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能量状态促进拟南芥的生长和发育需要铜缺乏反应转录调控因子SPL7
* 通讯作者：Ute.Kraemer@ruhr-uni-bochum.de † 现地址：John Innes Centre, Norwich, NR4 7UH, UK。‡ 现地址：Centro de Biotecnolog ıa y Geno´mica de Plantas (UPM-INIA), Universidad Polite´cnica de Madrid, Pozuelo de Alarco´n, 28223, Spain。§ 现地址：Faculty of Biology, University of Mu¨nster, 48149 Mu¨nster, Germany。AS、JQ、MS、MRB、RF 和 VW 进行了实验，AS、BP、MK、MSES、GC 和 UK 进行了计算或其他数据分析，AS 和 UK 设计了研究并撰写了手稿，JQ 和 BP 也参与了贡献，所有作者都编辑了手稿。根据作者须知 (https://academic.oup.com/plcell) 中所述的政策，负责分发与本文所述研究结果相关的材料的作者是：Ute Kra¨mer (Ute.Kraemer@ruhr-uni-bochum.de)。
综述了晶体硅，三硫酸镉，硒化铜，硒化铜，染料敏感，有机和钙钛矿太阳能电池的特定降解：了解成熟技术的可靠性如何增强新兴技术
• Loss of absorption due to absorber layer degradation (intrinsic, moisture or photoinduced) (A) • Migration of dopant from interlayer to absorber layer (A) • Phase separation (A) • Crystallographic changes (A) • Change in energy levels (A, I) • Hole/electron transport layer degradation (I) • Dopant diffusion into active layer (I) • Change of uniformity of interlayers (I)
通过添加氧化铜来增强使用形状稳定的 LDPE/十六烷/SEBS 复合 PCM 的热能存储系统的性能
用于热能存储 (TES) 的相变材料 (PCM) 是一个新兴的研究领域，由于其对科学和技术领域的潜在影响而受到广泛关注。它有利于太阳能、智能纺织品、传热介质和智能建筑等各个研究和应用领域。1 – 4 LHTES 因其优异的相变行为 5 – 7 和高储热能力而成为该领域最有前途的方法。8,9 到目前为止，用于 LHTES 的相变材料 (PCM) 已在建筑储能领域得到广泛研究，例如建筑保温墙体、10 相变水泥板、11 太阳能空间冷却和建筑物供暖应用。12 在所有类型的 PCM 中，有机 PCM 具有理想的特性，包括合适的熔化温度、可忽略的过冷
铜电子束熔炼工艺及几何完整性优化
本研究系统地分析和优化了纯铜电子束熔炼工艺。结果表明，为了可靠制造，应优化预热温度以避免孔隙率和部件变形。电子束应完全聚焦，以防止收缩空隙（与负散焦相关）和材料飞溅（与正散焦相关）。较低的网格间距（例如 100µm）可使表面更光滑，从而提高密度可靠性，而较高的网格间距可达到更长的悬垂。还采用了合适的起始轮廓策略来减轻边界孔隙率、降低侧面粗糙度并提高几何精度。© 2022 作者。由 Elsevier Ltd 代表 CIRP 出版。这是一篇根据 CC BY 许可开放获取的文章（http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/）
水热形成的氧化铜（CUO）薄膜用于电阻开关存储器
通常可以观察到，已将回忆设备视为非挥发性半导体记忆（NVSM）设备，逻辑操作或神经形态计算的合适结构[1]。与典型的NVSM设备相比，已经选择了具有简单设备体系结构，快速开关属性，低功耗级别或出色的可扩展性的将来的内存应用程序的电阻随机存储器（RRAM）设备[2-4]。到目前为止，已经提出了基于几种介电和导电材料的不同Ar散布[5-7]。但是，所有这些设备的瓶颈都是大型操作电压或固定率变质。过渡金属氧化物，例如氧化钛（Tio X）[8]，氧化镍（Nio X）[9]，氧化锌（ZnO）[10]或氧化物（HFO X）[11,12]，已被广泛检查用于记忆应用。在这些材料中，氧化铜（CUO）也可以表现出出色的电阻转换（RS）特征[13]。作为一种无毒的，互补的金属氧化物半导体（CMOS）兼容和丰富的地球材料，铜（CU）已被广泛用于超大级构成（ULSI）设备中。因此，作为集成电路处理序列中最常见的导电膜之一，基于CU的设备被视为在半导体设备制造中是相关的候选者。CUO膜可以使用几种方法，例如分子束外延（MBE）[14]，化学蒸气沉积
氧化铜基纳米材料在电化学领域的应用
氧化铜因其半导体性质、高化学稳定性和经济效益而被确立为技术中的重要化合物。这些特性使其成为储能应用的良好候选材料。此外，由于其独特的特性，例如高功率、长循环寿命和环保性，超级电容器（电池和传统电容器之间的互补装置）的发展受到了广泛关注。此外，氧化铜引起了人们对制备可用于超级电容器制备的适用正极的兴趣。同时，氧化铜容易与极化液体和聚合物混合，并且具有相对稳定的化学和物理性质。氧化铜的电化学特性取决于形态，在这些装置中可以优化电极材料的适当结构设计。在这篇综述中，我们将探讨氧化铜的合成及其作为阴极材料的氧化还原机理，以及各种氧化铜化合物在制备高性能超级电容器中的应用。
高功率电子封装用烧结纳米铜颗粒的高温纳米压痕表征
纳米铜烧结是实现宽带隙半导体电力电子封装的新型芯片粘接与互连解决方案之一，具有高温、低电感、低热阻和低成本等优点。为了评估烧结纳米铜芯片粘接与互连的高温可靠性，本研究采用高温纳米压痕试验表征了烧结纳米铜颗粒的力学性能。结果表明：首先，当加载速率低于0.2 mN ⋅ s − 1时，烧结纳米铜颗粒的硬度和压痕模量迅速增加随后趋于稳定，当加载速率增加到30 mN时，硬度和压痕模量降低。然后，通过提取屈服应力和应变硬化指数，得到了烧结纳米铜颗粒的室温塑性应力-应变本构模型。最后，对不同辅助压力下制备的烧结纳米铜颗粒在140 ˚C – 200 ˚C下进行高温纳米压痕测试，结果表明辅助压力过高导致硬度和压痕模量的温度敏感性降低；蠕变测试表明操作温度过高导致稳态蠕变速率过大，对烧结纳米铜颗粒的抗蠕变性能产生负面影响，而较高的辅助压力可以提高其抗蠕变性能。
由热液碳化葡萄糖胶体颗粒组装而成的宏观棒及其作为碳化硅和三铜硅化物模板的用途
自聚集胶体可用于制备材料，我们研究了胶体水炭分散颗粒中水分蒸发后形成的长棒状聚集体。单分散水炭颗粒（100-200 纳米）由葡萄糖热液碳化合成，并通过透析纯化。在合成过程中，它们形成胶体分散体，在中高 pH 值和低离子强度下静电稳定。水分蒸发后，在中等 pH 条件下，分散体会形成宏观上较大的棒状物。这些棒状物在固-水界面处形成，与干燥方向正交。热解使棒状物具有高度多孔性，但不会对它们的形状产生任何影响。将 Cu-Si 合金反应性地渗入原位热解水炭和形成的三铜硅化物 (Cu 3 Si)-碳化硅 (SiC)/碳复合材料中。在此过程中，Si 原子与 C 原子发生反应，进而导致合金润湿并进一步与碳发生反应。在反应过程中，底层碳模板的形状保持不变，随后将形成的复合材料制剂煅烧成 Cu 3 Si-SiC 基碳基胶体颗粒棒状组件的复制品。使用透射和扫描电子显微镜以及 X 射线衍射研究了所形成固体的形状、成分和结构。从胶体科学的角度，可以进一步研究将合金反应渗透到自聚集和碳基固体中制备的材料，以及探索性地使用由真实生物质制备的水炭，探索与反应渗透有关的组成空间，以及材料在催化中的应用。2021 作者。由 Elsevier Inc. 出版。这是一篇根据 CC BY 许可开放获取的文章（http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/）。
扭曲双层铜酞菁分子装置中的可调电导和自旋过滤
点的扭转角可以通过改变费米能量、拓扑绝缘体收缩宽度和量子阱带隙来进行调控。27但目前还没有关于分子器件扭转角的系统研究。本文基于非平衡格林函数（NEGF）结合密度泛函理论（DFT），28，29研究了由两个V型锯齿边石墨烯纳米带（GNR）电极连接不同扭转角的CuPc分子构成的CuPc分子器件的量子输运性质。通过改变扭转角可以控制器件的局域自旋态和相关的量子输运性质。结果表明，扭转双层CuPc分子（TTBCPM）的HOMO-LUMO能隙、自旋滤波效率（SFE）和自旋相关电导随扭转角变化。当q较大时，电导和SFE的变化趋势几乎相反。当q=0时电导最大,当q=60时SFE最大,提出了这些现象的物理机制,并通过分析透射光谱、分子能级谱和散射态,进一步理解了具有扭转角的量子传输现象。
