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4位二进制填充加法器，带有快速随身携带数据表（Rev. E）
• Bypass capacitor placement – Place near the positive supply terminal of the device – Provide an electrically short ground return path – Use wide traces to minimize impedance – Keep the device, capacitors, and traces on the same side of the board whenever possible • Signal trace geometry – 8mil to 12mil trace width – Lengths less than 12cm to minimize transmission line effects – Avoid 90° corners for signal traces – Use an unbroken ground plane在信号迹线下方 - 带有地面的信号迹线周围的洪水填充区域 - 对于超过12厘米的迹线•使用阻抗控制的迹线•源 - 端端使用输出附近的串联阻尼电阻器•避免分支；缓冲信号必须单独分支
TMUX7219-Q1 44V、防闩锁、2:1 (SPDT) 精密开关，带 1.8V 逻辑 数据表 (Rev. C)
(1) 在绝对最大额定值之外运行可能会导致器件永久性损坏。绝对最大额定值并不意味着器件在这些或任何超出建议工作条件所列条件的其他条件下能够正常工作。如果在建议工作条件之外但在绝对最大额定值之内使用，器件可能无法完全正常工作，并且可能会影响器件的可靠性、功能性和性能，并缩短器件寿命。 (2) 除非另有规定，所有电压均相对于地。 (3) 引脚通过二极管钳位到电源轨。过压信号的电压和电流必须限制在最大额定值内。 (4) 有关 I DC 规格，请参阅源极或漏极连续电流表。 (5) 对于 DGK 封装：当 TA = 70°C 以上时，P tot 线性下降 6.7mW/°C。
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• Support for features in Bluetooth ® 5.4 and earlier versions: – LE Coded PHYs (Long Range), LE 2Mbit PHY (high speed), advertising extensions, multiple advertisement sets, CSA#2, as well as backward compatibility with earlier Bluetooth ® Low Energy specifications • Bluetooth ® Channel Sounding technology support and Algorithm Processing Unit (APU) to enable high accuracy, low cost, and secure基于阶段的范围机制，用于距离估计。- APU可以实现距离距离信号处理算法的潜伏期和功率有效执行，包括FFT和超分辨率复杂算法，例如多个信号分类（音乐）•ARM®自定义数据扩展（CDE）指令（CDE）机器学习加速度加速的机器学习加速•完全合格的bluetooth®软件协议•简化的软件开发（SIFTING STACK）•SIFTY FOLESERICK SOTORTAR™SIDY™SOFTARE（SD）™™损失F3 kit（SD）™w 3 kit™kit t 3 MCUs: – Isolated HSM environment with a dedicated controller handling accelerated cryptographic and random number generation operations – Secure boot and firmware updates with the root of trust enabled by immutable system ROM – Arm ® Cortex M33 TrustZone-M based trusted execution environment support – Secure key storage support with HSM and TrustZone-M – Hardware fault sensors to mitigate low-cost, low-effort, non-invasive physical attack threats like voltage glitch injection – Dedicated AES-128 HW accelerator for handling timing critical link layer encryption/decryption operations • Ultra-low standby current with full 162KB SRAM retention and RTC operation that enables significant battery life extension, especially for applications with longer sleep intervals • Extended temperature support with the lowest standby current • Integrated BALUN and integrated RF switch to support both transmit and receive operations on the same RF即使在P版本中；因此，可以减少物质（BOM）董事会布局•蓝牙®低能量
采用航天级塑料封装的 OPA4H199-SP 40V、QML P 类、抗辐射 (RHA)、轨到轨输入和输出、低失调电压、低噪声运算放大器数据表
• QML P 类抗辐射性能保证 (QMLP-RHA) 等级 • 采用小型 SOT-23 封装 • 辐射性能： – 单粒子闩锁 (SEL) 免疫 65MeV-cm 2 /mg – 总电离剂量 (TID) 抗辐射性能保证 (RHA) 高达 100krad (Si) • 支持国防、航空航天和医疗应用 – 单一受控基线 – 一个制造、装配和测试站点 – 金线 – NiPdAu 引线表面涂层 – 可在军用 (-55°C 至 125°C) 温度范围内使用 – 延长产品生命周期 – 产品可追溯性 – 增强型塑封材料，降低排气量 • 低失调电压：±125µV • 低噪声：1kHz 时为 10.8nV/√Hz • 高共模抑制：130dB • 低偏置电流：±10pA • 轨到轨输入和输出 • 宽带宽：4.5MHz GBW • 高压摆率：21V/µs • 高电容负载驱动：1nF • 多路复用器友好型/比较器输入 • 低静态电流：每个放大器 560µA • 宽电源电压：±1.35V 至 ±20V，2.7V 至 40V • 强大的 EMIRR 性能：输入和电源引脚上的 EMI/RFI 滤波器
UCC21320 -Q1 4A，6A，3.75KVRMS隔离的双通道驱动器驱动器（Rev. a）
（1）应根据应用程序的特定设备隔离标准来应用蠕变和间隙要求。应注意保持板设计的爬路和间隙距离，以确保隔离器在印刷电路板上的安装垫不会降低此距离。印刷电路板上的蠕变和清除相等。诸如插入凹槽，肋骨或两者都在印刷电路板上的技术用于帮助增加这些规格。（2）此耦合器仅适用于安全等级内的安全电绝缘材料。应通过适当的保护电路确保对安全等级的遵守。（3）在空气或油中进行测试，以确定隔离屏障的内在浪涌免疫力。（4）明显电荷是由部分放电（PD）引起的电气放电。（5）屏障的每一侧的所有销钉都绑在一起创建一个两针设备。
ina332，ina2332低功率，单供应，CMOS仪器放大器数据表（Rev. b）
Supply Voltage, V+ to V– .................................................................... 7.5V Signal Input Terminals, Voltage (2) ..................... (V–) – 0.5V to (V+) + 0.5V Current (2) ..................................................... 10mA Output Short-Circuit (3) ..............................................................Continuous Operating Temperature .................................................. –55 ° C to +125 ° C Storage Temperature ...................................................... –65 ° C to +150 ° C Junction Temperature .................................................................... +150 ° C
TLV9051 / TLV9052 / TLV9054 5MHz，15V / µs高slew- ... < / div>
（1）根据应用程序的特定设备隔离标准应用蠕变和间隙要求。注意保持木板设计的爬路和间隙距离，以确保在印刷电路板上的隔离器的安装垫不会降低此距离。印刷电路板上的蠕变和清除相等。诸如插入凹槽，肋骨或两者都在印刷电路板上的技术用于帮助增加这些规格。（2）在空气或油中进行测试，以确定隔离屏障的内在浪涌免疫力。（3）明显电荷是由部分放电（PD）引起的电气放电。（4）屏障每一侧的所有销钉都绑在一起创建了两个末端设备
drv3233-q1汽车24/12-V电池3相门驱动器单元具有准确的电流感应和增强的诊断数据表（Rev. a）
•AEC-Q100有资格用于汽车申请 - 温度选项： - drv323333php：–40°C至 +150°C，T A - DRV3233QPHP（预览）：–40°C：–40°C至 +125°C， +125°C，t•功能安全系统 - 可实现的系统范围262 26226262226262222222. up to ASIL D targeted • Three phase half-bridge gate driver – Drives six N-channel MOSFETs (NMOS) – 4.5 to 60-V wide operating voltage range – Bootstrap architecture for high-side gate driver – Charge pump for 50mA average gate current – 100% PWM duty cycle support – Overdrive supply of external switches • Smart Gate Drive architecture – 45-level configurable peak gate drive current up to 1000 / 2000-mA (source / sink) – Three-step dynamic drive current control – Soft shutdown for power stage protection • Low-side Current Sense Amplifier – Sub-1 mV low input offset across temperature – 9-level adjustable gain • SPI-based detailed configuration and diagnostics • DRVOFF pin to disable driver independently • High voltage wake up pin (nSLEEP) • Multiple PWM interface options available – 6x, 3x, 1x PWM Modes – PWM over SPI • Supports 3.3-V, and 5-V Logic Inputs • Optional programmable OTP for reset settings • Advanced and configurable protection features – Battery and power supply voltage monitors – Phase feedback comparator – MOSFET V DS and R sense over current monitors – Analog Built-In-Self-Test, Clock monitors – Fault condition indicator pin
tmux9616x 220-V高压1：1，16通道开关带有闩锁免疫数据表（Rev. a）
5.1 Absolute Maximum Ratings........................................ 5 5.2 ESD Ratings............................................................... 5 5.3 Thermal Information.................................................... 5 5.4 Recommended Operating Conditions......................... 6 5.5 Electrical Characteristics: TMUX9616........................ 7 5.6 Switching Characteristics: TMUX9616........................ 8 5.7 Digital Timings: TMUX9616........................................ 9 5.8 Timing Diagrams ...................................................... 10 5.9 Typical Characteristics.............................................. 12 6 Parameter Measurement Information .......................... 14