通过功率循环测试对使用改进的互连技术的最新标准双功率模块进行老化调查 Yi Zhang a,* 、Rui Wu b 、F. Iannuzzo a 、Huai Wang aa AAU Energy,奥尔堡大学,丹麦奥尔堡 b Vestas Wind Systems A/S,丹麦奥胡斯 摘要 为硅和碳化硅设备开发了最新标准“新型双”功率模块,以满足高可靠性和高温电力电子应用日益增长的需求。由于新封装刚刚开始投放市场,其可靠性性能尚未得到充分研究。本文研究了基于新封装的 1.7 kV/1.8 kA IGBT 功率模块的功率循环能力。对功率循环前后的电气和热性能都进行了研究。在 Δ T j = 100 K 和 T jmax = 150 ° C 的条件下经过 120 万次循环后,芯片和键合线均没有明显的性能下降。尽管如此,在测试环境中,在约 600 k 次循环后,已达到导通电压 (V ce ) 增加的寿命终止标准。进一步的扫描声学显微镜测试发现,疲劳位置从传统的近芯片互连(例如,键合线剥离)转移到直接键合铜 (DBC) 基板和底板层。考虑到新封装的循环寿命是传统功率模块的十倍以上,预计随着互连技术的进一步改进,热机械疲劳将不再是限制寿命的机制。同时,随着先前的瓶颈(例如,键合线)得到解决,一些新的疲劳机制(例如,DBC 的分层)在新封装中变得明显。
摘要。介绍了光电微波振荡器的设计方案和自由运行状态下的特性研究结果,提出了一种利用锁相环将其与高稳定晶体振荡器信号同步的方法,并分析了光电微波参考振荡器频率不稳定性实验研究的结果。具有光增益和 10 GHz 振荡频率的光电微波参考振荡器在与微波载波 10 kHz 频率偏移处同时提供超低相位噪声(小于 -142 dB Hz -1 )和振荡频谱中的低杂散水平(不超过 -94 dBc)。在这种情况下,振荡频率的温度系数由高稳定晶体振荡器的温度不稳定性决定。
The HGC 2050 Transport Vision and Strategy (referred to as ‘TV&S') has been prepared on behalf of a partnership that comprises Dacorum Borough Council (DBC), St Albans City and District Council (SADC) and Hertfordshire County Council (HCC), Hertfordshire Local Enterprise Partnership (Herts LEP), and the Hertfordshire Innovation Quarter (Herts IQ) as part HGC计划(称为“合作伙伴”)和更广泛的利益相关者。该电视覆盖了整个HGC程序区域(图1中的棕色虚线);赫尔·汉普斯特德(Hemel Hempstead)镇,在达科鲁姆(Dacorum)自治市镇内,并提议的增长地区跨越了镇的北部和东部。更广泛的移动路线,并概述为运输愿景和策略领域。(图1中的灰色虚线显示)。
超声波金属点焊是电力电子封装中使用的标准技术,主要用于将电源端子连接器焊接到直接键合铜 (DBC) 基板上。超声波引线键合是一种非常相似的技术,但在工艺、应用和可用设备方面存在显著差异。将焊机的超声波功率与引线键合机的灵活性、精度和工艺控制结合成“智能焊接工艺”的生产设备非常可取。本文比较了这些技术,并介绍了圆柱形电池组的工艺结果。它们突出了智能超声波焊接相对于传统超声波焊接的优势,并证明了智能超声波焊接和引线键合各有优缺点。1 电力电子中的超声波焊接和引线键合
2 在远程模式下,可能存在间隔 3 MHz 的微处理器时钟相关杂散信号,其电平通常为 <-80 dBc。3 在 50 Hz 线路频率下,电力线或微音相关杂散信号可能高出 3 dB,并且出现在距载波高达 1 kHz 的偏移处。4 8663A 使用微处理器电平精度增强程序,在 +16 dBm 和 -119.9 dBm 之间的电平范围内实现 ±1 dB 绝对电平精度和平坦度。可以使用特殊功能禁用此增强功能。5 包括平坦度、衰减器误差、检测器误差和测量不确定度。6 在扫描模式下,正常的微处理器电平精度增强程序被禁用。可以使用特殊功能在扫描期间选择电平精度增强,但最小扫描时间通常限制为 10 毫秒/步。
SNR = 47 dBFS,f IN 高达 250 MHz,500 MSPS ENOB 为 7.5 位,f IN 高达 250 MHz,500 MSPS(−1.0 dBFS) SFDR = 79 dBc,f IN 高达 250 MHz,500 MSPS(−1.0 dBFS) 集成输入缓冲器 出色的线性度 DNL = ±0.1 LSB 典型值 INL = ±0.1 LSB 典型值 LVDS,500 MSPS(ANSI-644 级别) 1 GHz 全功率模拟带宽 片上基准电压源,无需外部去耦 低功耗 670 mW,500 MSPS—LVDS SDR 输出 可编程(标称值)输入电压范围 1.18 V p-p 至 1.6 V p-p,1.5 V p-p 标称值 1.8 V 模拟和数字电源操作 可选输出数据格式(偏移二进制、二进制补码、格雷码) 时钟占空比稳定器 集成数据采集时钟
本文提出了一种新方法,用于光伏逆变器中功率半导体设备的加速老化测试。任务剖面:在法国的多个光伏植物中,在几年内提取输出电流和环境温度。创建一个特定的老化轮廓,该轮廓不仅要考虑到光伏逆变器的应用的不同约束(高频开关和正弦形电流),还可以重现光伏倒置商的输出电流的典型轮廓。同样,环境温度也有所不同。通过施加持续时间相对较长的电流注射,DBC(直接键合铜)底物和冷却器会受到高温波动的影响。该方法应显示出在光伏应用中使用的DC/AC逆变器的热行为的更好表示,并有望比传统的功率循环显示出更具代表性的结果,从而减少了某些故障模式的偏爱,从而损害了他人。
锁相环(PLL)在物联网手持移动通信设备中占有重要地位。无线通信技术的应用推动了低抖动、小面积、低功耗的PLL的发展[1,2,3,4,5]。压控振荡器(VCO)是PLL的关键模块,必须具备低功耗、低相位噪声的特性,以满足物联网低功耗802.11ah标准[6,7,8,9,10,11]的要求,即在1GHz以下频率范围内,功耗需小于5mW,相位噪声需小于-100dBc/Hz。物联网作为无线通信的关键技术之一,在手持设备、可穿戴设备、智能家居等典型应用中发挥着重要作用。随着接入终端设备数量的快速增长,对低功耗、低相位噪声、高集成度的通信芯片的需求日益凸显。
ABF住宿预订表ASF自治系统ASR自治系统负责ASRQ ASRQ ASR资格bom材料账单BPES BPES业务平面业务摘要BPP业务计划展示BPPV业务PLAN PLAN PLATIDE CBOM CBOM CBOM CBOM COBD CORD CRD成本CRD费用CRD费用CRD费用CRD COLL CORM REPORT Electrical System Officer ESOQ Electrical System Officer Qualification ETC Electronic Throttle Control EV Electric Vehicle FSS Formula Student Spain FTO Fuel Type Order HIC Health Insurance Card IAD Impact Attenuator Data PABF Pre-Accommodation Booking Form SE3D Structural Equivalency 3D Mode SES Structural Equivalency Spreadsheet SESA SES Approval TMD Team Member Designation
摘要 — 在本信中,我们介绍了一种适用于高速采样系统的基于磷化铟 (InP) 双异质结双极晶体管 (DHBT) 技术的 24 GSa/s、> 20 GHz 宽带跟踪保持放大器 (THA)。在所提出的方法中,输入级的输出极点被发射极电容/电阻衰减产生的零点抵消,从而扩展了带宽而没有压降。引入了输出级 V be 调制补偿技术以减少失真。单片微波集成电路 (MMIC) 原型仅占用 0.69 mm 2 ,实验结果表明它具有从直流到 22.3 GHz 的 0.112–f T 带宽,比使用 InP 技术的任何报道的紧凑型 THA 解决方案都要宽。此外,在 24 GSa/s 采样率下,无杂散动态范围 (SFDR) 优于 42 dB,总谐波失真 (THD) 小于 − 25 dBc。THA 功耗仅为 374 mW,是 InP 技术中报告的最低直流功耗之一。