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加速发现高弹性分子半导体：机器学习方法
计算框架和理论建模的最新进展已显着改善了对高运动材料的搜索。高吞吐量虚拟筛选（HTVS），该过程使用理论技术分析了大型分子库，并将其范围缩小到一小部分有希望的候选者进行实验验证，现在可以评估广泛的化学库的评估。20–25这种方法提高了识别新型高动力半导体的概率，并提供了对电荷运输的基本物理学的见解。26–29此外，HTVS的一个显着副作用是生成广泛的数据库，该数据库包含这些分子的计算物理特性，这些数据库促进了机器学习（ML）技术的应用（ML）技术，以预测和优化新分子系统的正常功能。30,31作为HTVS研究的例子，Schober等。29设计了一种筛选方法，通过分析来自大分子晶体数据库的电子耦合和重组能来鉴定具有高载体迁移率的有机半导体。他们的方法发现了已知和新颖的有前途的材料。在另一项研究中，Nematiaram等。27利用瞬态定位理论32,33筛选剑桥结构数据库（CSD）34识别几种高动力材料并对影响移动性的关键参数进行排名。值得注意的是，他们强调了电荷转运两维的重要性（2D），也称为带动型，其中电荷转运主要发生在二维平面内。将ML模型与HTV集成虽然早期的研究表明各向同性带对电荷运输的潜在影响，但13,18,32,35参考。27是第一个通过对现有结构进行的大规模计算在统计上验证这一观察结果的人。尽管在HTVS方法方面取得了重大进步，但对于大量结构而言，物理属性（例如2D）的计算仍然是一项计算要求的任务。此限制在化学空间的有效探索中提出了一个主要的瓶颈，尤其是随着可用化学数据库的多样性和复杂性继续扩展。因此，迫切需要开发更多有效的算法和方法，这些算法和方法可以加速这些构成过程。
黑磷光导体与绝缘体上铌酸锂光子的集成
合著者：PERUZZO 教授，Alberto（RMIT）；JOHNSON 博士，Brett（RMIT）；KRASNOKUTSKA 博士，Inna（RMIT）；BULLOCK 博士，James（墨尔本大学）；MESSALEA 博士，Kibret（RMIT）；CHAPMAN 博士，Robert（苏黎世联邦理工学院）；TAMBASCO 博士，Jean-Luc（RMIT）
F09电导率 - 金属和半导体的电导率
图7：实验设置。为了改变温度，我们将使用含有液氮或氦气的血管。在容器中，由于传热机制，温度梯度沿垂直方向形成（图7）。温度t（x）取决于距氦表面的距离x。确切的温度曲线由几个因素确定，包括氦气量，容器的几何形状及其绝缘特性。样品（Cu，ta uds si）安装在由COP-PEN制成的样品支架（Probenhalter）上，该样品拧到杆上（Tauchrohr）并被圆柱形屏蔽（Schutzrohr）覆盖（图9）。另外，将铂和碳电阻添加到样品持有器中，该量将用于测量温度。
擦除与超导体耦合的半导体量子点中的奇宇称态
量子点在 InSb 纳米线内以栅极定义，靠近 NbTiN 超导触点。随着点和超导体之间的耦合增加，传输中的奇宇称占据区域在诱导超导间隙上方和下方都变得不可辨别（被擦除）。在间隙上方，奇数库仑阻塞谷中的电导率增加，直到谷被抬起。在间隙下方，安德烈夫束缚态经历量子相变，变为奇数占有的 Kondo 屏蔽单重态基态。我们研究了在低偏置和高偏置下奇宇称状态的明显擦除在多大程度上一致。我们用数值重正化群模拟来补充实验。我们从 Kondo 屏蔽和超导之间的竞争的角度来解释结果。在擦除奇宇称机制中，量子点表现出类似于有限尺寸马约拉纳纳米线的传输特征，在偶奇点占据和偶奇一维子带占据之间形成相似性。
JHEP08（2023）163
。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。最近的实验强烈表明Str Ange Metal和高T C超导体之间的Tr Ansports之间的联系。例如，众所周知，零温度相位对临界超跟踪温度的依赖性在未取代的物质中变成线性。可以从侵袭性的低频依赖性中提取超流体密度（或相位刚性）。在本文中，我们对Gubser-Rocha Holo-Graphic超导体模型模型的相位刚度与临界超导温度之间的关系进行了精心研究。更重要的是，我们发现零温度超流体密度的线性依赖性对危机的超导温度，这与膜库酸酯的最新实验具有相似之处。此外，我们还为临界温度和交流电导率提供了一些近似公式。
III-V 族半导体与硅外延杂化过程中的晶相控制
III-V 半导体与硅外延杂化过程中的晶体相控制 Marta Rio Calvo、Jean-Baptiste Rodriguez *、Charles Cornet、Laurent Cerutti、Michel Ramonda、Achim Trampert、Gilles Patriarche 和 Éric Tournié * Dr. M. Rio Calvo、Dr. J.-B.罗德里格斯、 L. Cerutti 博士、 Pr. É. Tournié IES，蒙彼利埃大学，法国国家科学研究院，F- 34000 蒙彼利埃，法国 电子邮箱：jean-baptiste.rodriguez@umontpellier.fr , eric.tournie@umontpellier.fr Pr. C. Cornet 雷恩大学，雷恩国立应用科学学院，法国国家科学研究院，FOTON 研究所 – UMR 6082，F-35000 雷恩，法国 Dr. M. Ramonda CTM，蒙彼利埃大学，F- 34000 蒙彼利埃，法国 Dr. A. Trampert Paul-Drude-Institut für Festocorporelektronik，Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin eV，Hausvogteiplatz 5-7，10117，柏林，德国 Dr. G. Patriarche 巴黎-萨克雷大学，法国国家科学研究院，纳米科学与技术中心纳米技术，91120，帕莱索，法国 关键词：外延生长，反相域，单片集成，III-V 半导体，硅衬底
南大洋中翼肠科（小行星）的多样性：一种分子和形态学方法。
我们考虑一个一维拓扑超导体，该超导体在其末端与单个模式腔相连。在强烈的光结合方案中，电子和光子自由度杂交，导致了极化子的形成。我们通过计算耦合电子光子系统的腔光子光谱功能来找到偏振子光谱。在拓扑阶段中，能量极化模式下的较低是由与腔光子相连的散装 - 摩霍拉纳跃迁形成的，并且对Majoraana Parity也很敏感。在琐碎的阶段，由于跨间隙跨间隙与光子的散装转变耦合，下极化模式出现了。我们的工作证明了在拓扑超导体中形成偏振子，该拓扑超导体与光子有关，这些光子包含有关Majorana结合状态特征的信息。
与不同配对的Weyl超导体的对称性
我们检查了Bogoliubov-de Gennes Hamiltonian及其对称性对称性，用于分时交换对称性破碎的三维Weyl超导体。在消失的配对电位的极限中，我们指定该哈密顿量在两组持续对称性下是不变的，即u（1）量规对称性和u（1）轴向对称性。尽管Bardeen-Cooper-Schrie Q er类型的配对会自发打破这两个对称性，但我们表明，Fulde-Ferrell-Larkin-ovchinnikov型配对的fulde-ferrell-ferrell-ferrell-larkin-ovchinnikov型配对会自发地破坏u（1）的对称性（然后通过众所周知的超级量表模式恢复了超级质量验证模式）。因此，在前一种情况下，系统中需要两种NAMBU-GOLDSTONE模式来恢复损坏的对称性。我们表明这两种模式之一是出现的伪标量相模式。我们还证明了这种相位模式会导致伪 - 甲壳虫效应。
2025 年预测 – GaN 功率半导体
GaN 在家用电器中的应用势头强劲，未来四年将快速增长，预计 2023 年至 2029 年的复合年增长率将达到 121% [17]。在洗衣机、冰箱和其他家用电器等应用中采用 GaN 的驱动力之一是需要遵守能源法规并通过主要市场的能源标签进行差异化。能源标签根据家用电器的能耗对其进行评级，是消费者购买决策的关键因素。为了获得最高评级，制造商必须在保持高性能水平的同时降低能耗。一个潜在的解决方案是提高家用电器内部的电源转换效率。GaN 技术完全有能力在这一努力中发挥关键作用。GaN 提供的效率提升非常显著 [18]。例如，在 800 W 的应用中，GaN 可以实现 2% 的效率提升 [19]，这可以帮助制造商获得令人垂涎的 A 级评级。这是通过 GaN 的更快切换能力实现的，因此，它更高效，并且因此满足了高效电机对降低损耗的性能需求。