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利用纳米粒子治疗胶质瘤的代谢缺陷
由于血脑屏障和复杂的突变谱，原发性中枢神经系统肿瘤的治疗具有挑战性，并且与低存活率有关。然而，最近的研究已经发现了神经胶质瘤的常见突变[异柠檬酸脱氢酶 (IDH) - 野生型和突变型，WHO II-IV 级；IV 级肿瘤称为胶质母细胞瘤 (GBM)]。这些突变驱动表观遗传变化，导致烟酸磷酸核糖转移酶 (NAPRT) 基因位点的启动子甲基化，该基因位点编码一种参与生成 NAD + 的酶。重要的是，NAPRT 沉默使另一种 NAD + 生物合成酶烟酰胺磷酸核糖转移酶 (NAMPT) 的抑制剂具有治疗脆弱性，从而使这些恶性肿瘤的治疗变得合理。多种系统给药的 NAMPT 抑制剂 (NAMPTi) 已在临床试验中得到开发和测试，但剂量限制性毒性——包括骨髓抑制和
看瑞士奶酪生产和缺陷
牛奶：牛奶质量非常重要；瑞士奶酪更重要。瑞士人不允许从奶牛中使用牛奶，因为孢子形成者可能会在瑞士奶酪中引起气体和变质问题。在美国瑞士奶酪行业中并非如此。优质的牛奶，在体细胞，乳酸杆菌，孢子，标准板数和MUN的低位牛奶中，对于制造瑞士是有利的。尽管瑞士婴儿使用全牛奶，但传统的瑞士奶酪会从全牛奶中除去一些脂肪。通常以3.0-3.3％的脂肪结束。瑞士奶酪的牛奶有时会澄清或通过双乳头运行，这将消除可能导致成熟问题的孢子。在巴氏灭菌之前，将来自双层型的小“滑动流”添加回牛奶中，这有助于提供“核”，从而破坏奶酪体足以允许眼睛发育。使用
肥胖和心脏缺陷：病理生理学和病因
自1980年代以来，全球肥胖流行病是众所周知的，大多数国家的肥胖发生率都在上升。肥胖直接导致发生心血管危险因素，例如血脂异常，2型糖尿病，高血压和睡眠问题。肥胖症除其他心血管危险因素外，还有助于心血管疾病（CVD）和心血管疾病死亡率的发展。最近的研究表明，按腰围测量的腹部肥胖是CVD的危险因素，它与体重指数无关。随着脂肪组织的发展过多，个人的心脏结构和功能会经历一系列适应性和变化。肥胖是一种长期代谢疾病，与CVD有关，更多的住院和更多的死亡。即使在高血压或持续性结构性心脏问题的情况下，很明显，当脂肪过多时，心脏的结构和功能会以多种方式变化。除了间接影响外，肥胖症还对心血管系统还具有许多直接和间接影响，这使得人们更有可能生病或死亡。总体脂肪和心率之间可能没有直接联系，因为当体内脂肪百分比上升时，心率下降。肥胖者的高心输出量主要是由于中风量的增加引起的，以满足脂肪组织的代谢需求。心肌病是由肥胖对心脏的直接影响引起的。这称为adipositas cordis。超重和肥胖可能会引起或与许多心脏问题有关，例如冠状动脉疾病，心脏骤停和猝死。
新墨西哥州的心脏缺陷：D-TGA
什么是D-TGA？右旋转移是出生时出现的复杂心脏缺陷。带有D-TGA的婴儿的心脏将富含氧气的血液泵回肺部，并将贫血的血液泵入身体的其余部分。正确工作的心脏恰恰相反；它将氧气 - 血液泵入肺部，以补充补充，并将富含氧气的血液泵入身体的其余部分。由于这种混合而引起的直接问题是组织缺氧，最终会导致心力衰竭和肺部损害。
田纳西州出生缺陷数据报告
出生缺陷（也称为先天性异常）是会影响身体几乎任何部位的变化，并改变身体的外观和/或功能。田纳西州出生缺陷监测系统承认，“出生缺陷”是一个医学术语，指的是出生前出现的健康状况，并不意味着一个人“有缺陷”。只要有可能，就会使用诊断的临床名称。出生缺陷是在出生前、出生时或出生后发现的。并非所有出生缺陷都是一样的；有些非常轻微，而有些则很严重。一个人的预期寿命可能因出生缺陷的严重程度和受影响的身体部位而异。
二元量子缺陷的计算设计...
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InGaAs-SOI 界面缺陷的可靠性调查...
这项工作研究了铟镓砷 (InGaAs) SOI-FinFET 中界面缺陷在高性能应用中的可靠性。In 0.53 Ga 0.47 As 是一种很有前途的下一代晶体管材料，因为它具有高电子迁移率，这对于高速和高频应用至关重要。然而，界面陷阱电荷 (ITC) 的存在会严重影响器件的性能和可靠性。我们全面分析了 InGaAs SOI-FinFET 中的 ITC，研究了它们对线性性能参数（如 VIP2、VIP3、IIP3、IMD3、HD2 和 HD3）的影响。所有结果表明，优化界面质量对于提高 InGaAs SOI-FinFET 的可靠性和性能至关重要。这项工作为缺陷机制提供了宝贵的见解，并为改进制造工艺以实现更可靠的高性能 InGaAs-SOI-FinFET 提供了指导。因此，基于 InGaAs 的 FinFET 是最适合下一代使用的高性能半导体器件。 InGaAs 具有优异的电子迁移率和高饱和速度，为高频和高速应用提供了显著的优势，使其成为硅的理想替代品。
血小板功能缺陷的诊断评估
1Tübingen医学院，德国Tübingen临床和实验输血医学研究所2德国弗莱堡大学医学中心弗莱堡大学医学中心儿科和青少年医学系5临床化学和化学实验室诊断研究所，格拉兹医科大学，格拉兹，格拉兹，奥地利6号实验血液学和输血医学研究所（IHT）糖尿病中心北莱茵 - 韦斯特法里亚，鲁尔大学大学大学诊所，德国博丘姆实验室和输血医学研究所8临床止血，德国穆斯特大学穆斯特大学医院1Tübingen医学院，德国Tübingen临床和实验输血医学研究所2德国弗莱堡大学医学中心弗莱堡大学医学中心儿科和青少年医学系5临床化学和化学实验室诊断研究所，格拉兹医科大学，格拉兹，格拉兹，奥地利6号实验血液学和输血医学研究所（IHT）糖尿病中心北莱茵 - 韦斯特法里亚，鲁尔大学大学大学诊所，德国博丘姆实验室和输血医学研究所8临床止血，德国穆斯特大学穆斯特大学医院
碳和硅杂质缺陷
摘要：硝酸盐（GAN）中的缺陷单光子发射器（SPE）近年来由于其提供的优势而引起了人们的关注，包括在室温下操作，狭窄的排放线宽和高亮度。尽管如此，由于可能在GAN中形成的许多潜在缺陷，单光子发射机制的确切性质仍然不确定。在这项工作中，我们对从头算计算进行的系统研究表明，碳和硅作为氮化碳中的常见掺杂剂可以与GAN中的固有缺陷相互作用，并形成新的高速缺陷单光子来源。我们的发现确定了三元缺陷n ga v n c n，其寿命短于1 ns，而小零光子线（ZPL）为864 nm。换句话说，此缺陷可以用作短波长窗口中的高速单光子源进行纤维通信。在尖锐的对比度中，Si支持的缺陷N GA V n Si N具有较高的无占缺陷能水平，该缺陷能水平进入传导带，因此不适合单个光子发射。已经对潜在的缺陷，热稳定性和单光子发射特性进行了系统的研究。分别采用了perdew-burke-ernzerhof交换相关功能和HEYD-SCUSERIA-ERNZERHOF交换相关功能的放松计算和自洽计算。这些发现表明了通过碳或硅掺杂剂的高性能单光子来源的潜力。