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gahm-接地活动氢mas
频率稳定性 @1S：<1.5e-13/ @1d：<2.5e-15相位噪声 @1Hz：<-130 dbc/ hz（5 MHz）用于高增益性能的空腔技术高增益teflon＆Bulb涂层技术20年内生命周期内的高敏感性低敏感性技术更高的稳定性技术：<2e-15/ <2e-15/ cant：无维护操作维护合同目录寿命：20年
混合产品部 - Microsemi
• 设计、开发、生产 • DBC、厚膜和薄膜技术 • 多层基板 • 混合信号定制电路 • 芯片和电线 • 共晶、焊料和环氧树脂芯片粘接：.0007” - .003” 金线键合 .001” - .020” 铝线键合 • 有源修整 • 大直径电线/电源应用 • 接缝密封/电阻焊接 • 引线成型 • 符合 MIL-PRF-38534 的环境筛选和质量一致性检查
扩散模型的行为克隆
模仿学习通过观察专家的演示而无需访问环境奖励信号来解决学习的挑战。大多数现有的模仿学习方法不需要与环境进行交互，要么将专家分布建模为条件概率p（a | s）（e。g。，行为克隆，BC）或关节概率P（s，a）。尽管简单地用BC对条件概率进行建模，但它通常在概括方面挣扎。在建模关节概率可以提高概括性能时，推理过程通常是耗时的，并且模型可能会遭受过度拟合的歧视。这项工作提出了一个模仿学习框架，该框架从建模专家分布的条件和联合概率中受益。我们提出的扩散模型启动行为克隆（DBC）采用了一种扩散模型，该模型训练了建模专家行为，并学习了一项政策，以优化BC丢失（条件）和我们提出的扩散模型损失（关节）。DBC在导航，机器人臂操纵，灵活的操纵和运动中的各种连续控制任务中的表现优于基准。我们设计了其他实验，以验证对条件概率或专家分布的关节概率建模的局限性，并比较不同的生成模型。消融研究证明了我们的设计选择的有效性。
通过功率循环测试对采用改进的互连技术的最新标准双电源模块进行老化调查
最新标准“ New Dual ”功率模块已为硅和碳化硅器件开发，以满足高可靠性和高温电力电子应用日益增长的需求。由于新封装刚刚开始投放市场，其可靠性性能尚未得到充分研究。本文研究了基于新封装的 1.7 kV/1.8 kA IGBT 功率模块的功率循环能力。研究了功率循环前后的电气和热性能。在 Δ T j = 100 K 和 T jmax = 150 ◦ C 的 120 万次循环之后，芯片和键合线均无明显性能下降。尽管如此，在测试环境中传导电压 (V ce ) 增加的寿命终止标准在约 600 k 次循环时已达到。进一步的扫描声学显微镜测试发现，疲劳位置从传统的近芯片互连（例如，键合线剥离）转移到直接键合铜 (DBC) 基板和底板层。考虑到新封装的循环寿命是传统功率模块的十倍以上，随着互连技术的进一步改进，预计热机械疲劳将不再是寿命限制机制。同时，随着先前的瓶颈（例如键合线）得到解决，一些新的疲劳机制（例如 DBC 的分层）在新封装中变得明显。
MiniPCIeCAN-II
4.1 CANTest Basic Operations ................................................................................ 9 4.1.1 Device Type Selection ................................................................................ 9 4.1.2 Filter Settings ........................................................................................... 11 4.1.3 Starting the CAN ...................................................................................... 12 4.1.4获取设备信息......................................................................................... ........................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... .......................................................................................................................................................................................................................................................Method of Using the Interface Library Functions ........................................ 21
氮化铝与 Cu–P–之间的界面结构...
由于环保法规和节能需求[1–5]，功率模块基板需要将铝或铜等金属层键合到氮化铝 (AlN)、氮化硅 (Si 3 N 4 ) 或氧化铝 (Al 2 O 3 ) 等陶瓷绝缘体上。根据基于金属层和键合方法的分类，这些基板称为直接键合铝 (DBA) 基板[1, 6, 7]、直接键合铜 (DBC) 基板[8, 9] 和活性金属键合 (AMB) 基板[10–15]。AMB 基板是通过使用钎料金属（例如 Ag-Cu-Ti 基合金）将铜键合到 AlN 上而制成的。这些系统中的 Cu/AlN 界面结构以 Ag-Cu 合金层和
通过功率循环测试，利用改进的互连技术对最新标准双电源模块进行老化调查
通过功率循环测试对使用改进的互连技术的最新标准双功率模块进行老化调查 Yi Zhang a,* 、Rui Wu b 、F. Iannuzzo a 、Huai Wang aa AAU Energy，奥尔堡大学，丹麦奥尔堡 b Vestas Wind Systems A/S，丹麦奥胡斯 摘要 为硅和碳化硅设备开发了最新标准“新型双”功率模块，以满足高可靠性和高温电力电子应用日益增长的需求。由于新封装刚刚开始投放市场，其可靠性性能尚未得到充分研究。本文研究了基于新封装的 1.7 kV/1.8 kA IGBT 功率模块的功率循环能力。对功率循环前后的电气和热性能都进行了研究。在 Δ T j = 100 K 和 T jmax = 150 ° C 的条件下经过 120 万次循环后，芯片和键合线均没有明显的性能下降。尽管如此，在测试环境中，在约 600 k 次循环后，已达到导通电压 (V ce ) 增加的寿命终止标准。进一步的扫描声学显微镜测试发现，疲劳位置从传统的近芯片互连（例如，键合线剥离）转移到直接键合铜 (DBC) 基板和底板层。考虑到新封装的循环寿命是传统功率模块的十倍以上，预计随着互连技术的进一步改进，热机械疲劳将不再是限制寿命的机制。同时，随着先前的瓶颈（例如，键合线）得到解决，一些新的疲劳机制（例如，DBC 的分层）在新封装中变得明显。
电荷泵移相电路的设计与实现...
随着集成电路工艺的不断发展，锁相环 (PLL) 频率源技术被广泛应用于各类传感器，如用于图像传感器的高精度时钟发生器[1–4]。近年来，得到广泛研究的高精度传感器，特别是植入式医疗传感器和高精度图像传感器，要求低功耗、大输出功率、低相位噪声[5]。作为传感器的关键模块，PLL 的性能在一定程度上决定了传感器的性能。电荷泵锁相环 (CPPLL) 因其低相位噪声、变相位差和高频工作等特点而成为 PLL 的代表性结构[6–8]。已经发表了许多关于 CPPLL 的研究成果，如[9–14]。在[11]中，采用 65nm Si CMOS 工艺实现了 CPPLL。提出的 CPPLL 采用了一种新型超低压电荷泵。所提出的CPPLL工作频率为0.09 GHz～0.35 GHz，在1 MHz频偏处相位噪声为-90 dBc/Hz，电路功耗约为0.109 mW。[9]提出了一种基于GaAs pHEMT的PLL，采用多种电路技术组合对所提出的PLL进行优化，降低相位噪声，提高运行速度。所提出的PLL工作频率约为37 GHz，在1 MHz频偏处相位噪声为-98 dBc/Hz，电路功耗约为480 mW。从以上参考文献可以看出，GaAs pHEMT具有高增益、优异的功率特性、低噪声的特点[15 – 17]。采用GaAs pHEMT工艺可以实现低噪声、更高输出功率的PLL，但基于GaAs pHEMT工艺的电路在实现更高频率的同时引入了较大的功耗，而基于GaAs pHEMT工艺的CPPLL设计存在诸多困难。另外，CPPLL的设计需要在相位噪声、功耗、面积、工艺等性能问题上做出妥协。因此，本文提出了一种基于0.15μm GaAs的改进结构CPPLL。
多普勒甚高频全向范围 - Indra
双边带 DVOR 单边带或双边带 25 W 至 >100 W 可调节，步长为 0.1 W 108 至 117.95 MHz 50 KHz 频道 ± 5ppm 通过合成器进行数字编程 ± 0.5º ± 180º，步长为 0.01º <-70 dBc 通常为 1 + 48 个阿尔福德环路 水平 完整的本地和远程指示 是 完整的系统 / LRU 监控 以太网 / RS-232 和 RS-485 MTBF > 10,000 小时（单边带） MTBO > 20,000 小时（双边带） MTTR < 30 米（通常为 15 米） 600 VA（单边带） 750 VA（热待机） 一个 19 英寸标准机架 (33u)：600 x 600 x 1467 毫米（宽 x 深 x 高）