图1b显示了提出的三切口T型(3S-TT)桥腿,其开关节点SW 1可以与正,中或负轨道绑定,即中间或负轨,即𝑉in,p = in,p =𝑉in,n =𝑉n = in = in n = the,在相同的双极和/或三级输出电压能力中,与fb相同。与常规的TT桥腿[13],[14]不同,中点开关S F,1用标准的GAN晶体管实现,而不是通过两个这样的晶体管的抗序列连接或单一的双向交换机[15] - [17]。由于通常是非常低的直流电压,通常是p≤2v和/或𝑉in,n≤2v:1c,只要gan hemt的基本(功能)对称性可以支撑负耗压电压𝑉ds <0,只要栅极少量电压𝑉gd gd t - ds> - ds> ds> - (𝑉ds> ds> ds> ds> ds> ds> - 𝑉t-t- t- t- gs)。因此,可以使用负栅极源电压𝑉gs在一定程度上增加反向阻塞能力。1,2有利地,在任何给定时间,在载荷电流路径(即与负载串联)中只有一个开关,而不是在FB的情况下而不是两个开关。因此,考虑到每个位置的相同数量的晶体管,提出的3S-TT将传导损失减少至少两个。3图进一步注意到,在3S-TT中,从S HS,1到中点开关S F的换向,1涉及低侧开关的反行二极管,如缩放波形所示。即,2进一步显示了FB的关键波形和提议的3S-TT相模块(即,在以下内容中考虑了𝑁pH = 1),在下面考虑了相同的输出电压以及(总数)串联电感器和输出滤波器套管器的相同需求和应力(请注意3S-TT的设备开关频率是3S-TT的设备开关频率是FB,但)。
fo'ofo|ky; ds fofHkUu vdknfed foHkkxksa esa vkpk;Z =04½] lg vkpk;Z =10½ ,oa lgk;d vkpk;Z =19½ ds inksa ij HkrhZ gsrq ;ksX;香港; ukxfjdksa ,oa Hkkjr ds izoklh ukxfjdksa ¼vkslhvkbZ½ ls fu/kkZfjr izk:Ik esa vkWuykbu vkosnu vkeaf=r fd;s tkrs gSaA vdknfed is&ysoy % vkpk;Z & is ysoy&14 ¼:- 144200&218200½ lg vkpk;Z & is ysoy&13, ¼:- 131400&217100½ lgk;d izkpk;Z & is ysoy&10 ¼:- 57700&182400½ U;wure vgZrk] vuqHko] vk;q esa NwV] lsok “krsZa] ifjyfC/k;k¡] lsokfuo`fÙk dh mez vkfn fo'ofo|ky;@Hkkjr ljdkj@;wthlh ds fu;ekuqlkj rFkk fo”ofo|ky; dh osclkbV www.curaj.ac.in ij miyC/k gSA vkosnu 'kqYd #i, 1500 ¼lkekU; Js.kh@bMCywbl@vU; fiNM+k oxZ gsrqq½ #i, 750 ¼,lh@,lVh@ihMCY;wMh@ oxZ gsrq ½ uksV% lQyrkiwoZd vkuWykbu vkosnu djus ds ckn] lHkh vko';d nLrkostksa dh Loa; lR;kfir izfrfyfi vkosnu ds lkFk 10 fnuksa ds vanj fo'ofo|ky; dks fuEufyf[kr irs ij HkstsaA
进行了这项研究,以尝试适应约会棕榈CV中的干旱和盐胁迫(DS)(PEG-6000 + NaCl)。Barhee在体外植入,牢记DS的有害影响。在dactylifera L.上进行了体外实验,以检查三角诺醇(Tria),生长属性以及DS下的某些生化成分的应用的功效。最佳治疗是10 µg L –1三亚三亚三亚三亚三亚菌。DS下的这种治疗方法改善了愈伤组织的生长,并将其重量提高到215.0 mg。在DS应力下,这种治疗方法还显示出最高的响应率和每个罐子的芽数(分别为72.23%和10.30芽)。三亚三细胞增强的DS耐受性。在增加Ca 2+,Mg 2+和K+以及Fe 2+和叶绿素颜料的DS下,这种处理也更有效。这些结果还表明,在DS下使用10 µg L –1 Tria作为补充剂可以将SOD,APX和PAL活性增加到31.68、3.377单位G – 1 min –1和33.78%。数据分析还表明,使用10 µg L –1 TriA的应用通过减少甲磺化(MDA)(MDA)和H 2 O 2在压力组织中的含量为1.06和1.278μmg的新鲜重量(FW)来抵消DS诱导的有害作用。我们的工作可以通过SDS-PAGE揭示蛋白质条带数量和数量的详细变化。新的蛋白质带出现在两种经过三亚处理植物的压力中。本研究的结果将有助于快速克隆日期棕榈传播,可用于增强植物对干旱和盐胁迫的耐受性。
在A点和B点之间,它是JFET的欧姆地区。是欧姆定律遵循电压和当前关系的地区。在B点,对于V GS = 0条件,排水电流为最大,定义为I DSS。这是捏点,因为漏极到源电压V ds进一步增加。此时V ds电压称为捏电压V p。这也是电压点,在该电压点上,排出通力的电压V DG产生足够的耗竭厚度以缩小通道,从而使通道的电阻显着增加。由于V GS = 0,V DS也等于V DG。因此,通常,捏电压V P为V P = V DS(P)-V GS(4.1),其中V DS(P)是V GS值的捏合漏极到源电压。i dss和v p是制造商列出的给定JFET类型列出的常数值,这是Gate-to-Source电压v GS =0。
唐氏综合症(DS),也称为三体疾病,是与智力障碍有关的最普遍的染色体疾病(1)。截至2015年,欧洲的DS患病率估计为每10,000人5.7人,约为419,000个人(2)。ds与各种临床疾病的风险增加有关,包括先天性心脏缺陷,呼吸疾病,阿尔茨海默氏病,胃肠道畸形,骨质疏松症,骨质疾病功能障碍,胸膜功能障碍,癫痫疾病,自身免疫性疾病,自身免疫性疾病和疾病的血液和疾病 - 血压和梅多利亚系统的疾病(1,3)。此外,ds影响肌肉骨骼系统,导致各种后遗症,包括肌肉无力,运动过度和韧带松弛(8)。这些肌肉骨骼问题有助于运动协调性困难并改变DS患者的步态模式。步态被广泛认为是运动发展,影响认知,社交互动以及复杂运动技能(例如跑步和跳跃)的关键指标。适当的步态性能对于日常活动至关重要(9-11)。但是,患有
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