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Motruk，Johannes等。 kagome手性旋转液体中的过渡金属二分法莫伊尔双层。在：物理审查研究，2023年，第1卷。 5，n°2，
我们报告了金属间化合物包包的结构和超导性能。我们发现，该材料从扭曲的Alb 2 -type结构[1H，a = 4经历了结构性二阶相变。3254（2）Å，C = 5。1078（3）Å，p 6 / mmm]进入该隐2 -type结构[2H，a = 4。3087（3）Å，C = 10。2117（6）Å，p 6 3 / mmc]在T s = 253 K的过渡温度下。我们发现，结构相变的结构相变为蜂窝层的一致屈曲，我们可以将其解释为该层中原子的疾病障碍过渡。我们表明，在t c = 2的临界温度下，2H行相变为超导。1 K. 2H行李中超导性的批量性质通过特定的加热测量来确认，其中我们确定C /γt c = 1的值。59，它接近弱耦合极限中预期的BCS值。
![b'magic-角角扭曲的双层石墨烯可容纳各种有趣的物质状态，包括非常规的超导状态。但是，这种材料可以构成全新的物质状态吗？在这次演讲中，我将讨论两种不同类型的电子冷凝物的可能出现，它们超出了BCS耦合范式。这些是由费米子四晶体形成的冷凝物，在电子对之间没有相干性，而是对之间的一对。通过在魔术角扭曲的低能有效模型上使用大型蒙特卡洛模拟[1]用于魔法扭曲的双层石墨烯，我们表明，取决于超导基态，费米昂四倍体置换率可能是遗传阶段。打破时间逆转对称性的四个电子通常出现在超导过渡上方[2]。相反，如果基态是列源超导体，我们的数值模拟表明，该系统在正常金属相中熔化之前表现出电荷4E相[3]。这表明扭曲的双层石墨烯是稳定和观察这些新型量子状态的理想平台。](/simg/6/6d3cf3ed101c36f703d3ff583b37daeb7ee69d78.webp)
b'magic-角角扭曲的双层石墨烯可容纳各种有趣的物质状态，包括非常规的超导状态。但是，这种材料可以构成全新的物质状态吗？在这次演讲中，我将讨论两种不同类型的电子冷凝物的可能出现，它们超出了BCS耦合范式。这些是由费米子四晶体形成的冷凝物，在电子对之间没有相干性，而是对之间的一对。通过在魔术角扭曲的低能有效模型上使用大型蒙特卡洛模拟[1]用于魔法扭曲的双层石墨烯，我们表明，取决于超导基态，费米昂四倍体置换率可能是遗传阶段。打破时间逆转对称性的四个电子通常出现在超导过渡上方[2]。相反，如果基态是列源超导体，我们的数值模拟表明，该系统在正常金属相中熔化之前表现出电荷4E相[3]。这表明扭曲的双层石墨烯是稳定和观察这些新型量子状态的理想平台。
b'magic-角角扭曲的双层石墨烯可容纳各种有趣的物质状态，包括非常规的超导状态。但是，这种材料可以形成全新的物质状态吗？在本次演讲中，我将讨论两种不同类型的电子冷凝物的可能出现，它们超出了BCS耦合范式。这些是由典型的四元素形成的冷凝物，在电子对之间没有相干性，而是对成对对之间的相干性。通过使用大型蒙特卡洛模拟在魔术角扭曲的低能有效模型[1]中，我们表明，取决于超导地面状态，费米式四倍体置置供应量可以作为遗传相吻合。由四个破坏时间逆转对称性的电子形成，通常出现在超导过渡上方[2]。相反，如果基态是列明超导体，则我们的数值模拟表明，该系统在正常金属相中熔化之前表现出电荷4E相[3]。这表明扭曲的双层石墨烯是稳定和观察这些新型量子状态的理想平台。
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该提案描述了基于爱因斯坦De-Haas实验的布置。外部施加的磁场通过将微波功率频率降低到铁氧体芯周围的线圈，从而磁化了铁氧体芯。铁磁共振。核心在铁磁共振时达到负渗透性。由于负渗透性，铁氧体应对施加到铁氧体芯一端的DC电场引起的磁性。在某些情况下，负渗透性可能导致磁场的驱逐，导致B等于材料内部的B。这种诱发的现象与在超导体中观察到的Meissner效应有些类似。在负渗透性的情况下，负磁反应有效地将材料的内部屏蔽到外部磁场上。磁场的卷曲为零，导致移动电荷载体上等于零的净力。
超导性有助于垂直磁各向异性的变化，v/mgo/fe连接
控制薄膜中垂直磁各向异性（PMA），近年来由于其技术重要性而受到了相当大的关注。基于PMA的设备通常涉及重金属（氧化物）/铁磁 - 金属双层，在此，由于界面自旋 - 轨耦合（SOC），磁化的平面内（IP）稳定性被损坏了。在这里我们表明，在v/mgo/fe（001）中，具有竞争的面板内和平面外（OOP）磁各向异性的外延连接，SOC介导的相互作用（Fermagnet（FM）（FM）和超导体（SC）之间的相互作用可增强有效的PMA以下超导管过渡的有效PMA。这会产生部分磁化重新定位，而除了最大的连接外，没有任何应用领域，其中IP各向异性更强大；对于最小的连接，由于IP和OOP各向异性之间的竞争更强，诱导完全OOP转变（H OOP）所需的场所降低。我们的结果表明，在存在超导性和施加的电场的情况下，有效PMA的程度可以由连接横向大小控制。我们还讨论了HOOP场如何受到磁性杂散场与超导涡流之间的相互作用的影响。我们的实验发现，由铁磁体 - 螺旋体相互作用的数值建模，开放途径，可以主动控制新兴无耗散的超导旋转电子产品中的磁各向异性的开放途径。
心脏手术时间对具有复杂先天性心脏病（CHD）的新生儿神经发育结局的影响
抽象的碳化硅（SIC）的目标是由于其出色的热性能，是功率微电子的第一材料。SIC技术的最新进展最终使Crystalline SIC纳米结构的制造。然而，纳米级SIC的热性能仍然忽略了。在这里，我们系统地研究了SIC纳米结构的热传导，包括纳米膜，纳米线和语音晶体。我们的测量结果表明，纳米结构的热导率比批量低几倍，并且值与结构的最狭小维度成比例。在最小的纳米结构中，导热率达到了批量的10％。为了更好地了解SIC中的纳米级热传输，我们还探测了声子在纳米结构中的平均自由路径和连贯的热传导。我们的理论模型将观察到的热传导的抑制与表面声子散射联系起来，这限制了声子的含义自由路径，从而降低了导热率。这项工作揭示了SIC纳米结构的热特性并解释了它们的起源，从而实现了SIC微电子的逼真的热工程。
欧盟Shalf Heart的半导体战略的新方向
重度美国和中国投资对欧盟构成了挑战，欧盟的回应旨在使欧洲生产超出国内需求。要增加其在这个战略和蓬勃发展的部门中的存在，欧盟需要采取更有针对性的战略，以其现有的优势建立，同时满足其相对较低的国内需求。欧盟不应专注于投入和芯片设计，而不是在制造上的补贴战争中投资公共资金。但是，没有经济能够希望完全实现该行业的独立性，并通过外交手段确保可持续的供应也应成为优先事项。最后，欧洲在全球半统治生产中的小角色是欧洲高科技创新环境中缺点的征兆。应解决这些缺点。
通过非破坏性分析方法同时识别锂离子袋细胞的热容量和各向异性导电率
Sylvain Cailliez，David Chalet，Philippe Mannessiez。通过非破坏性分析方法同时鉴定锂离子袋细胞的热容量和各向异性热导电性。电源杂志，2022，542，pp.231751。10.1016/j.jpowsour.2022.231751。hal- 03703340
菱形石墨烯平坦带中的手性超导性
背景：搜索手性超导体有几个令人信服的理由，其中超导性与明显的时间反向对称性断裂并存。首先，在大多数固体中，与电子配对相关的能量尺度远小于典型的动力学能量，因此超导性的出现取决于电子分散体的退化：e（k）= e（-k）。这种情况让人联想到筑巢，最终受时间逆转或反转等对中的控制，这甚至使相对较弱的吸引人的相互作用甚至具有深远的影响。因此，在没有这种对称性的情况下，观察超偏性的观察强烈表明存在新的物理学。其次，寻找手性超导体与追求拓扑超导的追求密切相关，拓扑超导能力是一种凝结物理学的圣杯。具有无旋转单组分Fermi表面的二维超导体很可能表现出时间雷达对称性破坏P + IP配对。这种类型的超导性与涡流和边缘中Majorana零模式的存在有关，这是拓扑量子计算的关键资源。这种p波配对被认为是在超氟中实现的，在ν= 5
AWS上的半导体设计-AWS白皮书
IT和EDA支持组织面临的挑战是以满足时间表和预算要求的方式提供运行工作流量所需的基础架构。他们必须投资于越来越大的服务器农场和高性能存储系统，以使工作流量的高质量，快速的周转。花费了很多整体设计时间来验证组件。诸如知识产权（IP）核心的表征，功能性验证和时机分析的表征量之类的流量具有刺激性的需求，并限制了工程生产率。这需要具有足够的计算能力来最大程度地减少工程师等待结果的时间，但可能导致工作流程之间资源的利用不足。新的和升级的IC制造技术已经提高了峰值计算和存储要求，挑战组织以找到满足硅开发团队需求的方法，同时管理成本。
由于近场辐射热传递而导致相变纳米颗粒链中的多体有效导热率
a School of Energy Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, 92 West Street, Harbin 150001, China b Laboratoire Charles Coulomb (L2C) UMR 5221 CNRS-Université de Montpellier, F- 34095 Montpellier, France c Key Laboratory of Aerospace Thermophysics, Ministry of Industry and Information Technology, Harbin 150001, China d School of Energy and山东大学的动力工程，Qingdao 266237，中国E Institut Universitaire de France，1 Rue Descartes，F-75231 Paris Cedex 05，法国