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电池管理系统的电源和信号磁化解决方案
影响变压器选择的其他条件可能会影响设计的进一步的操作条件，包括环境方面，例如高度，特定的污染程度，污垢和污垢或湿度，或所选变压器必须在其中运行的湿度。重要的是要考虑可能还需要满足的其他特定测试要求，例如部分排放测试或满足特定标准所需的长期可靠性测试。对于变压器的距离主题，这是指爬行和清除。爬行是沿着这两个点的表面测量的两个点之间的距离。间隙是两个点之间的距离，它们之间只有一个气隙（见图1）。
2 输出：5V 和 12V - 反激变压器
尺寸 E16 - 2 输出：5 和 12v - 反激变压器 初级/次级绝缘 ≥ 4000V 初级/辅助绝缘 ≥ 1500V 初级/次级爬电距离 ≥ 6mm 环境温度 < 70°C 结构符合 IEC950、IEC335、IEC61558 加强绝缘标准 仅使用 UL94-V0 列出的材料
4 输出：5+12 / 5+12v - 反激变压器
尺寸 ETD39 - 4 输出：5+12 / 5+12v - 反激变压器 初级/次级绝缘 ≥ 4000V 初级/辅助绝缘 ≥ 1500V 初级/次级爬电距离 ≥ 8mm 环境温度 < 50°C 结构符合 IEC950、IEC335、IEC61558 加强绝缘标准 仅使用 UL94-V0 列出的材料
任何其他测试，在原始电路板上使用较低负载以及使用 Itacoil 组件的任何负载，均在 270V 下进行。（3）最大输入电压
测试结果 目标是仅通过更换谐振回路来提高效率、成本和 Trise，而无需使用分立谐振电感器。尺寸、成本、效率和 Trise 都得到了显著改善。还要注意，中等负载下的效率提高达到 5%。由于 PFC 级保持不变，21% 的总功率损耗减少意味着 LLC 级的功率损耗减少约 30%。最后，使用集成变压器可提高 pri/sec 绝缘的水平和可靠性。测试变压器的结构允许超过 6KV 的介电强度和 10mm 的爬电距离，而无需额外成本。
He-PSU（4.0）电源和电池充电器安装，...
HE-PSU（4.0）作为肖像方向的外壳提供，左侧的端子块。必须考虑EN60950关于蠕变，间隙，标记和隔离的要求，并且应保持电源替换并访问螺丝端子连接。设备是Class1结构的，因此必须永久可靠地连接到安装的固定土。最终使用应用的主要地球必须用保护地球符号永久标记（IEC415 No.5017）。必须在最终使用应用程序中提供合适的主断开设备。必须考虑与SELV（安全性额外低压）电路连接的电池和负载连接。已完成和安装设备的最大泄漏电流不得超过3.5mA ..
Bourns释放新的增强门驱动器变压器
具有N加固的绝缘材料，可用于高可靠性和紧凑尺寸n，用于与Allegro Micro Model AHV85000＆AHV85040 GAN FET隔离的栅极驱动器芯片组N完全自动化的过度销售工艺N完全自动化的钢筋绝缘材料：高达1000 V和10 mm mm min。蠕变和间隙n崩溃测试电压> 5.7 kVDC，60 s和8.0 kV振兴脉冲脉冲免疫n 1.5 pf最大互动电容和1.5 µH的最大泄漏电感n ferrite n ferrite n ferrite n pwm信号传递以及提供的闸门驱动器偏见偏见和符合偏差*
Svolt在2023年上海国际车展上呈现革命性的电池技术
防止电池组的热失控是最重要的安全性。在热失控期间产生的高温气体混合物减少了与安全性相关的空气和高压系统中的蠕变距离，这又有利于弧的形成。在最坏的情况下，这样的弧线会引起电池火，从而爆炸。在热失控的情况下，来自Svolt的龙龙的脱气通道位于电池的底面，而电池内部的HV连接器则连接到电池侧。在发生热run径时，高温气体液体混合物通过最短路线从电池中排出，并且消除了高压系统中危险弧形的风险。可以消除客户对电池安全性的担忧。
ADuM4160 | 数据表 - ADI 公司
兼容 USB 2.0 低速和全速数据速率：1.5 Mbps 和 12 Mbps 双向通信 4.5 V 至 5.5 V V BUS 操作 1.5 Mbps 时最大上游电源电流为 7 mA 12 Mbps 时最大上游电源电流为 8 mA 最大上游空闲电流为 2.3 mA 上游短路保护 3A 类接触 ESD 性能符合 ANSI/ESD STM5.1-2007 高温操作：105°C 高共模瞬态抗扰度：>25 kV/μs 16 引脚 SOIC 宽体封装版本 16 引脚 SOIC 宽体增强爬电距离版本 符合 RoHS 安全和监管批准（RI-16 封装） UL 认证：5000 V rms，持续 1 分钟，符合 UL 1577 CSA 元件验收通知 #5A IEC 60601-1：250 V rms（增强型）IEC 60950-1: 400 V rms（加强型）VDE 符合性证书 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 V IORM = 846 V 峰值
3阶段全当前DLM的技术规格...
10.3仪表应符合保护程度IP 51的程度，以防止灰尘，水分和害虫的吸收。10.4仪表应提供透明的扩展端子盖（ETBC）。扩展的端子盖应具有顶部/侧铰链排列，以使其始终保持与仪表的关联。10.5仪表外壳，端子块和ETBC应由牢不可破的，高级，耐火，不易燃料，聚碳酸酯或同等高级和优质的工程塑料制成。端子块应具有终端孔，应具有足够尺寸的最小8.0毫米（直径）以容纳导体，按照第13779- 1999年的IS：6.2和6.4的要求满足要求。10.6将导体固定到端子块的方式应确保足够耐用的接触，以免松动或过热的风险。螺钉连接传输接触力和螺钉固定，在仪表寿命期间可能会松动和拧紧几次，以至于使与任何其他金属零件接触而产生的腐蚀风险被最小化。电连接应如此设计，以至于接触压力不是通过绝缘材料传播的。端子和末端螺钉应由镀金的MS /镍镀铜制成，以提供更好的电导率。清除率和蠕变距离应符合IS 13779：1999的相关条款/CBIP技术报告编号325。
双路隔离双向数字耦合器 (Rev. D) - Farnell
• 替代高性能光耦合器 • 数据速率：80 M 波特，典型值 ISO150 是 2 通道、电气隔离的数据耦合器，典型数据速率为 80M 波特。 • 低功耗：每通道 25 mW，每个通道都可以单独编程为在任一方向传输数据。 • 两个通道，每个通道都是双向的，数据通过高压 0.4 pF 电容器耦合互补脉冲跨隔离栅传输。接收器电路将脉冲恢复到标准逻辑电平。差分信号传输可抑制隔离模式电压瞬变 • 每通道低成本高达 1.6 kV/µ s • 采用 SO 封装 ISO150 避免了光耦合器常见的问题。光隔离耦合器需要高电流脉冲，并且必须考虑到 LED 老化。ISO150 的 Bi-CMOS 电路以每通道 25 mW 的功率运行 • A/D、D/A 转换的数字隔离。• 隔离的 RS-485 接口 ISO150 采用 SO-28 封装，规格为 • 多路复用数据传输，工作温度范围为 –40°C 至 85°C。• 隔离的并行到串行接口 • 测试设备 • 微处理器系统接口 • 隔离的线路接收器 • 接地环路消除