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立方卤化物钙钛矿的多晶性质
许多常见的晶体结构可以用单个（或极少数）重复的结构模式（“单态结构”）来描述，例如立方卤化物钙钛矿中的八面体。有趣的是，最近积累的证据表明，基于这种从 X 射线衍射获得的宏观平均单态立方（Pm-3m）卤化物钙钛矿的电子结构计算与实验结果存在有趣的偏差。这些偏差包括系统性地太小的带隙、由电子主导的介电常数、合金的负混合焓以及与测量的对分布函数的显著偏差。我们在此表明，通过密度泛函理论最小化系统 T = 0 内部能量会揭示不同低对称局部模式的分布，包括倾斜、旋转和 B 原子位移（“多态网络”）。只有当允许大于最小晶胞尺寸且不几何排除低对称模式时，才会发现这种情况。随着（超）晶胞尺寸的增加，能量相对于单晶胞会降低，在包含约 32 个公式单位（⩾ 160 个原子）后稳定下来。作为无熵内部能量的非热能最小化的结果，这组相关的位移必须代表底层化学键合（孤对键合）所偏好的固有几何形状，因此其起源与分子动力学建模的正常动态热无序不同。事实上，多晶网络，而不是单晶拟设，是高温热扰动发展的核心结构。新出现的物理图像是多晶网络具有高对称性的平均结构，但局部结构基序具有低对称性。我们发现，与单晶网络相比，多晶网络的预测总能量明显较低、带隙较大、介电常数以离子为主，并且与观察到的对分布函数更为吻合。类似的多态情况见于一些立方氧化物钙钛矿的顺电相中，其中局部极化在卤化物钙钛矿中起局部位移的作用；也见于一些 3 d 氧化物的顺磁相中，其中局部自旋配置起着作用。
立方钙钛矿Baruo3 ...
立方钙钛矿Baruo 3在1,000°C下已在18 GPA下合成。rietveld的修复表明，新化合物具有拉伸的ru -o键。立方钙钛矿Baruo 3保持金属至4 K，并在T C 60 K处表现出铁磁过渡，对于SRRUO 3而言，其明显低于T C 160 K。立方钙钛矿Baruo 3的可用性不仅可以绘制出Aruo 3（A CA，SR，BA）在整个系列中的磁性演变，这是A位置R A的离子尺寸的函数，而且还完成了Baruo 3的多型型。在perovskites aruo 3（a，ca，sr，ba）中的图与r a的图的扩展表明，随着立方结构的接近，t c不会增加，但对于正骨srRUO 3的最大值。通过ca抑制t c，在srRUO 3中抑制ba掺杂是通过顺磁相的急剧不同的磁敏感性（t）而区分的。在（CA SR）RUO 3侧的刻板阶段和（SR，BA）RUO 3侧的带宽扩大的背景下，这种区别已被解释。
立方 Y2O3 稳定 ZrO2 的多循环快速烧结
* 通讯作者电子邮件：adegnah@kacst.edu.sa * 通讯作者地址：沙特阿拉伯国家先进材料技术中心，阿卜杜勒阿齐兹国王科技城 (KACST)，邮政信箱 6086，利雅得 11442；电话：+ 966 1 4883555 分机：4128
{类似Comn2O4纳米结构，如高级高级...
摘要在这项工作中，已经报道了与水热法有关的koh-naOH的立方样comn 2 o 4均匀纳米结构的合成。通过X射线衍射（XRD），田间发射扫描电子显微镜（FE-SEM），高分辨率透射透射电子显微镜（HR-TEM）分析研究了Comn 2 O 4的晶体结构相纯度和形态。Comn 2 O 4的电化学材料已经检查了超级电容器的电活性材料。电子差异具有出色的电化学特性。具有足够自由空间的立方样形态结构有益于改善电化学性能。COMN 2 O 4电极表现出最高特异性电容值762.4 F G -1的法拉达电容，扫描速率为5 mV s -1。发现Comn 2 O 4电极的库仑效率在2000年充电循环后为91.2％。COMN 2 O 4的纳米结构对制备电极的出色电化学性能产生了明显的贡献。
立方 NaSbS2 作为离子电子耦合半导体……
这是以下文章的已接受版本：Harikesh, P. C., Surendran, A., Ghosh, B., John, R. A., Moorthy, A., Yantara, N., . . . Mathews, N. (2020). Cubic NaSbS2 as an ionic‑electroniccoupled semiconductor for switchable photovoltaic and neuromorphic device applications. Advanced Materials, 32(7), 1906976‑，最终版本已发布于 https://doi.org/10.1002/adma.201906976。本文可根据 Wiley 自存档政策 [https://authorservices.wiley.com/authorresources/Journal‑Authors/licensing/self‑archiving.html] 用于非商业用途。
在立方体 AgCuTe 中实现高室温热电性能
完整作者列表： 姜静；电子科技大学；休斯顿大学 朱航天；休斯顿大学 牛毅；电子科技大学 朱青；休斯顿大学 宋少伟；休斯顿大学 周婷；电子科技大学；休斯顿大学 王超；电子科技大学 任志锋；休斯顿大学
低海拔立方体屋顶空调机组的风洞研究...
低矮建筑物上的风荷载被认为是一种危险，需要不断获取知识才能有效缓解。当前的美国标准 ASCE 7-98 为整个结构系统以及屋顶和墙壁等结构部件（包括局部覆层压力）提供了详细的风设计荷载。另一方面，屋顶附属物上的风荷载并未得到具体解决。但是，ASCE 7 风荷载任务委员会正在考虑在下一版标准 ASCE 7-00 中规定空调机组等附属物的设计荷载。如果该提议被接受，当前的烟囱和水箱指南将扩展到包括屋顶设备，并建议采用更高的阵风影响系数（> 0.85），例如 1.1 或更高。由于典型的屋顶设备尺寸相对较小，往往会导致较高的面积平均峰值压力，因此使用较高的阵风影响因子是合理的。此外，设备可能位于屋顶边缘附近的加速流区，因此需要更高的阵风影响因子。但是，由于缺乏对屋顶设备的研究或风洞研究，尚未确定任何特定的阵风影响因子值。
碳化物中固有缺陷的理论研究...
图。2。示意图说明了对带电缺陷的DFT超级电池计算的远程筛选能量的评估。（a）带电荷Q的批量缺陷具有介电筛选，该筛选有限地扩展，刻有正方形，表明计算超级电池的范围。（b）DFT Supercell在超级电池并行教的全净电荷Q中汇总，通过从超级电池边缘绘制电子来筛选近场的区域，从而降低边缘区域。（c）等效体积球，半径为R Vol，需要评估远程筛选能量。（d）R皮肤减少了此半径以解释未经筛选的细胞体积，从而导致R JOST定义的JOST经典介电筛选。
立方碳化硅3C-SiC本征缺陷的理论研究
图 2. 示意图，说明评估长程屏蔽能量对带电缺陷的 DFT 超胞计算的贡献。 (a) 带电荷 q 的体缺陷具有无限延伸的电介质屏蔽，内接正方形表示计算超胞的范围。 (b) DFT 超胞将整个净电荷 q 限制在超胞平行六面体内，通过从超胞边缘抽取电子来屏蔽近缺陷区域，从而对边缘区域进行去屏蔽。 (c) 等效体积球体，半径为 R vol ，需要围绕该球体评估长程屏蔽能量。 (d) 该半径减少了 R skin 以解释未屏蔽的晶胞体积，从而得到了由 R Jost 定义的 Jost 经典电介质屏蔽。