图2。perovskite@polymer纳米纤维的形态。a)和b)L-PPNF的TEM图像。c)使用PMMA获得的纳米纤维的TEM图像,为此,没有形成明显的钙钛矿纳米晶体。d)perovskite@pvdf纳米纤维的TEM图像。PVDF纳米纤维中嵌入的巨大不规则形状的钙钛矿也有粗糙的表面。e)在紫外线照明下浸入水中的不同时间后,L-PPNF的照片。f)收集在A4纸上的L-PPNF的照片以及紫外灯照明下的相应荧光图像,显示样品均匀性。g)大规模的L-PPNF的SEM图像。
卤化铅钙钛矿纳米晶体(LHP NC)具有诸多优良特性,包括宽范围的带隙可调性、可忽略的电子-声子耦合1、大的吸收截面2和窄的发射线宽,此外还具有溶液加工性、低成本合成和与其他现有器件组件的兼容性3,4,是潜在光电应用的有前途的材料,例如发光显示器、激光器和用于大面积可印刷光收集装置的纳米晶体墨水。5 – 10然而,尽管它们具有高量子产率(QY)和表面不敏感性,但基于溶液加工钙钛矿的第一个发光二极管(LED)的外部量子效率却不到 0.2%。 11 需要持续努力了解电子空穴复合途径和选择性改进辐射途径,才能将性能提高到约 15%。12 这主要是通过解决诸如增加高移动电荷的限制、配体交换和配体密度控制、表面缺陷钝化、掺杂和抑制俄歇非辐射复合等问题来实现的。13 – 17 然而,对
捕获离子是激发离子运动的弱力和电场的灵敏探测器。这里报告了与施加的弱外力相位一致的捕获离子晶体质心运动的测量结果。这些实验是在大约 100 个离子的二维捕获离子晶体上远离陷阱运动频率进行的,并确定了我们的协议的基本测量不精确度,不受与质心模式相关的噪声的影响。通过使用振荡自旋相关光偶极力将离子晶体运动与离子的内部自旋自由度耦合来检测晶体的驱动正弦位移。由此产生的诱导自旋进动与晶体的位移幅度成正比,并以近投影噪声限制的分辨率进行测量。在一次实验测定中检测到 49 pm 的位移,信噪比为 1,这比以前的相位不相干实验提高了一个数量级。该位移幅度比零点波动小 40 倍。在我们的重复率下,8 。4 pm / √
这是以下文章的同行评审版本:Brown, A. A. M., Damodaran, B., Jiang, L., Tey, J. N., Pu, S. H., Mathews, N. & Mhaisalkar, S. G. (2020). Lead halide perovskite nanocrystals : roomtemperature syntheses towards commercial viability. Advanced Energy Materials, 10(34), 2001349‑. https://dx.doi.org/10.1002/aenm.202001349,最终版本已发布于 https://doi.org/10.1002/aenm.202001349。本文可用于非商业用途,符合 Wiley 自存档版本使用条款和条件。
摘要:无机钙钛矿因其广泛的光电应用而显示出诱人的前景。最近,据报道,无机钙钛矿纳米晶体 (NC) 的超晶体 (SC) 具有高度有序的结构以及新颖的集体光学特性,为高效薄膜开辟了新的机会。在这里,我们报告了通过油包油乳液模板化对无机钙钛矿 NC 的球形、立方体和六边形 SC 的大规模组装控制。我们表明,立方体 NC 的圆度与限制液滴表面张力之间的相互作用决定了超结构形态,我们利用这种相互作用来设计 SC 的密集超晶格。SC 薄膜表现出至少两个月的稳定性大大增强,没有明显的结构退化和轻微的光学变化。我们对钙钛矿 NC 超结构的受控大规模组装的研究结果为基于中观结构块微流体生产的自下而上的光电器件生产提供了新的前景。关键词:组装、乳液滴模板、超晶体、钙钛矿薄膜、稳定性
晶体生长过程。但由于胶体纳米晶体在与周围基质相互作用的同时经历快速成核和生长,因此晶体生长动力学难以控制。纳米晶体胶体溶液中微结构的形成通常用奥斯特瓦尔德熟化 (OR) 理论来解释。21,25,26 OR 机制被广泛用于解释纳米晶体的晶体生长,纳米晶体可产生直径较大的颗粒,通常在微米尺寸范围内。然而,在某些情况下,纳米晶体的晶体生长在纳米范围内通常无法用 OR 动力学来解释。27 – 29 在纳米尺度上,有证据表明晶体生长更受另一种机制的主导,称为取向附着 (OA),其中纳米晶体通过共享共同的晶体取向自组装成单晶。 30,31“ OA ”的概念最早由 Banfield 等人在研究 TiO 2 纳米晶体的水解合成时提出。32 从那时起,这种基于聚集的晶体生长概念就对构建纳米级材料很有吸引力。由于 OA 工艺通过增强自下而上的制造工艺实现了初级纳米晶体的自组装,因此它可以生产出具有多种特性的新型结构,不同于相应的块体材料。特别是,OA 工艺已被证明是一种制备各向异性纳米结构的有效方法,其中纳米晶体种子的附着总是引导自组装到一个取向,从而产生一维纳米线或纳米棒。33 – 35 在 OA 机制中,晶体生长速率与表面能呈指数相关。晶体生长沿特定晶面进行,这取决于与晶体面相关的相对比表面能。36 各个面的表面能差异会导致较高表面能平面生长得更快,而较低表面能平面则作为产品的面。例如,研究表明,由于 [001] 和 [101] 面之间的表面能差异,金红石 TiO 2 纳米晶体通过沿 [001] 方向融合纳米晶体形成一维项链状纳米结构,从而促进 OA 机制的定向晶体生长。32 在另一项最近的研究中,实时观察到了由 OA 机制引导的氢氧化铁颗粒的形成,证明了晶体生长过程中纳米晶体的旋转和晶体取向。 37 OA 还被证实可用于制备 ZnO 纳米棒、38 MnO 多足体、39 稀土金属氧化物纳米颗粒 40 以及具有各种形貌的混合氧化物纳米结构。21 尽管 OA 指导合成了具有各种形貌的形状和尺寸控制的金属氧化物和混合氧化物纳米结构,21 在OA驱动的湿化学合成中构建尺寸控制的金属氧化物纳米线的例子非常少。41,42
Lai,Z V.,Hu,Z。,... Welsh,H。(2021)。 混乱的1T'-相元组VIB传输晶体。 物质性质,20,1113-1120。 https://dx.do.org/10Lai,Z V.,Hu,Z。,... Welsh,H。(2021)。混乱的1T'-相元组VIB传输晶体。物质性质,20,1113-1120。https://dx.do.org/10https://dx.do.org/10
硅是一种用于低温热能清除应用的丰富元素热电材料,通常患有相当低的热电效率。提高效率的一种可行解决方案是提高非硅硅(A-SI)的功率因数(PF),同时保持热导率足够低。在这项工作中,我们报告说,Pf> 1 m wm-1 K-2是可用于硼植入的p型P型A-SI膜,该膜分散,通过在温度≤600°C的温度下通过退火而实现的超细晶体。在550°C下退火可启动用嵌入A-SI基质中的亚纳米晶体结晶。所得的薄膜保持高电阻,因此产生了低的PF。在600°C下的退火大约使以双峰尺寸分布特征的特征降低了亚5-nm纳米晶体的密度,并因此减少了膜中无定形相的分数。因此,在室温下测得的PF> 1 m wm -1 k - 2急剧增强的电导率,因此Pf> 1 m wm -1 k -2。结果表明,在大型热电应用中,硅具有巨大的潜力,并基于硅热电话建立了通往高性能能量收集和冷却的途径。
掺铒 GaN (Er:GaN) 准块状晶体正成为一种有前途的新型增益介质,用于在 1.5 μ m 的视网膜安全波长窗口发射高能激光器。我们报告了偏振分辨光致发光 (PL) 发射光谱研究,结果表明,激发偏振平行于 GaN c 轴 (EQ jj c Q) 的泵浦效率明显高于激发偏振垂直于 GaN c 轴 (EQ ? c Q) 的泵浦效率。这一现象是固有极性纤锌矿 GaN 晶格的直接结果,沿 GaN 的 c 轴在每个 Er 离子周围产生一个净局部场。 PL 发射光谱的温度依赖性行为可以用 GaN 中 Er 3+ 的 4 I 15/2 基态和 4 I 13/2 第一激发态子能级之间的玻尔兹曼分布来解释,从而更好地理解 1.5 μ m 附近观察到的主要发射线的起源。结果表明,可以利用 GaN 中的极化场,通过操纵激发光源的极化来增强有效 Er 激发截面。
摘要 强近红外 (NIR) 激光脉冲与宽带隙电介质相互作用会在极紫外 (XUV) 波长范围内产生高次谐波。这些观测为固体中的阿秒计量提供了可能性,精确测量各个谐波相对于 NIR 激光场的发射时间将大有裨益。本文表明,当从氧化镁晶体的输入表面检测到高次谐波时,对 XUV 发射的双色探测显示出明显的同步性,这与块体固体中电子-空穴再碰撞的半经典模型基本一致。另一方面,源自 200 μ m 厚晶体出口表面的谐波双色光谱图发生了很大变化,表明传播过程中激光场畸变的影响。我们对 XUV 能量下亚周期电子和空穴再碰撞的跟踪与阿秒脉冲固态源的开发有关。