XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search Systemdb
使 DB 策略更具弹性的四种方法
除非 Legal & General 以书面形式另行同意，否则本文件中的信息 (a) 仅供参考，我们不会据此招揽任何行动，(b) 并非买卖证券或实施特定投资策略的建议；(c) 并非投资、法律、监管或税务建议。您做出的任何交易或投资决定都应基于您自己的分析和判断（和/或您的专业顾问的分析和判断），而不是依赖我们或信息。在法律允许的最大范围内，我们排除所有陈述、保证、条件、承诺和任何其他任何类型的条款，无论是法律或
PIC 和 ePIC 平台的 3 dB OE 带宽为 110 GHz
摘要 — 我们介绍了一种 SOI 波导耦合锗光电二极管，它在 2 V 反向偏压下具有非常高的 OE -3 dB 带宽 ≥ 110 GHz。这种性能是通过一种新颖的结构实现的，即将锗夹在两个原位掺杂的硅区域之间。这种制造方法可以避免将离子注入锗，这无疑有利于带宽，因为少数载流子扩散效应受到强烈抑制。在 1550 nm (-2 V) 时实现了 >0.6 A/W 的响应度，而该器件的暗电流约为 300 nA (-2 V)。据我们所知，这是最先进的锗光电探测器，具有带宽、最先进的响应度以及中等暗电流。我们证明，这种新型光电二极管可以高产量制造。
具有 0.36 dB 的 32–40 GHz 7 位双向移相器...
摘要 — 本文介绍了一种采用 65 nm CMOS 技术的数字可编程双向 7 位无源移相器。该无源矢量合成移相器的核心是混合正交发生器 (HQG)、级间匹配网络和无源矢量调制器 (PVM)。本文提出了一种基于高耦合因子的正交发生器设计方法，并用紧凑型垂直变压器进行了演示。提出了 HQG 和 PVM 之间的级间匹配网络，以释放带宽瓶颈并实现 34% 的分数频率带宽。I 和 Q 路径中的两个 6 位 X 型衰减器形成高分辨率 12 位控制字。在 32-40 GHz 下，这个 7 位 360 ◦ 移相器实现了测量的 2.8 ◦ 步长，相位误差为 0.45-1.6 ◦ RMS，幅度误差为 0.2-0.36 dB RMS。采用宽带技术，其3dB带宽达到30.2-42.7GHz，相位误差为2.8◦RMS。其带内1dB压缩点为10.2dBm。采用所提出的紧凑型HQG和PVM，该毫米波无源移相器仅占用220×630μm2，并且没有功耗。
1.2 dB NF 分集接收模块的低频带多增益 LNA 设计
摘要：本文介绍并讨论了一种用于分集接收模块的低频带 (LB) 低噪声放大器 (LNA) 设计，该模块适用于多模蜂窝手机。LB LNA 覆盖 5 个不同频段，频率范围从 617 MHz 到 960 MHz，5 刀单掷 (5PST) 开关用于选择不同的频段，其中两个用于主频段，三个用于辅助频段。所提出的结构涵盖从 -12 到 18 dB 的增益模式，增益步长为 6 dB，每种增益模式的电流消耗都不同。为了在高增益模式下达到噪声系数 (NF) 规格，我们在本设计中采用了具有电感源退化结构的共源共栅 (CS)。为了实现 S 11 参数和电流消耗规格，高增益模式（18 dB、12 dB 和 6 dB）和低增益模式（0 dB、-6 dB 和 -12 dB）的内核和共源共栅晶体管已被分开。尽管如此，为了保持较小的面积并将相位不连续性保持在 ± 10 ◦ 以内，我们在两个内核之间共享了退化和负载电感器。为了补偿工艺、电压和温度 (PVT) 变化的性能，该结构采用了低压差 (LDO) 稳压器和极端电压补偿器。该设计在65nm RSB工艺设计套件中进行，电源电压为1V，以18dB和-12dB增益模式为例，其NF分别为1.2dB和16dB，电流消耗为10.8mA和1.2mA，输入三阶截取点（IIP3）分别为-6dBm和8dBm。
通知ATAC 052-2024-医生DB基因组和生物信息学开放
圣保罗大学的哲学，科学和里贝尔·比勒托信的主任将公开向所有感兴趣的政党公开，根据09/26/2024举行的普通会议的说法，将于60（六十）（60天）开放，在9点（Brasíliatime）开始，从04 AT）开放。注册公开招标的标题和测试，以提供01（一）教授的职位，参考MS-3，全面致力于教学和研究，Claro/Claro/Claro/职位，第1245333号，薪水为15,498.97 $ $ 15,498.97（5月/2024年），与生物学领域有关，在基因组和Biiobical和Biiobioics中的知识方面，均为ARTIMICINCINCINCINCINCINCINCINCINCINCINCINC。第125条，USP的一般团的第1段，相应的计划如下：第125条，USP的一般团的第1段，相应的计划如下：
具有 0.9 dB 噪声系数和 12.8- ... 的 RF p-GaN HEMT
摘要 — 深入研究了增强型 p-GaN 栅极高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的低噪声放大性能。该器件具有钨 (W) 栅极金属和与 CMOS 兼容的源极/漏极端子金属触点，表现出 2.7 V 的正阈值电压。在夹断区和导通区分别提取 3.8 pA/mm 和 16.3 nA/mm 的低栅极漏电流密度 (IG)。该器件在 2 GHz 时提供 15.8 dBm 的输入三阶截取点 (IIP3)，同时具有良好的线性特性对频率变化的免疫力。在 2 GHz 的工作频率下实现了 0.9 dB 的最小噪声系数 (NF min) 和 12.8 dB 的相关增益 (G a)。此外，通过检查偏置和频率对 NF min 和 G a 的影响，发现在 1 GHz 时 NF min 为 0.65 dB，G a 为 18.3 dB。这项工作为 p-GaN HEMT 在低噪声放大器应用中的利用铺平了道路。
深脑刺激（DB）在成瘾障碍中的作用
迫切需要强调新的方法来治疗和增强药物使用障碍（SUD）治疗，特别是对于缺乏药物选择的物质。非药理学方法是感兴趣的，特别是对于那些无法忍受药物或反应不足的个体。深脑刺激（DBS）是神经调节的侵入性形式之一，是一种手术程序，将电极植入特定的大脑区域并通过植入的脉冲发生器刺激。已经曾是食品药品监督管理局（Food and Drug Administration），用于帕金森氏病，基本震颤，肌张力障碍和强迫症（OCD）。DBS在临床研究中对抑郁症，图雷特氏病，饮食失调，创伤性脑损伤，阿尔茨海默氏病和慢性疼痛等疾病的临床研究表现出了希望。刺激参数是根据靶向大脑区域和患者反应进行编程的。dbs也被探讨为SUD的潜在方法。[18,46,47,50]
无监督的域适应性利用视觉 - ...
在电信频谱中施加了氮氧化铝波导，小于0.16 db/cm损失Radhakant Singh，1,2 Mohit Raghuwanshi，3 Balasubramanian Sundarapandian，3 Rijilthomas，3 Rijilthomas，3 Rijilthomas，1 Lutz Kirste，3 Stephan，3 Stephan，1 1 spehan。 GMBH，高级微电动中心亚当，52074，德国2 rwth Aachen University，Electronic Devices主席，52074德国亚兴3弗劳恩霍夫应用固态物理学IAF研究所IAF，79108 FREIBURG IM BREISGAU，德国，德国 *在电信频谱中施加了氮氧化铝波导，小于0.16 db/cm损失Radhakant Singh，1,2 Mohit Raghuwanshi，3 Balasubramanian Sundarapandian，3 Rijilthomas，3 Rijilthomas，3 Rijilthomas，1 Lutz Kirste，3 Stephan，3 Stephan，1 1 spehan。 GMBH，高级微电动中心亚当，52074，德国2 rwth Aachen University，Electronic Devices主席，52074德国亚兴3弗劳恩霍夫应用固态物理学IAF研究所IAF，79108 FREIBURG IM BREISGAU，德国，德国 *
美国综合能源强度指标体系：方法、数据和关键趋势 DB Belzer KA Cort S Ganguli 2020 年 5 月
免责声明 本文件是由美国政府机构资助的工作记录。美国政府或其任何机构、巴特尔纪念研究所或其任何雇员均不对所披露的信息、设备、产品或流程的准确性、完整性或实用性做任何明示或暗示的保证，或承担任何法律责任或义务，或表示其使用不会侵犯私有权利。本文以商品名、商标、制造商或其他方式提及任何特定的商业产品、流程或服务并不一定构成或暗示美国政府或其任何机构或巴特尔纪念研究所对其的认可、推荐或支持。本文表达的作者的观点和意见不一定代表或反映美国政府或其任何机构的观点和意见。
具有 1.7 dBm 输出功率和 45 dB 基波抑制的 E 波段 CMOS 频率四倍频器
摘要：本文介绍了一种采用40nm CMOS工艺的E波段四倍频器。该电路采用两个推推式倍频器和两个单级中和放大器。倍频器采用伪差分B类偏置共源共栅拓扑结构，提高了反向隔离度和转换增益。采用中和技术可同时提高放大器的稳定性和功率增益。堆叠变压器用于单端到差分转换以及输出带通滤波。输出带通滤波器可提高四次谐波的输出功率，同时抑制不需要的谐波，特别是二次谐波。核心芯片尺寸为0.23mm2，功耗为34mW。测得的四次谐波在76GHz时实现了1.7dBm的最大输出功率，峰值转换增益为3.4dB。对于 74 至 82 GHz 的频谱，基波和二次谐波抑制分别超过 45 dB 和 20 dB。