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成熟节点半导体使用公开报告
这些芯片的使用虽然普遍，但也很肤浅。按数量计算，中国芯片仅占所有芯片的 2.8%，按价值计算，仅占芯片总数的 1.3%。换句话说，尽管中国芯片出现在绝大多数受访公司的产品中，但目前它们在大多数单个产品中仅占总芯片数量的一小部分。除了最终用户，BIS 还调查了半导体供应商。BIS 从 22 家组织收集了他们使用中国代工厂进行外包生产的数据。接受调查的美国芯片供应商对中国代工厂的使用很少：这些工厂生产的芯片占受访公司芯片总销售额的不到 2%。尽管如此，几家芯片供应商表示，中国的产能扩张开始带来价格压力，中国对代工厂和下游行业的补贴，以及在中国使用中国原产内容的压力，可能会影响他们的竞争地位。
光伏
图18。（a）化学计量对Ag a bi a bi b i a+3b化合物的结构的影响，（b）BII 3，（c）AGBII 4（缺陷型旋转结构）和（d）AGBII 4（CDCL 2-type结构）的碘化物亚晶格。化合物中化合物的晶体结构。经过国际材料评论的许可，69（1），（2024）。[139]版权所有©2024，Sage Publications。................................................................................................ 50 Figure 19. a) Device layout of AgBiI 4 PV cell and b) schematic of cell preparation needed before electrode deposition with grey area being untouched thin film layers and white area being area to be scratched off c) mask for gold electrode deposition (white area is area of deposition) ...........................................................................................................................................................................................雏菊1.0的工作流程。这些图像是预处理的，用于图像分析，然后使用Harris Kepoint检测到用于识别图像中缺陷的存在的模型将缺陷分类为缺陷。....................... 68 Figure 21.雏菊2.0工作流程。给出了雏菊1.0标记为“无缺陷”的图像被赋予谷物面膜以计算平均晶粒尺寸。标记为“缺陷”的图像被赋予缺陷面罩，以计算缺陷覆盖范围百分比和谷物面罩。在XRD模式A）CS 3 Bi 2 Br 3 I 6 B）CS 3 Bisbbr 3 I 6和C）CS 3 SB 2 BR 3 I 6，使用PAWLEY方法拟合。The residuals and agreement indices are shown ........................................................................................................ 76 Figure 23.XRD模式。显示了残差和协议指数。............................... 77 Figure 24.XRD拟合A）CS 3 BI 2 I 9 B）CS 3 BI 2 BR 9 C）CS 3 SB 2 I 9和D）CS 3 SB 2 BR 9反对2D。0D, 2D and 0D reference patterns respectively add goodness of fit ............................................................................................................ 78 Figure 25.a）cs 3 bi 2 i 9沿投影载体[006]，b）cs 3 bi 2 br 9沿投影矢量[201]，c）cs 3 sb 2 i 9沿投影矢量[004]和d）cs 3 sb 2 cs 3 sb 2 br 9沿投影矢量[003]a）cs 3 bi 2 I 9，b）cs 3 bi 2 br 9，c）cs 3 sb 2 i 9和d）cs 3 sb 2 br 9 ...................................................................................... 80图27。（a）CS 3 B 2 x 9系列的吸光度光谱从UV VIS和PS数据编辑，以及（b）Tauc图....... 82图28。pl衰变光谱在a）5.5k，b）40k，c）150k和d）300K pl衰变光谱，从0-40ns以5NS间隔从0-40NS开始。 在 agbii 4的XRD拟合，用于a）r3̅MH参考和b）fd3̅m参考。pl衰变光谱，从0-40ns以5NS间隔从0-40NS开始。在agbii 4的XRD拟合，用于a）r3̅MH参考和b）fd3̅m参考。pl衰变光谱在a）5.5k，b）40k，c）150k和d）300k pl衰变光谱，从0-40ns以5NS间隔为0-40NS。 在 pl衰变动力学在不同温度的a）cs 3 bi 2 i 9，b）cs 3 sb 2 i 9和cs 3 bi 2 i 9和cs 3 sb 2 i 9的cs 3 sb 2 i 9和c）合并为比较。 ..................................................................................................................................... 86 Figure 31. CS 3 Bi 2 I 9（顶部）和CS 3 SB 2 I 9（底部）的PL的依赖性依赖 PL peak wavelength vs temperature of a) Cs 3 Bi 2 I 9 and b) Cs 3 Sb 2 I 9 and the FWHM vs temperature plot of c) Cs 3 Bi 2 I 9 and d) Cs 3 Sb 2 I 9 .................................................................................................................................. 87 Figure 33. TA Spectra of a)b) Cs 3 Bi 2 I 9 , c)d) Cs 3 Sb 2 I 9 and e)f) Cs 3 Bi 2 Br 9 taken with 350 nm pump wavelength and 100 μW fluence .................................................................................................................................................... 88 Figure 34. ta动力学比较a）cs 3 bi 2 i 9，b）cs 3 bi 2 i 9，c）cs 3 sb 2 i 9，d）cs 3 sb 2 i 9和e）cs 3 sb 2 i 9和e）cs 3 bi 2 br 9 bi 2 br 9 ........................................... 35。 ....................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 94图36。pl衰变光谱，从0-40ns以5NS间隔为0-40NS。在pl衰变动力学在不同温度的a）cs 3 bi 2 i 9，b）cs 3 sb 2 i 9和cs 3 bi 2 i 9和cs 3 sb 2 i 9的cs 3 sb 2 i 9和c）合并为比较。..................................................................................................................................... 86 Figure 31.CS 3 Bi 2 I 9（顶部）和CS 3 SB 2 I 9（底部）的PL的依赖性依赖PL peak wavelength vs temperature of a) Cs 3 Bi 2 I 9 and b) Cs 3 Sb 2 I 9 and the FWHM vs temperature plot of c) Cs 3 Bi 2 I 9 and d) Cs 3 Sb 2 I 9 .................................................................................................................................. 87 Figure 33.TA Spectra of a)b) Cs 3 Bi 2 I 9 , c)d) Cs 3 Sb 2 I 9 and e)f) Cs 3 Bi 2 Br 9 taken with 350 nm pump wavelength and 100 μW fluence .................................................................................................................................................... 88 Figure 34.ta动力学比较a）cs 3 bi 2 i 9，b）cs 3 bi 2 i 9，c）cs 3 sb 2 i 9，d）cs 3 sb 2 i 9和e）cs 3 sb 2 i 9和e）cs 3 bi 2 br 9 bi 2 br 9 ........................................... 35。....................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 94图36。sem agbii 4 a）在合成的当天未涂层，b）合成后23天未涂层，c）在合成当天与螺旋罗涂有螺旋罗，而d）d）在合成后23天与spiro涂层。.................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................XRD of a) uncoated AgBiI 4 left in ambient air b) AgBiI 4 coated with spiro-OMeTAD left in ambient air .............................................................................................................................................................................. 95 Figure 38.. SEM images of AgBiI 4 synthesized with hot-casting method at a) 100 ᵒC b）110ᵒC，c）120ᵒC，d）130ᵒC，e）140ᵒC和f）150ᵒC。The temperatures specified are the set temperature of the hotpate for both the substrate and precursor solution prior to spin coating ........................................................................................ 97 Figure 39.用热铸造方法合成的Agbii 4的SEM图像，标记的温度是旋转涂层之前的底物和前体溶液的热板的温度。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。agbii 4的SEM图像在110°C时以22s的抗可溶性滴注在110°C时合成。a）未使用反溶剂，b）氯苯，c）IPA，d）甲苯........................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 99图41.sem的Agbii 4的图像，在110°C下合成了DMSO与DMF的比例为A）1：1 B）1：1 B）1 B）1 B）1 B）1 B）1 B）1 B）1：1 22S C）3：1 d）3：1 D）3：1 D）3：1 D）在22s e）5：1 f）5：1 f）5：1 f）10：1 f）10：1 f）at 22：1 f）at 22：1 g） chlorobenzene dripping at 22s i) pure DMSO and j) pure DMSO with chlorobenzene dripping at 22s ........................................................................................................ 100sem的Agbii 4的图像，在110°C下合成了DMSO与DMF的比例为A）1：1 B）1：1 B）1 B）1 B）1 B）1 B）1 B）1 B）1：1 22S C）3：1 d）3：1 D）3：1 D）3：1 D）在22s e）5：1 f）5：1 f）5：1 f）10：1 f）10：1 f）at 22：1 f）at 22：1 g） chlorobenzene dripping at 22s i) pure DMSO and j) pure DMSO with chlorobenzene dripping at 22s ........................................................................................................ 100
高温超导体及其大规模应用-1
Tim A. Coombs 1†，Qi Wang 1，A。Shah 1，J.Hu 1，L。Hao 1，I。Patel 1，H。Wei 1，Y。Wu 1，Thomas Coombs 1，4
半导体和先进材料
半导体市场 全球半导体市场有望大幅扩张，预计将从 2024 年的 6230 亿美元增长到 2035 年的 10740 亿美元，年复合增长率高达 5.08%。半导体在消费电子、汽车、电信和航空航天等每一项现代技术进步中无处不在，因此值得注意的是它们在我们日常生活中占据的重要性。由智能计算机和联网设备推动的工业 4.0 的兴起正在彻底改变制造业和生产，进一步推动对先进半导体技术的需求。截至 2024 年 7 月，全球半导体集团销售额达到 513 亿美元，比 2023 年 7 月同期增长 18.7%，这是销售额连续第四个月增长。美洲地区领先，销售额同比增长 40.1%，而中国和亚太地区也显示出显着增长。销售热潮是指对电子产品、数据中心芯片和集成电路的需求增长。尽管欧洲和日本的市场呈下降趋势，但随着人工智能、物联网和汽车技术的进步，全球市场正从疫情相关的衰退中良好反弹。半导体通常被称为现代电子产品的支柱。这些元素在从智能手机和计算机到先进的汽车系统等各种设备中发挥着重要作用。制造商面临的挑战是要求进一步开发技术，使用越来越小、更高效的芯片和更多的晶体管。人工智能和通信都继续依赖微处理器的进步，导致半导体增长速度更快。随着全球对更智能、更快速设备的需求不断增长，半导体行业将在塑造未来方面发挥更加关键的作用。该行业也是关键的就业驱动力，仅在美国就有超过 25 万名工人就业，支持超过一百万个工作岗位。半导体行业的上升轨迹凸显了其在推动未来技术发展方面的核心地位。
半导体：对新政府的考验
英国公司在半导体行业的其他领域也表现不俗，尤其是 Arm，其处理器设计被广泛应用于手机和许多其他电子设备。Arm 是英国半导体行业的明星，但它并不是制造商，而是通过许可费和专利费赚钱。生产是英国落后的地方，这一事实在全球半导体短缺期间变得非常明显。随后发生的事件，包括美国和欧盟推出的补贴计划，让英国被排除在外，无法参与其他国家正在进行的半导体生产扩张。
复合半导体的相关拉曼成像
（a）共焦拉曼成像与150 mm SIC晶圆的散装区域（红色）相比，具有不同掺杂浓度（蓝色）的晶体面区域。颜色和识别基于（b）中给出的拉曼光谱的分析。（b）两个确定成分的拉曼光谱。它们在掺杂敏感的A 1（LO）模式（约C.990 cm -1相对波数）。（c）SIC晶圆中应力敏感E 2（高）峰（776 cm -1）的颜色编码位置。图像揭示了压缩应力引起的晶圆中心的峰值变化，拉伸应力向其边缘移动。第二刻度给出了MPA中计算出的应力值。零应力值是由应力分布的平均值定义的。（d）基于E 2（高）峰的FWHM的SIC结晶度。晶圆显示了其晶体区域的晶体结构的微小变化。（e）SIC晶片的翘曲，高度变化高达40μm。
基于原子向量和深度学习的超导体临界温度预测
摘要：本文提出一种结合卷积神经网络（CNN）和长短期记忆神经网络（LSTM）的混合神经网络（HNN）来提取材料的高级特征用于超导体的临界温度（T c）预测。首先，通过从材料计划（MP）数据库中获取73,452个无机化合物并构建原子环境矩阵，通过对原子环境矩阵进行奇异值分解（SVD）得到87个原子的向量表示（原子向量）。然后，利用所得原子向量按照超导体化学式中原子的顺序实现超导体的编码表示。使用12,413个超导体训练的HNN模型的实验结果与三种基准神经网络算法和多种机器学习算法进行了比较，采用了两种常用的材料表征方法。实验结果表明,本文提出的HNN方法能有效提取超导体原子间的特征关系,对T c 的预测具有较高的准确率。
使用局部噪声磁力测定法探测Berezinskii-Kosterlitz-二维超导体中的无涡流涡流
在两个空间维度中，准长范围超导的熔化是通过涡流 - 抗抗反应对的增殖和解开，这是一种被称为Berezinskii-Kosterlitz-kosterlitz-thoubles-thouble（bkt）的现象。尽管已经在大量测量中观察到了这种过渡的特征，但是这些实验通常是复杂的，模棱两可的，无法解决涡流解开过渡的丰富物理。在这里，我们表明局部噪声磁力测定法是一种灵敏的无创探针，可以提供有关比例依赖性涡流动力学的直接信息。尤其是通过解决磁噪声的距离和温度依赖性，可以实验研究涡流气体的重新归一化组流程，并跟踪原位涡旋的发作。特别是，我们预测（i）噪声对温度的非单调依赖性和（ii）局部噪声几乎与BKT转变处的样品 - 探针距离无关。我们还表明，噪声磁力测定法可以区分高斯超导订单参数的流量与拓扑涡流闪光，并可以检测到未结合的涡流的出现。BKT过渡时的弱距离依赖性也可以用来将其与准粒子背景噪声区分开。我们的预测可能在许多非常规超导体的实验范围内。
卤化物和硫属化物钙钛矿半导体的不同振动特性及其对光电性能的影响
1 麻省理工学院材料科学与工程系，美国马萨诸塞州剑桥 02139 2 魏茨曼科学研究所化学与生物物理系，以色列雷霍沃特 76100 3 博洛尼亚 INSTM-UdR 工业化学系“Toso Montanari”，意大利博洛尼亚 40129 4 林雪平大学物理、化学和生物系（IFM），瑞典林雪平 SE-581 83。 5 Mork Family 南加州大学化学工程与材料科学系，美国加利福尼亚州洛杉矶 90089 6 魏茨曼科学研究所分子化学与材料科学系，以色列雷霍沃特 76100 7 Ming Hsieh 南加州大学电气与计算机工程系，美国加利福尼亚州洛杉矶 90089 8 南加州大学纳米成像核心卓越中心 (CNI)，美国加利福尼亚州洛杉矶 90089（日期：2024 年 10 月 11 日）