罗纳西北约 11 公里。大坝于 1958 年由纳帕尼地区保护局在第二仓库湖出口处修建，将湖水位提高了 6 米，并可储存多余的水。大坝由 Quinte Conservation (QC) 拥有和运营，是一个分区堤坝，具有透水外壳和不透水中心芯。大坝包含 2 个挡水板舱、一个阀门和一个毗邻右桥台的混凝土溢洪道。堤坝高约 9.5 米。顶部宽度从混凝土结构附近的 4 米到左桥台附近的 5 米不等。堤坝坡度为上游 2.5H:1V，下游 1.9H:1V。最初在 2004 年 DSR 中，二库湖大坝被归类为高危结构。对大坝在晴天和洪水条件下的假设溃坝进行了溃坝分析，以评估大坝下游洪水淹没的程度。溃坝分析的结果表明，如果大坝溃坝，将有 50 栋房屋被淹没，因此，大坝被确认为高危 IHP 结构。2008 年 DSR 发现，自 2004 年 DSR 以来，二库湖大坝区域的下游或上游两侧没有发生重大变化。因此，大坝被确认为高危类别结构。
Black Semiconductor 获得 2.544 亿欧元融资，用于推出
该公司已在未来 7 年内根据 IPCEI ME/CT 2 计划从德国经济事务和气候行动部和北莱茵-威斯特法伦州获得 2.287 亿欧元公共资金 1。除了公共资金外，Black Semiconductor 还获得了额外的 2570 万欧元股权融资。此轮融资由保时捷风险投资公司和 Project A Ventures 领投，斯堪尼亚成长资本、Capnamic、Tech Vision Fonds 和 NRW.BANK 等领先的风险投资公司、企业和行业领袖也参与其中，种子轮投资者包括 Vsquared Ventures、Cambium Capital 和 Hermann Hauser 的 Onsight Ventures。凭借这笔资金，该公司有望实现其愿景的第一阶段：到 2031 年将新一代芯片技术从研究推进到量产。
前次妊娠期糖尿病与第二次妊娠中发生大于胎龄儿和巨大儿的风险相关
结果：既往有过 GDM 的女性（分别为 22.67% 和 10.25%）第二次妊娠期间 LGA 和巨大儿的发生率显著高于无既往有过 GDM 的女性（分别为 15.34% 和 5.06%）（P < 0.05）。调整潜在混杂因素后，既往有过 GDM 与第二次妊娠期间 LGA（aOR：1.511，95% CI：1.066-2.143）和巨大儿（aOR：1.854，95% CI：1.118-3.076）显著相关。分层分析显示，这些关联仅在第二次妊娠期间无既往 LGA、有 GDM、适当的妊娠体重增长 (AGWG)、非高龄产妇和男婴的女性中存在（P < 0.05）。与过度 GWG (EGWG) 相比，AGWG 与未患过 GDM 的女性在第二次怀孕期间患 LGA 和巨大儿的风险较低相关，而之前患过 GDM 的女性则未观察到这种相关性。在未患过 GDM 的女性中，如果孕前 BMI 正常，AGWG 的 LGA 和巨大儿风险显著降低
第 1 章 - 行为准则
(15) 重大影响Y 指投资者对被投资方的经营和财务政策施加重大影响的能力。所有权的程度并非决定性的。直接或间接拥有被投资方20％或以上的股份，可以推定投资者对被投资方具有重大影响力。拥有注册会计师相关业务20％以下的股份，可以推定注册会计师对注册会计师相关业务不具有重大影响力。施加重大影响力的能力可以通过多种方式表明：董事会代表、参与政策制定过程、重大公司间交易、管理人员互换、技术依赖性以及投资者的所有权相对于其他股权集中度的程度。
全球半导体趋势和欧盟芯片的未来......
欧洲芯片计划以研究为重点：芯片联合行动是“地平线欧洲”和“数字欧洲”计划下关键数字技术联合行动的战略性重新定位，它将从欧盟、成员国、伙伴国家和私营部门筹集 110 亿欧元，用于加强现有的研究、开发和创新。供应安全，针对企业：《芯片法案》将提供一个框架，通过吸引对先进生产能力和相关创新的投资来提高供应安全。20 亿欧元的芯片基金将为初创企业提供融资渠道，以推动创新并吸引投资者。通过 InvestEU 下的半导体股权投资混合设施将吸引更多资本，以支持中小企业扩大规模和拓展市场。此外，各项规定还支持首创的设施，这些设施被归类为“开放式欧盟铸造厂”，主要为其他工业参与者设计和生产半导体元件，以及“综合生产设施”，为欧洲市场设计和生产元件。支持的形式包括快速通道许可、优先使用试验线以及在成员国提供公共支持时相对宽松的国家援助规则。此外，还将有 300 亿欧元的公共和私人投资。监测和危机应对，以协调为目标：成员国和委员会之间的协调机制将监测半导体的供应和价值链，估计需求和短缺，收集公司情报并确定关键弱点和瓶颈。它将为共同的危机评估提供信息，并协调从新的应急工具箱中采取的行动。